一种有机材料熔点的测试方法技术

本发明专利技术提供了一种有机材料熔点的测试方法，包括如下步骤：将待测的有机材料试样从室温匀速升温至第一温度T

【技术实现步骤摘要】
一种有机材料熔点的测试方法


[0001]本专利技术涉及材料测试
，具体涉及一种有机材料熔点的测试方法。

技术介绍

[0002]OLED有机材料在生产使用过程中，常常需要制定合适的品质管控项目及指标，来保证生产品质的稳定。熔点是衡量材料的品质的关键指标之一，因此在OLED量产材料入料质检项目中必不可少。通常大多材料的熔点只有一个，检测该材料的方法开发及标准制定都相对比较容易，但是对于一些对温度敏感的材料，特别是其在进行升华处理这个过程中，生产温度的微小波动，便会影响材料的晶型类型，材料晶型的多样而这常常会使材料进行熔点测试时出现双熔点峰现象，而双熔点峰受制程温度波动的影响，峰型忽大忽小，甚至有时只出现一个峰，这种现象严重影响了材料的熔点检测，导致该类材料的熔点标准无法合理制定。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供一种有机材料熔点的测试方法，将双熔点峰有机材料转化为单熔点峰的有机材料来测定有机材料的熔点，提高双熔点峰有机材料熔点值测试的准确性，有助于为双熔点峰有机材料熔点制定合理标准。
[0004]本专利技术实施例提供一种有机材料熔点测试方法，包括如下步骤：
[0005]将待测的有机材料试样从室温匀速升温至第一温度T
x1
；
[0006]保温第一时间；
[0007]匀速降温至室温；
[0008]在室温下保温第二时间；
[0009]从室温开始升温至第二温度T
x2
；
[0010]获取待测有机材料试样的熔点值。
[0011]在一些实施例中，所述将待测的有机材料试样从室温匀速升温至T
x
之前，还包括步骤：
[0012]获取所述待测的有机材料试样的参考熔点温度范围。
[0013]在一些实施例中，所述有机材料的参考熔点温度范围包括第一熔点T
m1
和第二熔点T
m2
，且满足T
m1
＜T
m2
。
[0014]在一些实施例中，所述第一温度T
x1
满足T
m1
‑
30℃≤T
x1
≤T
m2
+30℃。
[0015]在一些实施例中，所述第一温度T
x1
小于所述待测的有机材料的裂解点温度。
[0016]在一些实施例中，所述第二温度T
x2
高于所述第二熔点T
m2
的温度范围为20℃～60℃。
[0017]在一些实施例中，所述从室温开始升温至第二温度T
x2
后，所述待测的有机材料包括一个熔点峰，所述熔点峰对应的温度值即为所述待测材料的熔点值。
[0018]在一些实施例中，所述获取待测有机材料的熔点还包括如下步骤：
[0019]计算待测样品测得的有机材料的熔点的平均值，所述平均值即为所述有机材料的熔点。
[0020]在一些实施例中，所述第一时间为10min～60min，所述第二时间为10min～20min。
[0021]在一些实施例中，采用差示扫描量热仪执行所述有机材料熔点测试方法的步骤。
[0022]本专利技术所提供的有机材料熔点的测试方法具有如下优点：
[0023]本专利技术提供了一种测试有机材料熔点的方法，将有机材料的双熔点峰转化为单熔点峰，根据单熔点峰得出有机材料的熔点值，所述方法操作简单，重复性好，可为有机材料熔点值制定合理标准。
附图说明
[0024]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
[0025]图1是本专利技术一实施例的有机材料熔点测试方法的示意图；
[0026]图2a和图2b是本专利技术一实施例的有机材料熔点测试的双熔点峰和单熔点峰的热流
‑
温度曲线图；
[0027]图3a至图3c是本专利技术一实施例的蓝色荧光材料熔点测试时的一次升温、二次升温和二次升温单熔点峰的热流率
‑
温度曲线图；
[0028]图4a至图4c是本专利技术一实施例的光提取材料熔点测试时的一次升温、二次升温和二次升温单熔点峰的热流率
‑
温度曲线图；
[0029]图5a至图5c是本专利技术一实施例的空穴传输材料熔点测试时的一次升温、二次升温和二次升温单熔点峰的热流率
‑
温度曲线图。
具体实施方式
[0030]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。说明书中的“或”、“或者”均可能表示“和”或者“或”。
[0031]如图1所示，本专利技术提供了一种有机材料熔点的测试方法，所述测试方法采用差示扫描量热仪(DSC，Differential Scanning Calorimerty)执行所述有机材料熔点测试方法的步骤，确保量产有机材料熔点标准的合理制定，得到准确性高的有机物的熔点值。如图1所示，所述有机材料熔点测试方法包括如下步骤：
[0032]S100:将待测的有机材料试样从室温匀速升温至第一温度T
x1
；具体地，在进行本步骤之前，首先取适量的待测有机材料试样，利用DSC设备获取所述待测的有机材料试样的参考熔点温度范围。图2a为一待测有机材料试样的DSC曲线，如图2a所示，所述待测的有机材料包括两个熔点峰，所述有机材料的参考熔点温度范围包括第一熔点T
m1
和第二熔点T
m2
，且满足T
m1
＜T
m2
。本专利技术目的在于将待测有机材料的双熔点峰转换为单熔点峰，以便于在物料检验时，得到待测材料准确的熔点值，为材料制定合理熔点检验标准，从而判断物料品质是否合格。所述第一温度T
x1
满足T
m1
‑
30℃≤T
x1
≤T
m2
+30℃，且所述第一温度T
x1
小于所述待测
的有机材料的裂解点温度，防止材料结构发生变化，发生裂解或聚合导致多样晶型的出现从而影响材料的熔点值检测。
[0033]S200:保温第一时间；具体地，当第一次升温至第一温度T
x1
时，需进行一定时间保温，本步骤在于消除材料的热历史，材料的热历史不同会导致材料有多种晶型状态，表现在DSC曲线时会出现多个熔点峰，从而影响待测材料的熔点值的获得，因此获得材料的单一熔点峰需要消除材料的热历史。
[0034]S300:匀速降温至室温；
[0035]S400:在室温下保温第二时间；
[0036]S500:从室温开始升温至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机材料熔点测试方法，其特征在于，包括如下步骤：将待测的有机材料试样从室温匀速升温至第一温度T
x1
；保温第一时间；匀速降温至室温；在室温下保温第二时间；从室温开始升温至第二温度T
x2
；获取待测有机材料试样的熔点值。2.根据权利要求1所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述将待测的有机材料试样从室温匀速升温至T
x
之前，还包括步骤：获取所述待测的有机材料试样的参考熔点温度范围。3.根据权利要求2所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述有机材料的参考熔点温度范围包括第一熔点T
m1
和第二熔点T
m2
，且满足T
m1
＜T
m2
。4.根据权利要求1所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述第一温度T
x1
满足T
m1
‑
30℃≤T
x1
≤T
m2
+3...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡萌萌，黄雪明，蒋瑞，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：