探针及其制备方法技术

本申请提供一种探针及其制备方法，制备方法包括：在牺牲层的一侧表面形成至少一个支撑掩膜层，支撑掩膜层用于在刻蚀过程中作为掩膜形成支撑结构，支撑结构用于支撑探针；在牺牲层靠近支撑掩膜层的一侧采用具有至少一个探针图案的掩膜版进行光刻，并制备形成探针，探针的一端位于支撑掩膜层上；对具有探针的牺牲层进行各向异性刻蚀，刻蚀去除探针对应位置的牺牲层，并在牺牲层对应于支撑掩膜层的位置形成支撑结构；将支撑结构与探针分离得到探针。本申请利用刻蚀剂对牺牲层的各向异性刻蚀，将形成的探针下方掏空并形成支撑结构，便于激光切割剥离。切割剥离。切割剥离。

【技术实现步骤摘要】
探针及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种探针及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，用于圆片级测试的探针需求也在不断提升，传统探针已经难以满足目前的测试精度需求，因此使用MEMS工艺制作的高精度探针已经成为市场的主流，MEMS工艺是以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。目前的MEMS探针在制作完成之后往往依附于衬底之上，导致制作完成后难以剥离，影响制备效率和成品率。
[0003]因此，如何快速高效地制备探针，成为目前迫切需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请提供一种探针及其制备方法，利用各向异性刻蚀，将形成的探针下方牺牲层掏空并形成支撑结构，便于激光切割剥离。
[0005]本申请解决上述技术问题的具体方案如下：第一方面，本申请提供一种探针的制备方法，所述制备方法包括：在牺牲层的一侧表面形成至少一个支撑掩膜层，所述支撑掩膜层用于在刻蚀过程中作为掩膜形成支撑结构，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种探针的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在牺牲层的一侧表面形成至少一个支撑掩膜层，所述支撑掩膜层用于在刻蚀过程中作为掩膜形成支撑结构，所述支撑结构用于支撑探针；在所述牺牲层靠近所述支撑掩膜层的一侧，采用具有至少一个探针图案的掩膜版进行光刻，并制备形成探针，所述探针的一端位于所述支撑掩膜层上；对具有所述探针的牺牲层进行各向异性刻蚀，刻蚀去除所述探针对应位置的牺牲层，并在所述牺牲层对应于所述支撑掩膜层的位置形成所述支撑结构；将所述支撑结构与所述探针分离得到所述的探针。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层的一侧表面形成至少一个支撑掩膜层的步骤包括：在所述牺牲层的表面形成掩膜层，并采用具有至少一个支撑结构图案的掩膜版在所述掩膜层上进行光刻，刻蚀得到至少一个所述支撑掩膜层。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述探针的形成方法包括：在所述牺牲层具有所述支撑掩膜层的一侧设置种子层；采用具有至少一个探针图案的掩膜版在所述种子层上进行光刻，得到含有至少一个探针结构的光刻胶，在所述探针结构中制备金属层，形成至少一个所述探针。4.如权利要求1所述的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪飞，黄俊龙，孙江永，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：