本实用新型专利技术提供一微波探测天线，其包括一辐射源、一参考地、一辐射源基板以及一电路基板，所述电路基板的两相对面分别承载有一电路层和一电路第一参考地层，所述辐射源和所述参考地被承载于所述辐射源基板的两相对面，所述辐射源基板和所述电路基板以压合的结构和工艺被相互固定而呈现所述参考地和所述电路第一参考地层相对的状态，所述辐射源具有一接地点，所述电路层具有一电路第二参考地，所述电路层的线路布局满足所述辐射源的所述接地点的投影位于所述电路第二参考地，从而能够经一通孔同时实现所述辐射源的所述接地点、所述参考地、所述电路第一参考地层以及所述电路第二参考地之间的电性连接关系。参考地之间的电性连接关系。参考地之间的电性连接关系。
【技术实现步骤摘要】
微波探测天线
[0001]本技术涉及微波探测领域，尤其涉及一种微波探测天线。
技术介绍
[0002]授权公告号CN112467375B的中国专利技术专利提供了一种天线，所述天线包括一参考地和至少一辐射源，其中所述辐射源和所述参考地分别被相邻地设置，并且在所述辐射源和所述参考地之间形成一辐射缝隙，其中所述辐射源被电气连接于所述参考地以使所述辐射源接地，以使得所述天线的频宽变窄。当一电磁激励信号自所述辐射源的一馈电点被接入时，所述天线的频宽变窄可以防止所述天线接收或产生的电磁波信号受到附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。在上述专利申请公开之前，以往在微波探测领域，主要是通过抑制的方式使天线满足一定的抗干扰性能，如通过屏蔽外来无线信号、信号滤波、软件算法处理等方法去抑制干扰，但是这些方式都仅能为有限的频段提供有限的抗干扰性能。直到上述专利独创性地提出将所述辐射源电性连接于所述参考地，以使得所述天线的频宽变窄，从而提高所述天线的抗干扰性能的技术方案被公开，行业内对天线抗干扰性能的优化才有了新的认知，并纷纷认可上述专利揭露的技术方案所带来的实用性成果。
[0003]参考本技术的说明书附图之图1A，基于上述专利揭露的技术方案的一微波探测天线100P被示意，其中所述微波探测天线100P包括一辐射源10P、一参考地20P、一辐射源基板30P、一电路基板40P、一电路层41P以及一电路参考地42P，其中所述辐射源10P和所述参考地20P以金属覆铜层形态被承载于所述辐射源基板30P的两相对面，则所述辐射源10P和所述参考地20P被所述辐射源基板30P相间隔，并通过孔金属化工艺将所述辐射源10P电性连接于所述参考地20P以使所述辐射源10P具有一接地点11P；其中所述电路层41P和所述电路参考地42P被承载于所述电路基板40P，并通过孔金属化工艺将所述电路层41P上的表层参考地411P电性连接于所述电路参考地42P；其中所述辐射源基板30P和所述电路基板40P以压合的结构和工艺被相互固定而呈现所述参考地20P和所述电路参考地42P被平整地贴合的状态，具体地，其中所述辐射源基板30P和所述电路基板40P通过一PP片50P粘连，其中所述辐射源10P具有至少一馈电点12P，所述馈电点12P通过孔金属化工艺与所述电路层41P上的相应射频电路电性连接。由于所述辐射源10P电性连接于所述参考地20P，所述微波探测天线100P的频带宽度变窄，使得所述微波探测天线100P具有优良的抗干扰性能。
[0004]虽然所述辐射源接地的技术方案作为本专利技术人的原创方案在提高微波探测天线的抗干扰性能方面具有重要意义，但经过专利技术人的不断深入研究和实践探索，专利技术人认为所述微波探测天线100P仍然存在可以优化的空间，具体参考图1B，所述微波探测天线100P的生产流程被示意，所述微波探测天线100P的生产流程至少包括以下步骤：101P、于所述辐射源基板30P的两相对面敷铜以形成所述辐射源10P和所述参考地20P的步骤；102P、对所述辐射源10P的接地点钻孔，以于所述辐射源基板30P上形成一过孔，电镀该过孔以形成所述辐射源10P电性连接于所述参考地20P的结构形态而使所述辐射源10P具有所述接地点11P的步骤；103P、于所述电路基板40P的两相对面敷铜以形成所述电路层41P和所述电路参考
地42P的步骤；104P、对所述电路层41P上的表层参考地411P钻孔，以于所述电路基板40P上形成一过孔，电镀该过孔以形成所述辐射源10P电性连接于所述参考地20P的步骤；105P、通过所述PP片50P粘连所述辐射源基板30P和所述电路基板40P的步骤；106P、避让所述辐射源10P地钻孔，以形成贯穿所述辐射源基板30P和所述电路基板40P的一过孔，电镀该过孔以电性连接所述参考地20P和所述电路参考地42P的步骤；107P、对所述辐射源10P的所述馈电点12P钻孔，以形成贯穿所述辐射源基板30P和所述电路基板40P的一过孔，电镀该过孔以使所述馈电点12P能够与所述电路层41P上的相应射频电路电性连接的步骤。
