一种万寿菊的栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种万寿菊的栽培方法，所述方法包括以下步骤：将万寿菊种子播种于栽培基质中，于26

【技术实现步骤摘要】
erecta)品种。
[0019]在本专利技术的一些实施方式中，所述发芽的时间为3
‑
7d。
[0020]在本专利技术的一些实施方式中，所述杀菌剂包括多菌灵、苯醚甲环唑、嘧菌酯悬浮剂、霜霉威粉剂和异菌脲粉剂中的至少一种。
[0021]在本专利技术的一些实施方式中，所述杀菌剂的喷洒时间为6
‑
8d一次。
[0022]在本专利技术的一些实施方式中，所述多菌灵稀释500倍后进行喷洒。喷洒的量按多菌灵的具体说明进行。
[0023]在本专利技术的一些实施方式中，所述多菌灵苯醚甲环唑稀释1000倍后进行喷洒。喷洒的量按多菌灵的具体说明进行。
[0024]在本专利技术的一些实施方式中，还包括在万寿菊植株现蕾后喷施复合肥的步骤。
[0025]在本专利技术的一些实施方式中，所述复合肥为含有氮磷钾的复合肥。
[0026]在本专利技术的一些实施方式中，所述复合肥包括花多多1号肥。
[0027]在本专利技术的一些实施方式中，所述花多多1号肥稀释1000倍使用，喷洒的量按花多多1号肥的具体说明进行。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种万寿菊的栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将万寿菊种子播种于栽培基质中，于26
‑
30℃，10
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14h光照条件下进行培养，使其发芽；(2)在万寿菊种子发芽后，喷施杀菌剂，将发芽的万寿菊的浇水控制在第一对真叶长出后，待基质干燥，植株发生萎蔫现象后再浇水，在万寿菊植株第一个花序完全打开后，使水肥条件以维持植株生长为主，即得矮化后的万寿菊。2.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述栽培基质的制备方法包括以下步骤：在育苗基质中加入多菌灵，即得；优选地，所述育苗基质包括泥炭土和珍珠岩；更优选地，所述泥炭土和珍珠岩的添加质量比为(1～3):1；优选地，所述多菌灵的添加量为4～6g/L。3.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述万寿菊种子种植于栽培基质中的步骤包括：将万寿菊种子尖端朝下，冠毛端向上笔直整粒插入栽培基质，浇水后覆盖栽培基质于万寿菊种子表面。4.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述发芽的时间为3
‑
7d。5.根据权利要求1所述的栽培方法，其特征在于，所述杀菌剂包括多菌灵...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永奇，陶正国，臧运平，崔海滨，邓书林，杨玲，
申请(专利权)人：中国科学院华南植物园，
类型：发明
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