荧光X射线分析装置制造方法及图纸

荧光X射线分析装置具备：试样台，其形成有开口部，该试样台以使试样从开口部露出的方式载置试样；X射线源，其使初级X射线从试样台的下方穿过开口部照射于试样；检测器，其检测从试样产生的荧光X射线。荧光X射线分析装置还具备：分析部，其基于荧光X射线对构成元素进行分析；测量装置，其测量试样中的从开口部露出的表面的高度；判定部，其判定由测量装置测量出的高度与试样台的上表面的高度的高度差是否处于允许范围内；以及通知部，其通知判定部的判定结果。由此，能够识别分析结果的可靠性。能够识别分析结果的可靠性。能够识别分析结果的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光X射线分析装置


[0001]本专利技术涉及一种荧光X射线分析装置。

技术介绍

[0002]以往，已知如下一种荧光X射线分析装置：对试样照射X射线，通过检测从试样发出的荧光X射线来对试样的构成元素进行分析。例如，日本特开2020
‑
085826号公报(专利文献1)公开了一种具备以下(1)～(3)的结构的荧光X射线分析装置。
[0003](1)试样台，其形成有开口部，该试样台以使试样从开口部露出的方式载置该试样；
[0004](2)X射线源，其使X射线穿过开口部照射于试样；以及
[0005](3)检测器，其检测从试样产生的荧光X射线。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2020
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085826号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]在专利文献1所公开的荧光X射线分析装置中，从试样向检测器入射的荧光X射线的强度能够根据向试样台载置试样的状况而变动。因此，荧光X射线分析装置的分析结果的可靠性也根据向试样台载置试样的状况而变动。例如，即使在试样中含有少量的作为RoHS(Restriction of Hazardous Substances：有害物质限制)指令的对象的限制物质，也可能检测不到该限制物质。然而，分析者无法识别由试样的载置状况引起的分析结果的可靠性的降低。
[0011]本公开是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够识别分析结果的可靠性的荧光X射线分析装置。
[0012]用于解决问题的方案
[0013]本专利技术的一个方式所涉及的荧光X射线分析装置对试样的构成元素进行分析。荧光X射线分析装置具备：试样台，其形成有开口部，试样台以使试样从开口部露出的方式载置试样；X射线源，其使初级X射线从试样台的下方穿过开口部照射于试样；检测器，其检测从试样产生的荧光X射线。荧光X射线分析装置还具备：分析部，其基于荧光X射线对构成元素进行分析；测量装置，其测量试样中的从开口部露出的表面的高度；判定部，其判定由测量装置测量出的高度与试样台的上表面的高度的高度差是否处于允许范围内；以及通知部，其通知判定部的判定结果。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本专利技术，能够提供一种能够识别分析结果的可靠性的荧光X射线分析装置。
附图说明
[0016]图1是概要地示出实施方式1所涉及的荧光X射线分析装置的整体结构的图。
[0017]图2是示出实施方式1所涉及的测量装置的内部结构的一例的图。
[0018]图3是示出实施方式1所涉及的荧光X射线分析装置的处理流程的一例的流程图。
[0019]图4是示出判定为高度差处于允许范围外时的试样与开口部的相对位置关系的一例的图。
[0020]图5是示出变形例所涉及的测量装置的结构的图。
[0021]图6是概要地示出实施方式2所涉及的荧光X射线分析装置的整体结构的图。
[0022]图7是示出实施方式2所涉及的荧光X射线分析装置的处理流程的一例的流程图。
[0023]图8是示出变形例所涉及的移动机构的结构的图。
具体实施方式
[0024]下面，参照附图来详细地说明本专利技术的实施方式。此外，下面对图中的相同或相当的部分标注相同的附图标记，原则上不重复其说明。
[0025][实施方式1][0026]<荧光X射线分析装置的整体结构>
