层叠体的制造方法、电路配线基板的制造方法、转印膜技术

本发明专利技术的课题在于提供一种能够抑制曝光后的感光性层与光掩模的过度粘接，并且由感光性层形成的图案的分辨率也优异的、层叠体的制造方法。本发明专利技术的层叠体的制造方法具有：以具有临时支承体、中间层及感光性层的转印膜的上述感光性层的与上述中间层侧相反一侧的表面与基板接触的方式，将上述转印膜与上述基板贴合的工序；在上述临时支承体与上述中间层之间，剥离上述临时支承体的工序；使暴露的上述中间层与掩模接触而实施曝光处理，进一步在曝光后实施显影处理而形成图案的工序，上述中间层的上述临时支承体侧的表面的表面自由能为68.0mJ/m2以下。以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠体的制造方法、电路配线基板的制造方法、转印膜


[0001]本专利技术涉及一种层叠体的制造方法、电路配线基板的制造方法及转印膜。

技术介绍

[0002]由于用于获得规定的图案的工序数少，因此使用转印膜的图案形成方法被广泛地使用。具体而言，有如下方法，通过使用转印膜而在任意的基板上配置感光性层，并且隔着掩模对该感光性层进行曝光之后显影而形成图案。
[0003]例如，在专利文献1中，公开了“一种曝光到感光性组合物层的方法，其特征为，在单面或两面具有金属导体层的金属被覆绝缘板的被金属被覆的面上层合具有支承体(A)、厚度为1～35μm的负型感光性组合物层(B)及保护层(C)的感光性树脂层叠体，以使负型感光性组合物层(B)和该金属被覆绝缘板的金属被覆面密合，在透射光掩模而曝光紫外线时，在曝光之前剥离支承体，并且使光掩模的像透射透镜而投影。”。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第4477077号