[0005]在一些生产流程中，也存在先将所述辐射源基板30P和所述电路基板40P通过所述PP片50P粘连，再分别对所述辐射源10P的接地点钻孔和对所述电路层41P上的所述表层参考地411P钻孔，为避免所述辐射源10P与所述电路层41P上的线路发生电性连接，此时对所述辐射源10P的接地点的钻孔和对所述表层参考地411P的钻孔只能是盲孔，因此在工艺实现上还需要额外把控孔的深度，不仅工序难以简化，还容易影响产品的良品率。
[0006]也就是说，在现有的实践中，需要通过多次钻孔满足相应的电性连接关系，钻孔后还需经过电镀、孔壁覆铜、树脂填塞等繁琐步骤，因此虽然所述辐射源10P电性连接于所述参考地20P的技术方案优势显著，但却增加了工艺步骤，并随着时代的发展趋势，工艺流程的增加所带来的人工成本的增加在总成本的比重中将会越来越凸显。因此，有必要针对现有的实践所存在的可优化空间进行优化。
技术实现思路
[0007]本技术的一个目的在于提供一微波探测天线，其中所述微波探测天线无须反复钻孔满足接地需求，从而能够直接减少相应的钻孔、电镀、孔壁覆铜、树脂填塞的繁琐工序，生产工序得以简化，有利于降低所述微波探测天线的生产成本。
[0008]本技术的一个目的在于提供一微波探测天线，其中所述微波探测天线包括一辐射源、一参考地、一辐射源基板、一电路基板和被承载于所述电路基板两相对面的一电路第一参考地层和一电路层，其中所述电路层具有一电路第二参考地，其中所述辐射源和所述参考地被承载于所述辐射源基板的两相对面，其中所述辐射源基板和所述电路基板以压合的结构和工艺被相互固定而呈现所述参考地和所述电路第一参考地层相对的状态，其中所述辐射源具有一接地点和偏离其物理中心点的一馈电点，所述电路层的线路布局满足所述辐射源的所述接地点的投影位于所述电路第二参考地，从而能够经通孔同时实现所述辐射源的所述接地点被电性连接于所述参考地，所述电路层的所述电路第二参考地被电性连接于所述电路第一参考地层，以及所述参考地被电性连接于所述电路第一参考地层的结构形态，使得所述微波探测天线无须反复钻孔分别满足所述辐射源的所述接地点电性连接于所述参考地，所述电路层的所述电路第二参考地被电性连接于所述电路第一参考地层，以及所述参考地被电性连接于所述电路第一参考地层的结构形态，在将所述辐射源接地而提高所述微波探测天线的抗干扰性能的同时，简化所述微波探测天线的生产工序。
[0009]本技术的一个目的在于提供一微波探测天线，其中所述电路层的线路布局满足所述辐射源的所述接地点的投影位于所述电路第二参考地，则在所述微波探测天线的相应生产流程中，能够先将所述辐射源基板和所述电路基板以压合的结构和工艺相互固定，再简单易行地通过孔金属化工艺同时实现所述辐射源的所述接地点被电性连接于所述参
考地，所述电路层的所述电路第二参考地被电性连接于所述电路第一参考地层，以及所述参考地被电性连接于所述电路第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.微波探测天线，其特征在于，包括：一辐射源；一参考地；一辐射源基板，其中所述辐射源和所述参考地被承载于所述辐射源基板的两相对面；以及一电路基板，其中所述电路基板的两相对面分别承载有一电路层和一电路第一参考地层，其中所述辐射源基板和所述电路基板以压合的结构和工艺被相互固定而呈现所述参考地和所述电路第一参考地层相对的状态，其中所述辐射源具有一接地点，其中所述电路层具有一电路第二参考地，所述电路层的线路布局满足所述辐射源的所述接地点的投影位于所述电路第二参考地，从而能够经一通孔同时实现所述辐射源的所述接地点被电性连接于所述参考地，所述电路层的所述电路第二参考地被电性连接于所述电路第一参考地层，以及所述参考地被电性连接于所述电路第一参考地层的结构形态。2.根据权利要求1所述的微波探测天线，其中所述辐射源具有偏离其物理中心点的一馈电点，其中以所述辐射源上所述馈电点至所述辐射源的物理中心点的连线方向为所述辐射源的极化方向，和以所述辐射源上经过所述辐射源的物理中心点并垂直于极化方向的直线...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹高迪，邹新，孙毅，
申请(专利权)人：深圳迈睿智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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