[0027]图1是概要地示出本公开的实施方式1所涉及的荧光X射线分析装置的整体结构的图。荧光X射线分析装置100对试样S的构成元素进行分析。荧光X射线分析装置100例如是能量色散型荧光X射线分析装置。
[0028]如图1所示，荧光X射线分析装置100具备试样室1、测定室2以及计算机3。试样室1和测定室2被壳体4气密性地包围，根据需要将内部空间保持为真空。壳体4例如具有长方体形状。
[0029]试样室1在底部包括试样台11。在试样台11形成有开口部12。试样S以至少一部分从开口部12露出的方式载置在试样台11的上表面11a上。试样S能够为固体、粉末状或液状。但是，在试样S为粉末状或液状的情况下，试样S被放入到试样用杯中。
[0030]测定室2包括X射线源21、检测器22、测量装置23以及支承构件24。X射线源21设置在试样台11的下方。X射线源21使初级X射线从试样台11的下方穿过开口部12照射于试样S。X射线源21具有放出热电子的灯丝和将热电子变换为规定的初级X射线并射出的靶。X射线源21被设置为初级X射线束的中心与开口部12的中心一致。
[0031]检测器22设置在试样台11的下方，通过开口部12接收从试样S产生的荧光X射线(次级X射线)，并检测荧光X射线的能量和强度。
[0032]X射线源21和检测器22以如下方式设置：在试样S中的从开口部12露出的表面Sa的铅垂方向(图中的Z轴)上的高度与试样台11的上表面11a的高度一致时，由检测器22检测到的荧光X射线的强度最大。
[0033]此外，也可以在X射线源21与开口部12之间设置滤波器，该滤波器使从X射线源21发出的初级X射线中的背景成分衰减，以使需要的特性X射线的S/N比提高。或者，也可以在X射线源21与开口部12之间设置用于决定向试样S照射的初级X射线束的大小的准直器。
[0034]测量装置23对试样S中的从开口部12露出的表面Sa相对于基准水平面的高度进行测量。在实施方式1中，测量装置23是激光测距仪。
[0035]图2是示出实施方式1所涉及的测量装置23的内部结构的一例的图。如图2所示，测量装置23具有发光部23a和受光部23b。发光部23a朝向开口部12的中心照射激光60。受光部23b接收在试样S的表面Sa反射的激光60。测量装置23例如使用相位差检测方式、三角测距方式、TOF(Time of Flight：飞行时间)方式等公知的方法来测量试样S中的从开口部12露出的表面Sa的高度H1。表面Sa的高度H1由基准水平面50与表面Sa的沿着铅垂方向(图中的Z轴方向)的距离表示。基准水平面50例如是包含从发光部23a发出光的点的水平面。
[0036]如图1所示，支承构件24支承X射线源21、检测器22以及测量装置23。由此，X射线源21、检测器22以及测量装置23相对于开口部12的相对位置固定。
[0037]计算机3包括处理器30、存储器31、存储装置32、输入装置33以及显示装置34。
[0038]处理器30例如由CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、MPU(Micro Processing Unit：微处理单元)等构成。处理器30读出存储装置32中保存的各种程序，在存储器31中展开并执行各种程序。存储器31例如由DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种荧光X射线分析装置，对试样的构成元素进行分析，所述荧光X射线分析装置具备：试样台，其形成有开口部，所述试样台以使所述试样从所述开口部露出的方式载置所述试样；X射线源，其使初级X射线从所述试样台的下方穿过所述开口部照射于所述试样；检测器，其检测从所述试样产生的荧光X射线；分析部，其基于所述荧光X射线对所述构成元素进行分析；测量装置，其测量所述试样中的从所述开口部露出的表面的高度；判定部，其判定由所述测量装置测量出的高度与所述试样台的上表面的高度的高度差是否处于允许范围内；以及通知部，其通知所述判定部的判定结果。2.根据权利要求1所述的荧光X射线分析装置，其中，所述通知部根据判定为所述高度差处于所述允许范围外，来通知表示试样的位置不恰当的警告。3.根据权利要求1或2所述的荧光X射...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本康之，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：