一种记忆电机离线充去磁方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于记忆电机控制领域，公开一种记忆电机离线充去磁方法及装置，包括以下步骤：通过保持逆变器B相与C相的上桥臂关断、下桥臂导通，给定A相桥臂占空比，来控制电机A相绕组电流为正值，将电机转子d轴与定子A相绕组对齐；基于预设调磁状态设定调磁电流幅值确定调磁电流轨迹，利用PI控制器对A相电流进行闭环控制，获得逆变器A相桥臂占空比，使实际A相电流跟踪所设定的调磁电流轨迹，同时，根据充去磁操作控制逆变器B相与C相的桥臂导通进行调磁。利用逆变器实现记忆电机的离线充去磁，无需获取电机转子位置信息即可实现记忆电机永磁体磁化状态的初始化控制，使其在电机起动前保持在较高水平以降低电机起动电流。保持在较高水平以降低电机起动电流。保持在较高水平以降低电机起动电流。

【技术实现步骤摘要】
一种记忆电机离线充去磁方法及装置


[0001]本专利技术属于记忆电机控制领域，具体涉及一种记忆电机离线充去磁方法及装置。

技术介绍

[0002]比起传统永磁同步电机，记忆电机具有永磁磁链可控的特征，能够拓宽调速范围并提升整体运行效率，自问世以来，得到了国内外学者的广泛关注。经过20余年的发展，记忆电机的设计与优化技术取得了显著进展，近年来，记忆电机的控制技术逐渐引起相关领域学者的关注，如何控制磁化状态已经成为记忆电机控制领域的一个热点话题。
[0003]一般来说，记忆电机在低速运行区间需求较高的永磁体磁链以获得更大的输出转矩，增加带载能力，而在高速运行区间则需求较低的永磁体磁链以降低电机反电势，拓宽恒功率运行范围。现有文献很少考虑记忆电机磁化状态的初始化控制，即在记忆电机起动前，如何控制永磁体的磁化状态处于较高水平，从而降低启动电流。
[0004]理论上，传统的在线调磁方案能够实现记忆电机的磁化状态初始化控制，该方案通常基于矢量控制框架实现，将电机转速参考值设置为零，而后对电机的dq轴电流同时进行闭环控制。然而，由于存在交叉耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆电机离线充去磁方法，其特征在于，包括以下步骤：转子预定位，通过保持逆变器B相与C相的上桥臂关断、下桥臂导通，同时，给定A相桥臂的占空比D
A
，来控制电机A相绕组电流为正值，将电机转子d轴与定子A相绕组对齐，使得后续注入的调磁电流方向正对转子d轴；调磁，基于预设调磁状态设定调磁电流幅值确定调磁电流轨迹，利用PI控制器对A相电流进行闭环控制，获得逆变器A相桥臂的占空比D
A
，使实际A相电流跟踪所设定的调磁电流轨迹以注入所需调磁电流，同时，根据充去磁操作控制逆变器B相与C相的桥臂导通状态，进而实现调磁。2.根据权利要求1所述的一种记忆电机离线充去磁方法，其特征在于，所述的控制电机A相绕组电流为正值的具体方法为：保持逆变器B相与C相的上桥臂关断、下桥臂导通，同时，给定A相桥臂的占空比D
A
，所述A相桥臂的占空比可通过下式计算：式中，D
A
为A相桥臂的占空比，I
r
为绕组电流额定值，R
s
为绕组电阻，V
dc
为母线直流电压。3.根据权利要求1所述的一种记忆电机离线充去磁方法，其特征在于，所述的调磁电流轨迹设定的具体方法为：通过查找磁化状态—调磁电流曲线确定调磁电流的幅值，同时，调磁电流轨迹为梯形。4.根据权利要求1所述的一种记忆电机离线充去磁方法，其特征在于，所述的对电机A相绕组电流进行闭环控制的具体方法为：利用PI控制器对A相电流进行闭环控制，获得逆变器...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳辉，刘兴，林鹤云，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：