用于去耦电容器的电容倍增器制造技术

本公开涉及用于去耦电容器的电容倍增器。一种集成电路可包括耦接到电容倍增器电路的一个或多个电路。该电容倍增器电路可包括电容器、固定和可调谐电阻，以及跨导电路。可调整该可调谐电阻以控制该电容倍增器电路的总电容。该跨导电路可包括晶体管，该晶体管具有耦接到第一电部件的漏极端子和耦接到第二电部件的源极端子。该第一电部件可以是二极管连接的晶体管、直接短接导线、电阻器、电感器或电流源。该第二电部件可以是电流源、直接短接导线、电阻器、电感器或另一个二极管连接的设备。以此方式配置，该电容倍增器电路可提供大的可调整电容量而无电压降并且不消耗大量功率。电容量而无电压降并且不消耗大量功率。电容量而无电压降并且不消耗大量功率。

【技术实现步骤摘要】
用于去耦电容器的电容倍增器
[0001]本申请要求2022年1月13日提交的美国专利申请第17/574,895号的优先权，该美国专利申请据此全文以引用方式并入本文。


[0002]本文所描述的实施方案整体涉及集成电路，并且更具体地讲，涉及具有电容倍增器电路的集成电路。

技术介绍

[0003]集成电路通常包括用于减小感兴趣的电路的电源噪声的去耦电容。去耦电容器对直流(DC)电源线上的噪声进行分流并且帮助防止噪声到达被供电的电路部件。具有较大电容值的去耦电容可提供较好的噪声抑制，但是以较大的电路面积为代价。为了帮助在小布局区域内提供大电容，去耦电容有时被实现为电容倍增器电路。
[0004]电容倍增器电路可能对于设计具有挑战性。常规电容倍增器电路具有输入和输出并且通常具有从输入到输出的电压降，这使得它们不适合于低电压应用。常规电容倍增器电路通常具有固定的电容值，要求被供电的感兴趣的电路具有高阻抗，并且还消耗大量功率。正是在这种情况下，产生本文的实施方案。

技术实现思路

[0005]电子设备可包括集成电路，该集成电路具有耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：电路，所述电路耦接到电源线；电容器，所述电容器具有耦接到所述电源线的第一端子并且具有第二端子；可调整电阻，所述可调整电阻具有耦接到所述电容器的所述第二端子的第一端子并且具有第二端子；和跨导电路，所述跨导电路耦接到所述电容器和所述可调整电阻。2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：第一电阻器，所述第一电阻器具有耦接到所述电源线的第一端子并且具有耦接到所述可调整电阻的所述第二端子的第二端子；和第二电阻器，所述第二电阻器具有耦接到所述可调整电阻的所述第二端子的第一端子并且具有耦接到接地线的第二端子。3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述跨导电路包括：晶体管，所述晶体管具有耦接到所述电容器的所述第二端子的栅极端子、耦接到所述电源线的第一源极
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漏极端子和耦接到接地线的第二源极
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漏极端子。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：电流源，所述电流源耦接在所述晶体管的所述第二源极
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漏极端子和所述接地线之间。5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：附加晶体管，所述附加晶体管具有耦接到所述晶体管的所述第一源极
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漏极端子的第一源极
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漏极端子、耦接到其第一源极
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漏极端子的栅极端子和耦接到所述电源线的第二源极
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漏极端子。6.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：附加晶体管，所述附加晶体管具有耦接到所述晶体管的所述第一源极
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漏极端子的第一源极
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漏极端子、耦接到其第一源极
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漏极端子的栅极端子和耦接到所述电源线的第二源极
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漏极端子。7.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述晶体管的所述第一源极
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漏极端子直接耦接到所述电源线。8.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述晶体管的所述第二源极
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漏极端子直接耦接到所述接地线。9.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：第一电阻器，所述第一电阻器耦接在所述电源线和所述晶体管的所述第一源极
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漏极端子之间；和第二电阻器，所述第二电阻器耦接在所述晶体管的所述第二源极
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漏极端子和所述接地线之间。10.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：第一电感器，所述第一电感器耦接在所述电源线和所述晶体管的所述第一源极
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漏极端子之间；和第二电感器，所述第二电感器耦接在所述晶体管的所述第二源极
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漏极端子和所述接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹相炫，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：