光接收元件和测距系统技术方案

本公开涉及：能够在使用雪崩光电二极管的层叠型光接收元件中减小像素尺寸的光接收元件和测距系统。所述光接收元件包括层叠的第一基板和第二基板，在所述第一基板上形成有将接收到的光转换为电信号的雪崩光电二极管和至少一个元件，所述元件包括在基于所述电信号输出像素信号的读取电路中；在所述第二基板上形成有逻辑电路，所述逻辑电路是处理从所述雪崩光电二极管读取的所述像素信号的电路。例如，本公开的特征可以应用于检测到被摄体的距离的光接收元件和测距系统等。的光接收元件和测距系统等。的光接收元件和测距系统等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收元件和测距系统


[0001]本公开涉及光接收元件和测距系统，更具体地，涉及能够减小使用雪崩光电二极管的层叠型光接收元件的像素尺寸的光接收元件和测距系统。

技术介绍

[0002]近年来，通过飞行时间(ToF)方法测量距离的光接收元件引起了关注。这种光接收元件包括使用单光子雪崩二极管(SPAD)作为光接收像素的光接收元件。在SPAD中，在施加高于击穿电压的电压(下文中，称为过量偏压)的状态下，在一个光子进入具有高电场的PN结区域的情况下发生雪崩放大。通过检测由雪崩放大引起的电流瞬间流过的时刻，可以高精度地测量距离。
[0003]使用SPAD的光接收元件包括通过使形成有SPAD的第一半导体基板和形成有逻辑电路的第二半导体基板的两个半导体基板层叠而获得的光接收单元(例如，参考专利文献1)。
[0004]引文文献列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利申请公开第2015/0200314号说明书

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的技术问题
[0008]在现有技术中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收元件，包括：第一基板，在所述第一基板上形成有将接收到的光转换为电信号的雪崩光电二极管和至少一个元件，所述元件包括在基于所述电信号输出像素信号的读取电路中；和第二基板，在所述第二基板上形成有逻辑电路，所述逻辑电路是处理从所述雪崩光电二极管读取的所述像素信号的电路，所述第一基板和所述第二基板被层叠在一起。2.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一基板包括第一半导体基板和第一配线层，所述第二基板包括第二半导体基板和第二配线层，通过使所述第一配线层和所述第二配线层接合来层叠所述第一基板和所述第二基板，并且所述至少一个元件设置在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间。3.根据权利要求2所述的光接收元件，其中，所述至少一个元件设置在所述第一配线层中。4.根据权利要求2所述的光接收元件，其中，所述至少一个元件设置于在平面图中所述至少一个元件的至少一部分与所述雪崩光电二极管重叠的区域中。5.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述至少一个元件设置于在所述第一基板的厚度方向上与所述雪崩光电二极管的位置的不同的位置处。6.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一基板包括二极管作为所述元件。7.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一基板包括电阻器作为所述元件。8.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一基板包括电阻器和二极管作为所述元件。9.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一基板包括多晶硅TFT作为所述元件。10.根据权利要求1所述的光接收元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛田翔平，樋山拓己，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：