一种工业控制器的输出电路制造技术

本实用新型专利技术属于工业控制器技术领域，尤其涉及一种工业控制器的输出电路，包括第一MOS管，所述第一MOS管的漏极用于连接负载；还包括控制电源和电压泄放电路，所述电压泄放电路包括第一三极管和第一电阻，所述第一三极管的基极用于连接主控电路；所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一电阻的一端与所述控制电源连接，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接。本实用新型专利技术通过第一电阻和所述第一三极管把所述第一MOS管的栅极与所述第一三极管的发射极连接的GND迅速连起来，以提升所述第一MOS管的栅极电压泄放的速度，降低延迟进而减少输出到负载的波形的变形程度。延迟进而减少输出到负载的波形的变形程度。延迟进而减少输出到负载的波形的变形程度。

【技术实现步骤摘要】
一种工业控制器的输出电路


[0001]本技术属于工业控制器
，尤其涉及一种工业控制器的输出电路。

技术介绍

[0002]PLC，又称工业控制器，是一种具有微处理器的用于自动化控制的数字运算控制器，可以将控制指令随时载入内存进行储存与执行，可编程控制器由CPU、指令及数据内存、输入/输出接口、电源、数字模拟转换等功能单元组成。早期的可编程逻辑控制器只有逻辑控制的功能，所以被命名为可编程逻辑控制器。
[0003]现有技术中，工业控制器的输出电路一般如图1所示，需要导通MOS管Q11时，由CPU的控制输出脚输出0V至三极管D11，控制电源经电阻R21和三极管D11向MOS管Q11的栅极提供开启电压，以使MOS管Q11导通。
[0004]然而，此种结构存在弊端，具体为需要关断MOS管Q11时，CPU的控制输出脚输出脚关断0V，三极管D11停止向MOS管Q11的栅极提供电压，MOS管的删极上存有的电压通过电阻R12泄放到GND，由于泄放要时间，故导致MOS管Q11会延时断开，在输出高频率的信号时，MOS管Q11输出到负载的波形会变形，因而导致影响使用。
[0005]因此，目前工业控制器的输出电路中在需要关断连接至负载的MOS管时，存在因电路结构的局限性导致输出高频率的信号时存在延迟，进而导致输出到负载的波形变形的问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种工业控制器的输出电路，旨在解决现有技术中工业控制器的输出电路中在需要关断连接至负载的MOS管时，因电路结构的局限性导致输出高频率的信号存在延迟而使输出到负载的波形变形的技术问题。
[0007]为实现上述目的，本技术实施例提供一种工业控制器的输出电路，包括第一MOS管，所述第一MOS管的漏极用于连接负载；还包括控制电源和电压泄放电路，所述电压泄放电路包括第一三极管和第一电阻，所述第一三极管的基极用于连接主控电路；所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一电阻的一端与所述控制电源连接，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接。
[0008]所述第一三极管的集电极和发射极之间还连接一第三电阻。
[0009]可选地，所述第一三极管为NPN型三极管。
[0010]所述第一三极管为N沟道MOS管。
[0011]可选地，所述控制电源包括电压供电端和第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述电压供电端连接，所述第二电阻的第一端还与所述第一电阻连接；所述第二电阻的第二端与所述第一三极管的集电极连接。
[0012]可选地，所述第一MOS管为N沟道MOS管。
[0013]所述第一MOS管为NPN三级管或达林顿管。
[0014]可选地，所述主控电路包括CPU，所述CPU的输出脚与所述第一三极管的基极连接。
[0015]本技术实施例提供的工业控制器的输出电路中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一：
[0016]本技术所述工业控制器的输出电路在工作时，若需要导通所述第一MOS管时，通过所述主控电路输出0V至所述第一三极管基极，三极管关断，不继续短接MOS管栅极与GND，控制电压通过第二电阻向所述第一MOS管的栅极提供开启电压，此时，所述第一MOS管导通；当需要通过所述主控电路关断0V以关断所述第一MOS管时，通过第一电阻和所述第一三极管把所述第一MOS管的栅极与所述第一三极管的发射极连接的GND迅速连起来，以提升所述第一MOS管的栅极电压泄放的速度，降低延迟进而减少输出到负载的波形的变形程度。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例提供的工业控制器的输出电路、主控电路和负载连接的整体结构框图；
[0019]图2为本技术实施例提供的工业控制器的输出电路、主控电路和负载连接的电路原理图。
[0020]其中，图中各附图标记：
[0021]100、工业控制器的输出电路；200、控制电源；300、电压泄放电路。
具体实施方式
[0022]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术的实施例，而不能理解为对本技术的限制。
[0023]在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0025]在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以
是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
[0026]在本技术的一个实施例中，如图2所示，提供一种工业控制器的输出电路100，包括第一MOS管Q1，所述第一MOS管Q1的漏极用于连接负载。
[0027]所述工业控制器的输出电路100还包括控制电源200和电压泄放电路300，所述电压泄放电路300包括第一三极管D1和第一电阻R1，所述第一三极管D1的基极用于连接主控电路；所述第一三极管D1的集电极与所述控制电源200和所述第一MOS管Q1的栅极均连接；所述第一三极管D1的发射极接地。
[0028]本技术所述工业控制器的输出电路100在工作时，若需要导通所述第一MOS管Q1时，通过所述主控电路输出0V至所述第一三极管D1，三极管关断，不继续短接MOS管栅极与GND，控制电压通过第二电阻R2向所述第一MOS管Q1的栅极提供开启电压，此时，所述第一MOS管Q1导通；当需要通过所述主控电路关断0V以关断所述第一MOS管Q1时，通过第一电阻R1和所述第一三极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工业控制器的输出电路，包括第一MOS管，所述第一MOS管的漏极用于连接负载；其特征在于，还包括控制电源和电压泄放电路，所述电压泄放电路包括第一三极管和第一电阻，所述第一三极管的基极用于连接主控电路；所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一电阻的一端与所述控制电源连接，所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接。2.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路，其特征在于，所述第一三极管的集电极和发射极之间还连接一第三电阻。3.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管。4.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路，其特征在于，所述第一三极管为N沟道MOS管。5.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路，其特征在于，所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙安国，
申请(专利权)人：东莞市怡德电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：