操纵多结垂直腔表面发射激光器的光束发散度制造技术

多结垂直腔表面发射激光器(VCSEL)可以包括基板、顶部接触部和堆叠体，该堆叠体包括形成在基板和顶部接触部之间的一组层。在一些实施方式中，形成在基板和顶部接触部之间的所述一组层可以包括腔、第一分布式布拉格反射器(DBR)对以及第二DBR对，腔包括第一有源区、第二有源区和连接第一有源区和第二有源区的隧道结，第一分布式布拉格反射器(DBR)对包括在腔和顶部接触部之间的高对比度p型DBR(p

【技术实现步骤摘要】
操纵多结垂直腔表面发射激光器的光束发散度


[0001]本公开总体上涉及一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)和一种多结VCSEL，该多结VCSEL包括一个或多个低对比度反射镜以操纵多结VCSEL的光束发散度。

技术介绍

[0002]VCSEL是半导体激光器，更具体地是具有单片激光谐振器的二极管激光器，其中光在垂直于芯片表面的方向上发射。通常，激光谐振器包括平行于芯片表面的两个分布式布拉格反射器(DBR)反射镜，其中有源区(包括一个或多个量子阱)设置在两个DBR反射镜之间以产生光。通常，VCSEL的上反射镜和下反射镜分别掺杂为p型和n型材料，从而形成二极管结。

技术实现思路

[0003]在一些实施方式中，多结VCSEL包括：基板；顶部接触部；以及一组层，其形成于所述基板与所述顶部接触部之间，该组层包括：高对比度p型DBR(p
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DBR)；高对比度n型分布式布拉格反射器(n
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DBR)；腔，所述腔包括第一有源区、第二有源区和连接所述第一有源区和所述第二有源区的隧道结，其中所述腔设置在所述高对比度p本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多结垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，包括：基板；顶部接触部；以及一组层，该组层形成在所述基板与所述顶部接触部之间，该组层包括：高对比度p型分布式布拉格反射器(p
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DBR)；高对比度n型分布式布拉格反射器(n
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DBR)；腔，所述腔包括第一有源区、第二有源区和连接所述第一有源区和所述第二有源区的隧道结，其中所述腔设置在所述高对比度p
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DBR和所述高对比度n
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DBR之间；以及低对比度n
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DBR，设置于所述高对比度n
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DBR与所述腔之间。2.根据权利要求1所述的多结VCSEL，其中该组层还包括：氧化物孔隙层，所述氧化物孔隙层设置在所述高对比度p
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DBR与所述腔之间。3.根据权利要求2所述的多结VCSEL，其中：所述氧化物孔隙层是第一氧化物孔隙层，并且该组层还包括在腔内设置在隧道结与第一有源区或第二有源区之间的第二氧化物孔隙层。4.根据权利要求2所述的多结VCSEL，其中该组层还包括：低对比度p
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DBR，所述低对比度p
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DBR设置在所述高对比度p
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DBR与所述腔之间。5.根据权利要求1所述的多结VCSEL，其中所述隧道结是正负结，所述正负结包括掺杂p型半导体层和与所述掺杂p型半导体层相邻的掺杂n型半导体层。6.根据权利要求1所述的多结VCSEL，其中所述腔的有效长度基于所述低对比度n
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DBR和所述高对比度n
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DBR之间的折射率分布差异。7.根据权利要求1所述的多结VCSEL，其中所述低对比度n
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DBR具有比所述高对比度n
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DBR的掺杂水平更低的掺杂水平。8.一种装置，包括：基板；顶部接触部；以及堆叠体，所述堆叠体包括形成在所述基板与所述顶部接触部之间的一组层，该组层包括：腔，所述腔包括第一有源区、第二有源区和连接所述第一有源区和所述第二有源区的隧道结；第一分布式布拉格反射器(DBR)对，所述第一分布式布拉格反射器(DBR)对包括在所述腔与所述顶部接触部之间的高对比度p型DBR(p
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DBR)和低对比度p
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DBR；以及第二DBR对，所述第二DBR对包括在所述腔与所述基板之间的高对比度n型DBR(n
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DBR)和低对比度n
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DBR，其中，所述低对比度p
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DBR和所述低对比度n
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DBR位于所述堆叠体的内侧，并且其中，所述高对比度p
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DBR和所述高对比度n
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DBR位于所述堆叠体的外侧。9.根据权利要求8所述的装置，其中，该组层还包括：一个或多个层，所述一个或多个层被布置成对所述腔内的电流和光学模式施加横向限
制。10.根据权利要求9所述的装置，其中被布置为对所述电流和光学模式施加横向限制的所述一个或多个层包括一个或多个氧化物孔隙层、注入钝化层、台面或沟槽隔离层、或掩埋隧道结层。11.根据权利要求8所述的装置，其中，所述腔具有基于所述低对比度n
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【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：