【技术实现步骤摘要】
氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于材料科学
,具体涉及氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]氟氧钒表现出丰富的化学性质,与形成各种基本构建单元(BBU)的不同配位环境相关,即氟氧基V
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,其中钒的氧化态范围为+2至+5。众所周知,有机和无机还原剂都能有效地还原水溶液中的钒。例如,在V(IV)化合物的情况下,使用乙二醇、草酸、或溴离子作为还原剂,都可以在水热中合成碱金属氟氧钒酸盐。
[0003]过渡金属氟硫酸盐是由包含金属中心的多面体单元和四面体氧代多面体的连接而形成的无机材料,它具有各种潜在的和实际的应用价值,其中包括催化剂、离子交换器和气体储存/吸附介质,这些应用价值源于它们的结构和组成。因其特有的性质使得过渡金属氟硫酸盐在电池,光学和磁学领域备受人们的关注。就电池正极材料而言,已表明将氟化物包含在聚阴离子框架中可通过感应效应增加电池电势,从而增加电池容量,同 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体,其特征在于,所述氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体的结构为其中A为K,Rb,或Cs中一种,在室温下,氟化硫酸钒A2V(SO4)F3(A=K,Rb,Cs)晶体在正交晶系中结晶,中心对称空间群为Pbcn,包含由trans
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VF4O2八面体组成的一维柱状结构,且所有的氧顶点以μ2桥氧方式上下连接SO4四面体。2.根据权利要求1所述的氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体,其特征在于,当A为K时,所述氟化硫酸钒A2V(SO4)F3为K2V(SO4)F3,晶胞参数为,晶胞参数为当A为Rb时,所述氟化硫酸钒A2V(SO4)F3为Rb2V(SO4)F3,晶胞参数为当A为Rb时,所述氟化硫酸钒A2V(SO4)F3为Cs2V(SO4)F3,晶胞参数为,晶胞参数为3.基于权利要求2所述的氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体,其特征在于,当氟化硫酸钒A2V(SO4)F3为K2V(SO4)F3时,具体的制备方法为:步骤1,在2.00mmol、0.1659g VO2、1.50mmol、0.2374g K2SO3、0.20ml H2SO3、0.60ml(C2H2OH)2、0.20ml HF和0.20mL去离子水的混合物中生长;步骤2,将每个混合物装入带有特氟隆衬里的不锈钢高压釜(23ml)中,密封后,将高压釜置于220℃的烘箱中反应,然后缓慢冷却至室温;步骤3,对产物进行去离子水抽滤,再用无水乙醇清洗,回收得单晶。4.基于权利要求2所述的氟化硫酸钒A2V(SO4)F3晶体,其特征在于,所述所述氟化硫酸钒A2V(SO4)F3为Rb2V...
【专利技术属性】
技术研发人员:靳燕玲,黄青青,陈丹,李亚萍,朱文轩,吕敏峰,
申请(专利权)人:江苏科技大学,
类型:发明
国别省市:
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