一种制备Cr4+:Ca2GeO4激光晶体的方法技术

一种制备Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶体的方法属于可调谐激光晶体技术领域。现有技术采用自发结晶法、助溶剂法制备Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶体；Ｃｒ↑［４＋］是通过直接加入三氧化二铬原料，在晶体的生长过程中所产生；二氧化锗等原料直接加入熔体中。主要问题是生长速率低、晶体尺寸小，晶体中含有较多缺陷，Ｃｒ↑［３＋］未能完全转化为Ｃｒ↑［４＋］，以及二氧化锗的挥发。本发明专利技术包括以下步骤：１．按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗，其中三氧化二铬过量１～２％（ｗｔ）称取；２．将三氧化二铬和三氧化铬混合，采用水热合成法合成二氧化铬；３．将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型；高温烧结后研磨成粉，再次高温烧结，获得生长料；４．采用提拉法使用所获得的生长料生长Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种掺四价铬锗酸钙(C一+:Ca2Ge04)激光晶体的原料制备及晶体生长方法，属 于可调谐激光晶体

技术介绍
现有用于可调谐激光器的可调谐激光晶体主要有Cr3+:BeAl204、 Ti3+:AI203 、 Cr4+:Mg2Si04和Cr4+:Ca2Ge04 ，其调谐范围分别是0.710~0.82(Him、 0.650~1.000^im、 L167 1.345nm和1.300 1.600pm。 C一+:Ca2Ge04激光晶体的调谐波段包括许多重要的波段， 如对人眼安全(大于1.4pm)的波段、光纤零色散零损耗波段等，这使得C一+:Ca2Ge04激光 晶体可以广泛地应用在医学、通信等领域。另外，C一+:Ca2Ge04激光晶体是一种掺&4+离子 的镁橄榄石晶体，是一种一致熔融化合物，熔点是190(TC，具有高增益、低损耗、无寄生震 荡中心等优点，中心波长为1.410nm。 Cr":Ca2Ge04激光晶体的制备方法是自发结晶法、助 溶剂法，&4+是通过直接加入三氧化二铬原料，在品体的生长过程中产生的。提拉法是一种利用籽晶从熔体中提拉出晶体的生长方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：　（１）按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗，其中三氧化二铬过量１～２％（ｗｔ）称取；　（２）将三氧化二铬和 三氧化铬混合，合成二氧化铬；　（３）将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型；高温烧结后研磨成粉，再次高温烧结，获得生长料；　（４）采用提拉法、使用所获得的生长料生长Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾繁明，张山丽，刘景和，张莹，秦杰明，张学建，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]