一种同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法及改性硅纳米颗粒技术

本发明专利技术属于无机半导体材料领域，具体涉及一种同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法及改性硅纳米颗粒。所述同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法为：将所述硅纳米颗粒高温煅烧即可。本发明专利技术所述同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法，能够在空气气氛、常压下进行直接高温煅烧，工艺简单易控，有利于规模化产出。并且改性后硅纳米颗粒的非晶氧化膜厚度可控，能够按需进一步调控其强度和塑性，经测试及计算，塑性最大提升约5倍，强度提升约2倍，改性效果极佳。佳。佳。

【技术实现步骤摘要】
一种同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法及改性硅纳米颗粒


[0001]本专利技术属于无机半导体材料领域，具体涉及一种同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法及改性硅纳米颗粒。

技术介绍

[0002]单晶硅作为应用最广、最具代表性的半导体材料及面向国家重大需求的关键基础材料，正在越来越小的尺度上发挥着不可替代的作用，用于芯片、集成电路、微纳机电系统，以及电池等诸多领域。例如硅由于比容量高、储量丰富、成本低廉等优点，是最具有应用前景的高性能锂离子电池负极材料。传统的锂离子电池负极一般都是使用碳材料，比容量较低(372mAh/g)，限制了电池比容量的提高，无法满足日益增加的对高容量电池的需求，并且碳材料有着诸多问题，例如充放电容量低、充放电性能较差、在电解质中的稳定性较差。而硅由于具有巨大的储锂容量(理论比容量4200mAh/g)而受到广泛的关注，尤其是当硅的特征尺寸小到纳米尺度的时候，其作为锂离子电极在充放电过程中的体积变化会大大减轻，性能也会有所提高，能够获得优良的电学和光学性能。此外，纳米硅材料在集成电路、微/纳机电系统、光电子器件及纳米限域效应等方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法，其特征在于，所述方法为：将所述硅纳米颗粒高温煅烧即可。2.根据权利要求1所述同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法，其特征在于，所述硅纳米颗粒的粒度为100～600nm。3.根据权利要求1所述同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法，其特征在于，所述高温煅烧的温度为650～1000℃。4.根据权利要求1所述同时提升硅纳米颗粒强度和塑性的方法，其特征在于，所述高温煅烧的时间为0.5～10h。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王悦存，徐伟，万筱璇，郑少川，左铃玲，单智伟，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：