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术课题
[0008]本专利技术人参考专利文献1中所记载的曝光方法，对在曝光之前剥离支承体(临时支承体)并将光掩模接触于通过剥离而暴露的感光性组合物层(感光性层)而进行曝光的曝光方法进行研究的结果，发现在曝光后剥离光掩模时，有时感光性层和光掩模过度粘接而不易剥离。若曝光后的感光性层与光掩模的剥离性差，则可能发生诸如由难以剥离而引起的操作性的降低及由感光性层形成材料的附着引起的掩模污染等问题。因此，发现需要抑制曝光后的感光性层和光掩模过度粘接。
[0009]另一方面，为了抑制感光性层和光掩模的过度粘接而在不剥离临时支承体，并且将光掩模接触于临时支承体而实施曝光的情况下，由于临时支承体的存在而曝光光源远离感光性层，因此可能发生如下问题：在相当于图案的凹部的区域(例如，在负型感光性层的情况下，相当于非曝光部的区域)不易形成残渣得到抑制的微细的图案(换言之，分辨率容易变差)。因此，在抑制曝光后的感光性层和光掩模过度粘接的方法的研究中，需要能够确保优异的分辨率。
[0010]因此，本专利技术的课题为提供一种能够抑制曝光后的感光性层和光掩模的过度粘接，并且由感光性层形成的图案的分辨率也优异的、层叠体的制造方法。
[0011]并且，本专利技术的课题还在于提供一种电路配线基板的制造方法。
[0012]并且，本专利技术的课题还在于提供一种适用于在剥离临时支承体之后进行曝光的曝光方法的转印膜，该转印膜能够抑制曝光后的感光性层和光掩模的过度粘接，并且分辨率也优异。
[0013]用于解决技术课题的手段
[0014]本专利技术人等发现通过以下构成能够解决上述课题。
[0015]〔1〕一种层叠体的制造方法，其具有：
[0016]以具有临时支承体、中间层及感光性层的转印膜的上述感光性层的与上述中间层侧相反一侧的表面与基板接触的方式，将上述转印膜与上述基板贴合的工序；
[0017]在上述临时支承体与上述中间层之间，剥离上述临时支承体的工序；
[0018]使暴露的上述中间层与掩模接触而实施曝光处理，进一步在曝光后实施显影处理而形成图案的工序，
[0019]上述中间层的上述临时支承体侧的表面的表面自由能为68.0mJ/m2以下。
[0020]〔2〕根据〔1〕所述的层叠体的制造方法，其中，
[0021]上述中间层的上述临时支承体侧的表面的算术平均粗糙度Ra为50nm以下。
[0022]〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的层叠体的制造方法，其中，
[0023]上述临时支承体的上述中间层侧的表面自由能为25.0～50.0mJ/m2。
[0024]〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
[0025]上述中间层包含聚乙烯醇。
[0026]〔5〕根据〔4〕所述的层叠体的制造方法，其中，
[0027]上述聚乙烯醇的含量相对于上述中间层的总质量为5～95质量％。
[0028]〔6〕根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
[0029]上述中间层还包含聚乙烯吡咯烷酮。
[0030]〔7〕根据〔1〕至〔6〕中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
[0031]上述中间层还包含选自水溶性纤维素衍生物、聚醚类、苯酚衍生物及甘油中的1种以上的化合物X。
[0032]〔8〕根据〔7〕所述的层叠体的制造方法，其中，
[0033]上述化合物X的含量相对于上述中间层的总质量为0.1质量％以上且小于30质量％。
[0034]〔9〕根据〔7〕或〔8〕所述的层叠体的制造方法，其中，
[0035]上述化合物X包含羟丙基甲基纤维素。
[0036]〔10〕根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
[0037]上述中间层的厚度为3.0μm以下。
[0038]〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，
[0039]上述感光性层的厚度为2.0～20μm。
[0040]〔12〕一种电路配线基板的制造方法，其包含〔1〕至〔11〕的任一项所述的层叠体的制造方法，该电路配线基板的制造方法具有：
[0041]在基板上形成种子层而形成带有种子层的基板的工序；
[0042]以具有临时支承体、中间层及感光性层的转印膜的上述感光性层的与上述中间层侧相反一侧的表面与上述带有种子层的基板接触的方式，将上述转印膜与上述带有种子层的基板贴合以获得依次具有上述基板、上述种子层、上述感光性层、上述中间层及上述临时支承体的带有感光性层的基板的工序；
[0043]在上述临时支承体与上述中间层之间，剥离上述临时支承体的工序；
[0044]使暴露的上述中间层与掩模接触而实施曝光处理，进一步在曝光后实施显影处理而形成图案的工序；
[0045]在存在于未配置上述图案的区域的上述种子层上，通过镀覆处理而形成金属镀层的工序；
[0046]在上述金属镀层上形成保护层的工序；
[0047]去除上述图案的工序；及
[0048]去除暴露的上述种子层而获得导电性细线的工序，
[0049]上述中间层的上述临时支承体侧的表面的表面自由能为68.0mJ/m2以下。
[0050]〔13〕一种转印膜，其为具有临时支承体、中间层及感光性层，
[0051]上述中间层的上述临时支承体侧的表面的表面自由能为68.0mJ/m2以下，
[0052]上述中间层的上述临时支承体侧的表面的算术平均粗糙度Ra为50nm以下。
[0053]〔14〕根据〔13〕所述的转印膜，其中，
[0054]上述临时支承体的中间层侧的表面自由能为25.0～50.0mJ/m2。
[0055]〔15〕根据〔13〕或〔14〕所述的转印膜，其中，
[0056]上述中间层包含聚乙烯醇。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠体的制造方法，其具有：以具有临时支承体、中间层及感光性层的转印膜的所述感光性层的与所述中间层侧相反一侧的表面与基板接触的方式，将所述转印膜与所述基板贴合的工序；在所述临时支承体与所述中间层之间，剥离所述临时支承体的工序；及使暴露的所述中间层与掩模接触而实施曝光处理，进一步在曝光后实施显影处理而形成图案的工序，所述中间层的所述临时支承体侧的表面的表面自由能为68.0mJ/m2以下。2.根据权利要求1所述的层叠体的制造方法，其中，所述中间层的所述临时支承体侧的表面的算术平均粗糙度Ra为50nm以下。3.根据权利要求1或2所述的层叠体的制造方法，其中，所述临时支承体的所述中间层侧的表面自由能为25.0mJ/m2～50.0mJ/m2。4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述中间层包含聚乙烯醇。5.根据权利要求4所述的层叠体的制造方法，其中，所述聚乙烯醇的含量相对于所述中间层的总质量为5质量％～95质量％。6.根据权利要求1至5中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述中间层还包含聚乙烯吡咯烷酮。7.根据权利要求1至6中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述中间层还包含选自水溶性纤维素衍生物、聚醚类、苯酚衍生物及甘油中的1种以上的化合物X。8.根据权利要求7所述的层叠体的制造方法，其中，所述化合物X的含量相对于所述中间层的总质量为0.1质量％以上且小于30质量％。9.根据权利要求7或8所述的层叠体的制造方法，其中，所述化合物X包含羟丙基甲基纤维素。10.根据权利要求1至9中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述中间层的厚度为3.0μm以下。11.根据权利要求1至10中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述感光性层的厚度为2.0μm～20μm。12.一种电路配线基板的制造方法，其包含权利要求1至11中任一项所述的层叠体的制造方法，该电路配线基板的制造方法具有：在基板上形成种子层而形成带有种子层的基板的工序；以具有临时支承体、中间层及感光性层的转印膜的所述感光性层的与所述中间层侧相...

【专利技术属性】
技术研发人员：鬼塚悠，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：