本发明专利技术提供了一种免疫共培养的类器官芯片模型，包括下层培养板，下层培养板的顶部设置有上层培养板，上层培养板和下层培养板之间设置有穿孔薄膜；本发明专利技术对上层培养板和下层培养板的结构进行改进，除了设置传统的上层培养基入口座和下层培养基入口座之外，还设置有斜向导流通道和辅助灌流端口，向上层培养板和下层培养板内部的培养基灌流室内部注入培养基时，不但可通过培养基入口座内部的主导流通道和主灌流端口进灌流，还可通过设置的斜向导流通道和辅助灌流端口进行辅助灌流，这样可大大提高培养基灌流的效率，同时也提高灌流的均匀性，上层培养板和下层培养板的边侧设置有侧槽口和压紧台，防止穿孔薄膜跑偏。防止穿孔薄膜跑偏。防止穿孔薄膜跑偏。
【技术实现步骤摘要】
一种免疫共培养的类器官芯片模型
[0001]本专利技术属于器官芯片
，涉及一种免疫共培养的类器官芯片模型。
技术介绍
[0002]一款新药的诞生，需要历经选择药物作用靶点、确定先导化合物、选定候选药物、在动物上开展安全性和有效性评估、在人体上进行临床试验等一系列过程，我们现在药物研发主要基于分子、细胞、动物而得出的，要经过动物到人这个过程，而不能直接在人体上进行试验，因为会涉及到药物毒性、有效性问题，但是动物模型跟人，还是相差很远，因此，非常需要一个可以接近人体的疾病模型，以此来降低新药研发成本和缩短研发时间，类器官的应用可以大大提高药物的研发效率，类器官是利用干细胞的自我更新和分化能力，在体外培养形成的一种微小组织器官类似物，在很大程度上具有体内相应器官的功能，类器官弥补了传统研究中细胞简单模型与动物复杂模型的不足，为生命体关键功能研究提供了重要实验基础，已成为当前研究热点，并在疾病机理研究，药物筛选，再生医学，生物材料评价等方面具有重大理论意义和应用前景。
[0003]类器官芯片是将“类器官”和“器官芯片”两种生命科学和工程学领域前沿技术相结合，所缔造的次世代高通量、高仿生体外模型构建平台，在新药研发、疾病建模和个体化精准医疗等领域具有广泛应用，含有某个器官特有的多种细胞类型，与人类器官拥有高度相似的组织学和基因型特征，并部分重现该器官的特有生理功能。
[0004]现有的类器官芯片模型结构，其在上下培养板的边侧仅仅设置一组培养基的入口池和入口通道，这样在进行培养灌流时，其灌流的效率就受到限制，且灌流的均匀性也较差，同时在培养基灌流完成回后，放置穿孔薄膜时，也没有对穿孔薄膜进行压紧的限位装置，仅仅通过上下培养板进行挤压固定，长时间培养下，内部的穿孔薄膜容易跑偏，需要进行改进。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种免疫共培养的类器官芯片模型，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：
[0007]一种免疫共培养的类器官芯片模型，包括下层培养板、上层培养板、穿孔薄膜、下层培养基入口座、上层培养基入口座、下层培养基灌流室和上层培养基灌流室，其特征在于，所述下层培养板的顶部设置有上层培养板，且所述上层培养板和下层培养板之间设置有穿孔薄膜，所述下层培养板的边侧固定设置有下层培养基入口座，所述下层培养板的内部开设有下层培养基灌流室，所述下层培养板的边侧开设有与下层培养基入口座连通的下层斜向导流通道，且所述下层斜向导流通道的一端固定连接有与下层培养基灌流室连通的下层辅助灌流端口，所述下层培养基灌流室的内部开设有下层废液池，所述下层废液池的两侧均连通有下层废液通道，所述下层废液池和下层废液通道的顶部设置有下层隔离膜，
所述上层培养板的内部开设有上层培养基灌流室，所述上层培养基灌流室的两侧开设有压紧台，所述下层培养基灌流室的两侧开设有与压紧台配合的侧槽口。
[0008]在上述的一种免疫共培养的类器官芯片模型中，所述下层培养基入口座的内部开设有下层培养基主导流通道，且所述下层培养基主导流通道与下层培养基入口座一端的下层主灌流端口连通，所述下层主灌流端口与下层培养基灌流室连通。
[0009]在上述的一种免疫共培养的类器官芯片模型中，所述上层培养板的边侧固定设置有上层培养基入口座，所述上层培养板的内部开设有上层培养基灌流室，所述上层培养板的边侧开设有与上层培养基入口座连通的上层斜向导流通道，且所述上层斜向导流通道的一端固定连接有与上层培养基灌流室连通的上层辅助灌流端口。
[0010]在上述的一种免疫共培养的类器官芯片模型中，所述上层培养基入口座的内部开设有上层培养基主导流通道，且所述上层培养基主导流通道与上层培养基入口座一端的上层主灌流端口连通，所述上层主灌流端口与上层培养基灌流室连通。
[0011]在上述的一种免疫共培养的类器官芯片模型中，所述下层培养基入口座的一端设置有下层入口池，所述上层培养基入口座的一端设置有上层入口池。
[0012]在上述的一种免疫共培养的类器官芯片模型中，所述上层培养基灌流室的内部设置有凸台面，所述凸台面的中部开设有上层废液池，所述上层废液池的两侧均连通有上层废液通道，所述上层废液池和上层废液通道的顶部设置有上层隔离膜。
