一种保护容性负载的逆变器用控制电路、控制方法和逆变器技术

本发明专利技术属于保护负载的逆变器用控制领域，特别是涉及一种保护容性负载的逆变器用控制电路、控制方法和逆变器。所述保护容性负载的逆变器用控制电路包括升压电路、逆变桥、采样电路以及逻辑控制电路；所述升压电路用于将直流电升压；所述逆变桥用于将升压电路供给的直流电转变成交流电；所述采样电路用于检测电压和电流并反馈到所述逻辑控制电路；所述逻辑控制电路用于接收所述采样电路反馈的信号，并判断负载类型，根据负载类型的不同控制逆变桥输出不同的交流电。本发明专利技术提供的保护容性负载的逆变器用控制电路，可以有效减低电流冲击给电路元器件带来的冲击效应，减少了元器件损坏的风险，变向延长整个电路产品的使用寿命，降低了成本。了成本。了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种保护容性负载的逆变器用控制电路、控制方法和逆变器


[0001]本专利技术涉及保护负载的逆变器用控制领域，特别是涉及一种保护容性负载的逆变器用控制电路、控制方法和逆变器。

技术介绍

[0002]逆变器是把直流电转变成定频定压或调频调压交流电的转换器。它由逆变桥、逻辑控制电路和滤波电路组成。常见的逆变器按功率可分为中小功率和多重串联型。逆变器是为负载提供交流电的转换器，而负载之中就有一种容性负载。容性负载是指符合电流超前电压特性的负载。容性负载电路普遍存在于市面上的各类驱动设备中。
[0003]目前逆变器在对容性负载供电时，经常在负载启动或峰谷会产生电流冲击。电流冲击将会对元器件的耐受能力产生巨大的考验，更可能轻易击穿那些弱不禁风的元器件。
[0004]目前解决问题的方法是在电路中增添更多的保护电路和高规格的元器件，或者多组单逆变器组合串联分摊负载。这些方法无疑增加负载电路或者逆变器的制造成本。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述的问题，提供一种保护容性负载的逆变器用控制电路、控制方法和逆变器。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护容性负载的逆变器用控制电路，其特征在于，所述保护容性负载的逆变器用控制电路包括升压电路、逆变桥、采样电路以及逻辑控制电路；所述升压电路用于将直流电升压以供给逆变桥；所述逆变桥用于将升压电路供给的直流电转变成交流电；所述采样电路用于检测所述升压电路输出端的电压、所述逆变桥输出的电流以及所述逆变桥输出的交流电电压并反馈到所述逻辑控制电路；所述逻辑控制电路用于接收所述采样电路反馈的所述升压电路输出端的电压、所述逆变桥输出的电流、所述逆变桥输出的交流电电压，根据所述逆变桥输出的电流判断负载类型，若所述负载类型为容性负载，则根据所述升压电路输出端的电压、所述逆变桥输出的电流、所述逆变桥输出的交流电电压控制逆变桥输出具有预设波形的交流电，若所述负载类型为非容性负载，则根据所述升压电路输出端的电压、所述逆变桥输出的电流、所述逆变桥输出的交流电电压控制逆变桥输出正弦波交流电。2.根据权利要求1所述的保护容性负载的逆变器用控制电路，其特征在于，所述升压电路包括芯片IC1、三极管Q403、三极管Q404、三极管Q405、三极管Q406、mos管Q400、mos管Q401、mos管Q409、mos管Q411、变压器T1、整流桥BD401、电压基准芯片U406、电阻R410、电阻R414、电阻R428、电阻R430以及光耦U405；所述芯片IC1的OUTB接口与所述三极管Q403的基极相连，所述芯片IC1的OUTA接口与所述三极管Q405的基极相连，所述芯片IC1的VCC接口与所述三极管Q403的集电极以及所述三极管Q405的集电极相连，所述芯片IC1的INA
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接口与所述光耦U405输出端的输出接口相连，所述芯片IC1的Vref接口与所述光耦U405输出端的输入接口相连；所述三极管Q403的基极与所述三极管Q404的基极相连，所述三极管Q403的发射极与所述三极管Q404的发射极相连；所述三极管Q404的集电极与所述三极管Q406的集电极、所述mos管Q400的源极、所述mos管Q401的源极、所述mos管Q409的源极以及所述mos管Q411的源极以及直流电源的负极相连；所述三极管Q405的基极与所述三极管Q406的基极相连，所述三极管Q405的发射极与所述三极管Q406的发射极相连；所述mos管Q400的栅极与所述mos管Q409的栅极相连，所述mos管Q400的漏极与所述mos管Q409的漏极以及所述变压器T1输入端的第一输出接口相连；所述mos管Q401的栅极与所述mos管Q411的栅极相连，所述mos管Q401的漏极与所述mos管Q411的漏极以及所述变压器T1输入端的第二输出接口相连；所述变压器T1输入端的输入接口与直流电源的正极相连，所述变压器T1的输出端与所述整流桥BD401的交流输入端相连；所述电压基准芯片U406的阳极与所述升压电路输出端的负极相连；所述电阻R410串联在所述芯片IC1的OUTB接口与所述三极管Q403的基极之间；所述电阻R414串联在所述芯片IC1的OUTA接口与所述三极管Q405的基极之间；所述电阻R428串联在所述芯片IC1的INA
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接口与所述光耦U405接收端的发射极之间；所述光耦U405发送端的正极与所述电阻R430的一端相连。3.根据权利要求1所述的保护容性负载的逆变器用控制电路，其特征在于，所述逆变桥
包括芯片U501、芯片U503、三极管Q501、三极管Q502、三极管Q505、三极管Q506、mos管Q503、mos管Q504、mos管Q507、mos管Q508、电阻R506、电阻R507、电阻R508以及电阻R530；所述芯片U501的HO接口与所述三极管Q501的基极相连，所述芯片U501的LO接口与所述三极管Q502的基极相连，所述芯片U501的VS接口与所述三极管Q501的集电极、所述mos管Q503的源极以及所述mos管Q504的漏极相连；所述芯片U503的HO接口与所述三极管Q505的基极相连，所述芯片U503的LO接口与所述三极管Q506的基极相连，所述芯片U503的VS接口与所述三极管Q505的集电极、所述mos管Q507的源极以及所述mos管Q508的漏极相连；所述三极管Q501的发射极与所述mos管Q503的栅极相连；所述三极管Q502的发射极与所述mos管Q504的栅极相连，所述三极管Q502的集电极与所述mos管Q504的源极、所述三极管Q506的集电极以及所述mos管Q508的源极相连；所述三极管Q505的发射极与所述mos管Q507的栅极相连；所述三极管Q506的发射极与所述m...

【专利技术属性】
技术研发人员：余志健，
申请(专利权)人：深圳市欣双源自动化设备有限公司，
类型：发明
国别省市：