一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法技术

本发明专利技术具体公开了一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法：在含有铜、铟、硒离子或铜、铟、镓、硒离子的电解质溶液中，采用钟形波调节的方波脉冲，在阴极基底上电沉积制得预制膜，然后将预制膜放在有固态硒源的真空、氮气或氩气气氛下在退火，最终生成铜铟硒或铜铟镓硒薄膜；其中脉冲电沉积的参数：脉冲频率为２６～４００ｋＨｚ，占空比为１～１００％，电沉积模式为脉冲恒电位或脉冲恒电流，脉冲电位范围为０．５～４Ｖ，脉冲电流范围为０．５～３ｍＡ，沉积时间为１０～１２０ｍｉｎ。本发明专利技术频率高，短脉冲极化强度大；本发明专利技术通过大范围调节频率使所需沉积的离子发生谐振，使离子有效沉积；本发明专利技术可以较小的沉积电流，实现标准电极电位较负的元素的沉积，而不会出现析氢等不良现象。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒薄膜的方法，其特征在于：在含有铜、铟、硒离子的电解质溶液中，采用钟形波调节的方波脉冲，在阴极基底上电沉积制得铜铟硒预制膜，然后将预制膜放在有固态硒源的真空、氮气或氩气气氛下在２５０～５００℃退火１０～６０ｍｉｎ，最终生成铜铟硒薄膜；其中脉冲电沉积的参数：脉冲频率为２６～４００ｋＨｚ，占空比为１～１００％，电沉积模式为脉冲恒电位或脉冲恒电流，脉冲电位范围为０．５～４Ｖ，脉冲电流范围为０．５～３ｍＡ，沉积时间为１０～１２０ｍｉｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜祖亮，王晓丽，王广君，万绍明，张兴堂，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]