[0013]在上述的一种免疫共培养的类器官芯片模型中，所述侧槽口的内部两侧设置有两个对称的限位柱，所述压紧台的顶端两侧设置有两个对称的压紧套环，且所述压紧套环与限位柱套接。
[0014]与现有技术相比，本专利技术一种免疫共培养的类器官芯片模型的优点为：
[0015]本申请对上层培养板和下层培养板的结构进行改进，除了设置传统的上层培养基入口座和下层培养基入口座之外，还设置有斜向导流通道和辅助灌流端口，向上层培养板和下层培养板内部的培养基灌流室内部注入培养基时，不但可通过培养基入口座内部的主导流通道和主灌流端口进灌流，还可通过设置的斜向导流通道和辅助灌流端口进行辅助灌流，这样可大大提高培养基灌流的效率，同时也提高灌流的均匀性，在本申请的上层培养板和下层培养板的边侧设置有侧槽口和压紧台，当放置穿孔薄膜时，可将穿孔薄膜的两端套在限位柱，然后通过压紧台和压紧台上设置的压紧套环进行压紧，进而防止穿孔薄膜跑偏。
附图说明
[0016]图1是本专利技术一种免疫共培养的类器官芯片模型的结构示意图。
[0017]图2是本专利技术一种免疫共培养的类器官芯片模型的下层培养板结构示意图。
[0018]图3是本专利技术一种免疫共培养的类器官芯片模型的上层培养板结构示意图。
[0019]图中，1、下层培养板；2、上层培养板；3、穿孔薄膜；4、下层培养基入口座；5、上层培养基入口座；6、侧槽口；7、限位柱；8、下层入口池；9、下层斜向导流通道；10、下层辅助灌流端口；11、下层培养基灌流室；12、下层废液池；13、下层废液通道；14、下层隔离膜；15、导流座；16、上层培养基灌流室；17、凸台面；18、压紧台；19、压紧套环；20、上层斜向导流通道；21、上层辅助灌流端口；22、上层废液池；23、上层废液通道；24、上层隔离膜；25、上层入口池。
具体实施方式
[0020]以下是本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并不限于这些实施例。
[0021]一种免疫共培养的类器官芯片模型，包括下层培养板1、上层培养板2、穿孔薄膜3、下层培养基入口座4、上层培养基入口座5、下层培养基灌流室11和上层培养基灌流室16，下层培养板1的顶部设置有上层培养板2，且上层培养板2和下层培养板1之间设置有穿孔薄膜3，下层培养板1的边侧固定设置有下层培养基入口座4，下层培养板1的内部开设有下层培养基灌流室11，下层培养板1的边侧开设有与下层培养基入口座4连通的下层斜向导流通道9，且下层斜向导流通道9的一端固定连接有与下层培养基灌流室11连通的下层辅助灌流端口10，下层培养基灌流室11的内部开设有下层废液池12，下层废液池12的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种免疫共培养的类器官芯片模型，包括下层培养板(1)、上层培养板(2)、穿孔薄膜(3)、下层培养基入口座(4)、上层培养基入口座(5)、下层培养基灌流室(11)和上层培养基灌流室(16)，其特征在于，所述下层培养板(1)的顶部设置有上层培养板(2)，且所述上层培养板(2)和下层培养板(1)之间设置有穿孔薄膜(3)，所述下层培养板(1)的边侧固定设置有下层培养基入口座(4)，所述下层培养板(1)的内部开设有下层培养基灌流室(11)，所述下层培养板(1)的边侧开设有与下层培养基入口座(4)连通的下层斜向导流通道(9)，且所述下层斜向导流通道(9)的一端固定连接有与下层培养基灌流室(11)连通的下层辅助灌流端口(10)，所述下层培养基灌流室(11)的内部开设有下层废液池(12)，所述下层废液池(12)的两侧均连通有下层废液通道(13)，所述下层废液池(12)和下层废液通道(13)的顶部设置有下层隔离膜(14)，所述上层培养板(2)的内部开设有上层培养基灌流室(16)，所述上层培养基灌流室(16)的两侧开设有压紧台(18)，所述下层培养基灌流室(11)的两侧开设有与压紧台(18)配合的侧槽口(6)。2.根据权利要求1所述的一种免疫共培养的类器官芯片模型，其特征在于，所述下层培养基入口座(4)的内部开设有下层培养基主导流通道，且所述下层培养基主导流通道与下层培养基入口座(4)一端的下层主灌流端口连通，所述下层主灌流端口与下层培养基灌流室(11)连通。3.根据权利要求1所述的一种免疫共培养的类器官芯片模型，其特征在于，所述上层培养板(2)的边侧固定设置有上...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙涛，
申请(专利权)人：零壹人工智能科技研究院南京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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