【技术实现步骤摘要】
一种EMI改善电路
[0001]本技术涉及抑制电路,具体的说是涉及一种EMI改善电路。
技术介绍
[0002]电磁干扰(Electromagnetic Interference简称EMI),是指电磁波与电子元件作用后而产生的干扰现象,有传导干扰和辐射干扰两种。传导干扰是指通过导电介质把一个电网络上的信号耦合(干扰)到另一个电网络。辐射干扰是指干扰源通过空间把其信号耦合(干扰)到另一个电网络,
[0003]目前有很多民用的产品,对EMI电路的要求非常严格,在电源的设计上,增加了非常多的成本去控制一致性和提高余量,并对变压器的生产工艺要求非常高。
[0004]AC
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DC电源一般都会存在电磁辐射污染,在设计中会使用共模电感和差模电感进行有效的抑制,共模电感抑制共模干扰,差模电感抑制差模干扰,但这种电路功能相对单一,共模电感和差模电感不能同时共存。
技术实现思路
[0005]针对现有技术中的不足,本技术要解决的技术问题在于提供了一种EMI改善电路,设计该EMI改善电路的目的是共模电感同时有抑制效果,也有差模的抑制效果。
[0006]为解决上述技术问题,本技术通过以下方案来实现:本技术的一种EMI改善电路,包括:
[0007]抑制电路,接入电源;
[0008]整流滤波电路,与所述抑制电路的输出端连接,该整流滤波电路把交流改成直流存储能量,所述整流滤波电路连接有L1贴片电感器、与L1贴片电感器连接的电容C7,所述L1贴片电感器与电容C7串联后的两端分别接至第 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种EMI改善电路,其特征在于,包括:抑制电路,接入电源;整流滤波电路,与所述抑制电路的输出端连接,该整流滤波电路把交流改成直流存储能量,所述整流滤波电路连接有L1贴片电感器、与L1贴片电感器连接的电容C7,所述L1贴片电感器与电容C7串联后的两端分别接至第一电感器LF1的第一线圈的2脚、第一电感器LF1的第二线圈的3脚,或所述L1贴片电感器与电容C7串联后的两端分别接至第一电感器LF1的第一线圈的1脚、第一电感器LF1的第二线圈的4脚;PWM控制电路,与所述整流滤波电路连接,其用于控制开关管的开关,以使变压器可以进行能量转换;变压器,初级线圈与所述整流滤波电路连接,用于变压;输出整流电路,与所述变压器的次级线圈连接,用于控制输出电压和RE抑制;反馈电路,与所述输出整流电路连接,用于控制输出电压范围。2.根据权利要求1所述的一种EMI改善电路,其特征在于,所述抑制电路包括热敏电阻RT1、电阻R2、电阻R8、电阻R7、电阻R46以及电容CX1,所述热敏电阻RT1的一端接入N线,所述电阻R2、电阻R8串联,所述电阻R2的一端、电阻R7的一端接入保险丝F1的电流输出端,其另一端分别串联所述电阻R8、电阻R46,所述电阻R2、电阻R8之间的电路节点和所述电阻R7、电阻R46之间的电路节点相连,所述电容CX1和串联的电阻R7、电阻R46形成并联结构,所述保险丝F1的电流输出端和N线之间还接有压敏电阻MOV1,所述保险丝F1的电流输入端接入L线。3.根据权利要求2所述的一种EMI改善电路,其特征在于,所述整流滤波电路包括桥式整流电路BD1、有极性电容EC1、第一电感器LF1、电容C7、有极性电容EC2、电容C2、电容C1、L1贴片电感器、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R10、电阻R11、电阻R12以及二极管D2;所述桥式整流电路BD1的两个AC端分别连接所述电容CX1的两端,其正极接至有极性电容EC1的正极、所述第一电感器LF1的1脚,其负极接至有极性电容EC1的负极、所述第一电感器LF1的3脚以及L1贴片电感器的一端;所述第一电感器LF1的2脚分别连接至电容C7的一端、有极性电容EC2的正极、电阻R3的一端、电阻R4的一端、电阻R5的一端、电容C1的一端以及变压器初级线圈T1A的1脚,所述电容C7的另一端连接所述L1贴片电感器的另一端;所述第一电感器LF1的4脚接地并分别连接至有极性电容EC2的负极、电容C2的另一端;所述电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容C1并联形成第一并联电路,所述电阻R10、电阻R11、电阻R12并联后形成第二并联电路,所述第一并联电路和第二并联电路连接,所述第二并联电路的另一端接至所述二极管D2的负极,所述二极管D2的正极接至变压器初级线圈T1A的3脚。4.根据权利要求3所述的一种EMI改善电路,其特征在于,所述第一电感器LF1的2脚还连接有电容CY1的一端,所述电容CY1的另一端连接电容CY2的一端,所述电容CY2的另一端接地。5.根据权利要求3所述的一种EMI改善电路,其特征在于,所述PWM控制电路包括PWM芯片U3、电阻R18、电阻R21、电阻R22、电阻R28、电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、有极性电容EC5、电容C5、电容C13、电容C11、二极管D3、二极管D4以及光耦器受光端U2B;
所述PWM芯片U3的GND脚接地,其DRAIN脚和其N...
【专利技术属性】
技术研发人员:胥海东,杜戈阳,曾斌强,
申请(专利权)人:深圳创芯技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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