【技术实现步骤摘要】
功率转换器以及用于控制功率转换器的方法和开关电路
[0001]本申请涉及功率转换器(在某些情况下是半桥功率转换器)以及用于控制功率转换器的方法和开关电路。
技术介绍
[0002]在切换过程期间功率开关上的电压转换速率显著地影响在开关模式电源的功率级中的例如换向电流、开关功率损耗以及所产生的电磁干扰(EMI)。功率开关的接通过程期间的电压转换速率例如受到导通栅极驱动电阻器或驱动器源极电流能力影响,且应针对给定功率级/应用而调节以实现最佳性能。关断过程期间的电压转换速率主要由开关输出电容和在功率开关关断时在功率级中可用的感应电流给出。换句话说,关断栅极电阻器或宿驱动器能力对关断转换速率控制具有较小影响。具有允许对于所使用的功率开关参数不变的自动开关转换速率控制的栅极驱动器是有益的。
技术实现思路
[0003]本公开提供一种用于操作包括耦接到负载的开关晶体管的开关电路的方法。一个示例是一种用于操作包括耦接到负载的开关晶体管的开关电路的方法,所述方法包括:利用驱动器将栅极电压施加到开关晶体管;在该开关晶体管导通时,利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于操作包括耦接到负载的开关晶体管的开关电路的方法,所述方法包括:利用驱动器将栅极电压施加到所述开关晶体管;在所述开关晶体管导通时,利用反馈电容器基于在所述开关晶体管的漏极端子处感测到的电压的变化而生成反馈电流;将所述反馈电流施加到所述驱动器以限制施加到所述开关晶体管的所述栅极电压;以及利用控制器通过消耗所述反馈电流的一定量来调节所述开关晶体管的开关转换速率。2.根据权利要求1所述的方法,调节所述开关晶体管的所述开关转换速率还包括利用包括在所述控制器中的控制晶体管消耗所述反馈电流的所述量。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述栅极电压是第一栅极电压,其中将所述栅极电压施加到所述开关晶体管还包括:利用包括在所述驱动器中的电压跟随器晶体管,将所述第一栅极电压施加到所述开关晶体管,利用包括在所述驱动器中的栅极电容器,将第二栅极电压施加到所述电压跟随器晶体管,以及利用包括在所述驱动器中的电流源将恒定电流施加到所述栅极电容器,其中所述反馈电流干扰所述恒定电流。4.一种开关电路,包括:耦接到负载的开关晶体管;驱动器,所述驱动器包括:电压跟随器晶体管,所述电压跟随器晶体管被配置为将栅极电压施加到所述开关晶体管,栅极电容器,所述栅极电容器耦接到所述电压跟随器晶体管的栅极端子,和电流源,所述电流源被配置为将恒定电流施加到所述栅极电容器;反馈电容器,所述反馈电容器耦接到所述开关晶体管的漏极端子,用于在所述开关晶体管导通时基于在所述开关晶体管的所述漏极端子处感测到的电压的变化而生成反馈电流,其中所述反馈电流干扰所述恒定电流并且限制施加到所述开关晶体管的所述栅极端子的所述栅极电压;和控制器,所述控制器被配置为通过消耗所述反馈电流的一定量来调节所述开关晶体管的开关转换速率。5.根据权利要求4所述的开关电路,其中所述栅极电压是第一栅极电压,其中所述控制器包括控制晶体管,并且其中基于所述控制晶体管的第二栅极电...
【专利技术属性】
技术研发人员:K,
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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