层叠薄膜、第2层叠薄膜的制造方法和应变传感器的制造方法技术

层叠薄膜沿厚度方向依次具备绝缘性的基材树脂薄膜和电阻层。电阻层包含氮化铬。电阻层的电阻温度系数为

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】层叠薄膜、第2层叠薄膜的制造方法和应变传感器的制造方法


[0001]本专利技术涉及层叠薄膜、第2层叠薄膜的制造方法和应变传感器的制造方法，详细地涉及：层叠薄膜、使用该层叠薄膜的第2层叠薄膜的制造方法、使用该层叠薄膜的应变传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]以往已知有：具备绝缘性基板、和配置于其表面的经图案化的Cr
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N薄膜的应变传感器(例如参照下述专利文献1。)。
[0003]专利文献1中，首先，在绝缘性基板的表面形成Cr
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N薄膜，制作薄膜层叠薄膜，之后，以300℃进行热处理，将Cr
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N薄膜图案化，制造应变传感器。专利文献1中，通过300℃的热处理，减小Cr
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N薄膜的电阻温度系数(TCR)的绝对值，使应变传感器的稳定性良好。
[0004]另外，作为耐受上述高温的热处理的绝缘性基板，使用了硬质的硅基板。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2015
‑<br/>31633号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层叠薄膜，其沿厚度方向依次具备绝缘性的基材树脂薄膜和电阻层，所述电阻层包含氮化铬，所述电阻层的电阻温度系数为
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400ppm/℃以上且
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200ppm/℃以下。2.根据权利要求1所述的层叠薄膜，其特征在于，所述电阻层具有体心立方晶格结构。3.根据权利要求1或2所述的层叠薄膜，其特征在于，所述电阻层不具有A15型结构。4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠薄膜，其特征在于，所述氮化铬中，相对于铬原子100摩尔份的氮原子的摩尔份为3.0摩尔份以上且低于9摩尔份。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠薄膜，其特征在于，所述电阻层的厚度为10nm以上且150nm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠薄膜，其特征在于，所述基材树脂薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：西森才将，中岛一裕，梨木智刚，丹羽英二，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：