新型忆阻器交叉阵列单元等效电路制造技术

本发明专利技术公开了一种新型忆阻器交叉阵列单元等效电路。为了弥补现有发明专利技术中缺乏完整的忆阻器交叉阵列等效电路，本发明专利技术的等效电路包括两条位线、两条字线以及忆阻器，所述忆阻器用于连接相互垂直的两条信号线；所述等效电路考虑相邻信号线与上下垂直信号线之间产生的寄生效应，所述寄生效应包含线电阻、耦合电容和耦合电感。基于该电路进行PCB板样品实验测试。实验测试输出电压和ADS电路仿真结果几乎相同。本发明专利技术结构直接明了，包含了完整的寄生效应。且为单元结构可以适用于任意维度的交叉阵列。列。列。

【技术实现步骤摘要】
新型忆阻器交叉阵列单元等效电路


[0001]本专利技术类脑芯片等效电路领域，具体涉及一种新型忆阻器交叉阵列等效电路。

技术介绍

[0002]传统芯片多采用冯
·
诺依曼架构，其计算单元与存储单元相互分离将影响读取运算速度，从而衍生出“内存墙”问题。而激发式类脑芯片可以很好的解决该问题。同传统通用的芯片相比，类脑计算芯片能够模拟人类大脑信息处理方式，用极低的功耗异步、并行、低速和分布式处理信息。目前，类脑芯片的信号完整性和电磁辐射研究还处于起步阶段，包括激发式类脑芯片片上电磁信号传输机理、信号完整性等基础性关键科学问题。
[0003]类脑芯片中忆阻器交叉阵列为主要部分，它模拟了突触和神经元的生物行为。然而，随着忆阻器往纳米级发展，由于半导体器件的改进和小型化，最大频率将达到1000GHz范围。在更高的频率和元件密度下，元件之间的耦合已成为一个关键问题，寄生效应开始主导系统性能。但是现有的等效电路考虑的寄生效应并不完整，仅包含线电阻和耦合电容，这样会导致电路仿真结果不准确。

技术实现思路

[0004]为解决上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型忆阻器交叉阵列单元等效电路，其特征在于：所述等效电路考虑相邻信号线与上下垂直信号线之间产生的寄生效应，所述寄生效应包含线电阻、耦合电容和耦合电感。2.根据权利要求1所述的新型忆阻器交叉阵列单元等效电路，所述等效电路包括两条位线、两条字线以及忆阻器，所述忆阻器用于连接相互垂直的两条信号线；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高仁佳楠，方丽丹，李燕，
申请(专利权)人：李燕，
类型：发明
国别省市：