一种高纯度、低放射性球形硅微粉及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯度、低放射性球形硅微粉，该硅微粉中ＳｉＯ↓［２］含量不低于９９．９０％，放射性元素Ｕ含量≤１×１０↑［－９］ｇ／ｇ，球形化率为９０～１００％，非晶率为９９～１００％。该硅微粉的制备方法是：用放射性元素Ｕ含量≤１×１０↑［－９］ｇ／ｇ的硅源制备纯度不低于９９．９０％且其中任一杂质离子含量均≤５×１０↑［－６］ｇ／ｇ的稳定硅溶胶；对硅溶胶进行浓缩，使其固含量为４１～７０％；将浓缩后的硅溶胶造粒，使其粒径为０．５～６０μｍ；将造粒得到的氧化硅微粉于５００～１１００℃焙烧，然后在火焰燃烧器和球形化炉中进行球形化处理，冷却后分级、收集即可得到。本发明专利技术的球形硅微粉满足大规模集成电路对封装填料的要求，且本发明专利技术工艺简单、成本低，所需设备简单，适用于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高纯度、低放射性球形硅微粉，其特征在于：该硅微粉中ＳｉＯ↓［２］含量不低于９９．９０％，放射性元素Ｕ含量≤１×１０↑［－９］ｇ／ｇ，球形化率为９０～１００％，非晶率为９９～１００％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：靳洪允，侯书恩，许亮，刘娟，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]