权利要求书1页说明书2页附图1页制造技术

本实用新型专利技术名称为一种单端口Ka波段射频芯片电阻器，属于电子元器件技术领域，包括陶瓷基片、正电极、端电极、电阻膜、保护层。其中，正电极含接地端和信号端；信号端的基片侧面有端电极；正电极的接地端和信号端之间有电阻膜；电阻膜表面形成钝化保护层。通过阻抗匹配设计，实现了Ka波段的工作频率指标。本实用新型专利技术提出的单端口Ka波段射频芯片电阻器适用于Ka波段同轴射频负载。Ka波段同轴射频负载。Ka波段同轴射频负载。

【技术实现步骤摘要】
一种单端口Ka波段射频芯片电阻器


[0001]本技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种单端口Ka波段射频芯片电阻器。

技术介绍

[0002]目前，在市面上销售的片式射频电阻器，在电阻元件中应用的范围越来越广，但是工作频率普遍在K波段及以下。

技术实现思路

[0003]1、针对上述技术中存在的不足之处，本技术提供了一种工作频率可达Ka波段的单端口射频芯片电阻器。
[0004]2、为实现上述的目的，本技术提供了一种单端口Ka波段射频芯片电阻器，其特征在于，包括陶瓷基片、正电极、端电极、电阻膜、保护层；陶瓷基片正面通过磁控溅射形成氮化钽电阻膜，电阻膜两侧表面通过磁控溅射和真空蒸发形成钛钨、镍、金正电极，正电极信号端的基片侧面通过磁控溅射和真空蒸发形成镍铬、镍、金端电极，电阻膜通过高温热处理形成自钝化保护层。
[0005]3、其中，所述的正电极分为信号端和接地端两部分。
[0006]4、其中，所述的正电极信号端与端电极形成电气连接。
[0007]5、其中，所述的正电极信号端与端电极之间形成有氮化钽电阻膜。
[0008]6、其中，所述的电阻膜表面形成有钝化保护层。
[0009]7、其中，所述的陶瓷基片的长度为2.5mm至3mm、宽度为1.5mm至2mm、厚度为0.254mm至0.508mm。
[0010]11、本技术的有益效果是：工作频率可达Ka波段，最大电压驻波比可达1.2：1。
附图说明
[0011]下面结合说明书附图对本技术作进一步说明。
[0012]说明书附图中图1为本技术的单端口Ka波段射频芯片电阻器的立体图，图2为本技术的单端口Ka波段射频芯片电阻器的俯视图。
[0013]图1中1代表陶瓷基片；2代表正电极接地端；3代表正电极信号端；4代表电阻膜和钝化保护层；5代表端电极。
具体实施方式
[0014]为了更清楚的表述本技术，下面结合附图对本技术做进一步地描述。
[0015]1、请参阅说明书附图，本技术的单端口Ka波段射频芯片电阻器，包括陶瓷基片(1)；正电极接地端(2)；正电极信号端(3)；电阻膜(4)；端电极(5)。
[0016]2、相较于现有技术的情况，本技术提供的单端口Ka波段射频芯片电阻器，正
电极信号端、电阻膜、正电极接地端呈类似同轴分布，通过对正电极信号端、电阻膜、正电极接地端进行阻抗匹配设计，获得了较高的工作频率指标，并实现了较小的电压驻波比。本技术具有工作频率高、电压驻波比小、结构简单、设计合理、体积小及实用性强等特点。
[0017]3、本技术提供的单端口Ka波段射频芯片电阻器，其制作步骤如下：第一步，在长度为70mm、宽度为60mm、厚度为0.254mm至0.508mm的陶瓷基片(1)上，通过激光划线技术划出长度间隔为2.5mm至3mm、宽度间隔为1.5mm至2mm、深度为0.1mm至0.2mm的分条碎粒线；第二步，在陶瓷基片正面通过磁控溅射形成氮化钽电阻膜；第三步，在电阻膜两侧表面通过磁控溅射和真空蒸发形成钛钨、镍、金正电极；第四步，沿着激光预切分条线将陶瓷基片分成条；第五步，在正电极信号端的基片侧面通过磁控溅射和真空蒸发形成镍铬、镍、金端电极；第六步，通过高温热处理在电阻膜表面形成自钝化保护层；第七步，沿着激光预切碎粒线将陶瓷基片分单只产品。
[0018]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单端口Ka波段射频芯片电阻器，其特征在于，包括陶瓷基片、正电极、端电极、电阻膜、保护层；陶瓷基片正面通过磁控溅射形成氮化钽电阻膜，电阻膜两侧表面通过磁控溅射和真空蒸发形成钛钨、镍、金正电极，正电极信号端的基片侧面通过磁控溅射和真空蒸发形成镍铬、镍、金端电极，电阻膜通过高温热处理形成自钝化保护层。2.根据权利要求1所述的单端口Ka波段射频芯片电阻器，其特征在于，所述的正电极分为信号端和接地端两部分。3.根据权利要求1所述的单端口Ka波段射频芯片电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾天西，张亚倩，
申请(专利权)人：北京七一八友晟电子有限公司，
类型：新型
国别省市：