一种化合物、其制备方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种化合物、其制备方法及应用。所述化合物的结构式如式I所示，多为三嗪类结构，是吸电子能力强的官能团，可以有效提高电子传输材料的电子迁移率。所述化合物能够用于制备有机电致发光器件，改善有机电致发光器件内部电子

【技术实现步骤摘要】
一种化合物、其制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种化合物、其制备方法及应用。

技术介绍

[0002]伴随着信息技术的快速发展，人们对信息显示系统的性能也提出了新的目标和要求，具有高亮度、高分辨率、宽视角和低能耗的显示器成为研究热点。有机电致发光(OLED)显示技术能够满足人们的上述需求，同时具有较宽的工作温度以及可实现柔性显示等特点。因此，继阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器(LCD)和等离子平板显示器(PDP)后成为了新一代平板显示的新宠儿，有机电致发光显示技术也被誉为具有梦幻般显示特征的平面显示技术。
[0003]为了提高有机电致发光元件的效率和稳定性，有机材料层通常包括具有不同材料的多层，例如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在上述有机发光元件中，当在阳极和阴极之间施加电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入有机材料层，产生的激子在迁移至基态时产生具有特定波长的光。其中，电子传输层作为有机电致发光元件中的关键组成成分，所用到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其结构式如下式I所示：其中，R1、R2或R3各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、羧基、硝基、羟基、氨基、磺酸基、磺酰基、磷酸基、磷酰基、硅基、硼烷基、取代或未取代的C1～C
30
的烷基、取代或未取代的C2～C
30
的烯基、取代或未取代的C2～C
30
的炔基、取代或未取代的C3～C
30
的环烷基、取代或未取代的C3～C
30
的杂环烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C3～C
20
的杂芳基、取代或未取代的C3～C
25
的杂芳基胺基、取代或未取代的C6～C
60
的芳基胺基、取代或未取代的C1～C
30
的烷氧基或取代或未取代的C6～C
60
的芳氧基；所述杂环烷基、杂芳基或杂芳基胺基中的杂原子选自O、N或S中的任意一种或多种；X、Y各自独立地选自C
‑
R4R5、
‑
N
‑
R6、
‑
O
‑
或
‑
S
‑
；R4或R5各自独立地选自H、取代或未取代的C1～C
30
的烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基或取代或未取代的C3～C
30
的杂芳基；R6选自取代或未取代的C1～C
30
的烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基或取代或未取代的C3～C
30
的杂芳基；所述杂芳基中的杂原子选自O、N或S中的任意一种或多种；或者X与R2或X与R1或Y与R3或Y与环B成C3～C
30
的取代或非取代的环或杂环；所述杂环的杂原子选自O、N或S中的任意一种或多种；m、n各自独立地选自0或1，且m和n不同时为0；L1、L2各自独立地选自连接键、取代或未取代的C6～C
30
的亚芳基或取代或未取代的C3～C
20
的亚杂芳基；所述亚杂芳基中的杂原子选自O、N或S中的任意一种或多种；环B选自取代或未取代的C3～C
30
的环烷基、取代或未取代的C3～C
30
的杂环烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C3～C
20
的杂芳基、取代或未取代的C3～C
25
的杂芳基胺基或取代或未取代的C6～C
60
的芳基胺基；所述杂环烷基、杂芳基或杂芳基胺基中的杂原子选自O、N或S中的任意一种或多种；Ar1、Ar2、Ar3或Ar4各自独立地选自取代或未取代的C1～C
30
的烷基、取代或未取代的C3～C
30
的环烷基、取代或未取代的C3～C
20
的杂环烷基、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C3～C
30
的杂芳基、取代或未取代的C3～C
15<...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓宇，王永光，汪康，张鹤，李东，李金磊，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：