【技术实现步骤摘要】
一种原位生成碳化硅增强的铝硅合金的制备方法
[0001]本专利技术属于铝硅合金
,特别涉及一种原位生成碳化硅增强的铝硅合金的制备方法。
技术介绍
[0002]碳化硅是一种常见的陶瓷相,它熔点高、刚度强、硬度高,具有热稳定性好、室温耐腐蚀能力强及热膨胀系数低的特点。碳化硅增强铝基复合材料具有重量轻、比模量高和耐磨性优良等特性,被广泛应用在航空航天、汽车和电子产品领域。如今碳化硅颗粒增强铝基合金制备方法主要包括液态搅拌法、流变铸造技术、熔渗法和原位合成法等。
[0003]原位合成法是指通过化学反应在基体中直接合成增强体的一项技术,相比较于其他制备方法,原位合成法具有以下优点:(1)原位合成增强体在基体中热力学稳定,高温条件下热分解小;(2)增强体与基体界面干净,具有强的界面键合;(3)原位合成的颗粒尺寸细小且均匀分布在基体中。
[0004]中国专利CN106893880A公开了一种原位热压生成碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备方法,将铝粉、硅粉、碳粉按一定摩尔比混合后,使用机械合金化进行研磨,加压、高温保温烧 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种原位生成碳化硅增强的铝硅合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配置添加浆料:将碳纳米材料均匀分散在溶剂中,添加增稠剂和粘结剂,均匀搅拌后,得到添加浆料;(2)将步骤(1)的添加浆料均匀涂覆于二氧化硅基底内表面,干燥、冷却,得到内表面涂有碳纳米材料的二氧化硅基底;(3)在惰性气体保护下,将熔融态铝溶液浇注到步骤(2)的内表面涂有碳纳米材料的二氧化硅基底中,700
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800℃温度下静置保温3h,冷却;去除二氧化硅基底,清理表面残渣,获得原位生成碳化硅增强的铝硅合金。2.根据权利要求1所述的原位生成碳化硅增强的铝硅合金的制备方法,其特征在于,碳纳米材料的碳含量>98%,灰度<1%;二氧化硅基底的二氧化硅含量≥99.9%;熔融态铝溶液中铝含量≥99.9%。3.根据权利要求1所述的原位生成碳化硅增强的铝硅合金的制备方法,其特征在于,步骤(1)的碳纳米材料为碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯中的任意一种。4.根据权利要求1所述的原位生成碳化硅增强的铝硅合金的制备方法,其特征在于,步骤(1)的溶剂为N
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甲基吡咯烷酮、N,N
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二甲基甲酰胺、二...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏旭平,王琦,施东明,刘亚,吴长军,
申请(专利权)人:常州大学,
类型:发明
国别省市:
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