一种宽量程MEMS电容真空传感器及其制备方法技术

发明专利技术公开了一种宽量程MEMS电容真空传感器及其制备方法，属于MEMS微机械加工领域和真空计量技术领域；包括玻璃盖板、SOI硅基底和硅基底；SOI硅基底的一面设有凹槽，凹槽内连接玻璃盖板；SOI硅基底的凹槽内设有硅感压膜，玻璃盖板用于保护硅感压膜；SOI硅基底的另一面与硅基底连接，硅基底的上端面设有腔体，SOI硅基底与硅基底直接键合，将硅基底的上端面的腔体形成真空参考腔；SOI硅基底上设有保护环，保护环将硅感压膜与SOI硅基底隔开；玻璃盖板上设有进气孔，进气孔贯穿玻璃盖板。本发明专利技术采用硅

【技术实现步骤摘要】
一种宽量程MEMS电容真空传感器及其制备方法


[0001]本专利技术属于MEMS微机械加工领域和真空计量
，具体涉及一种宽量程MEMS电容真空传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]微机电系统 （MEMS）压力传感器是使用 MEMS 技术和半导体材料制作而成，广泛应用在汽车、消费电子、航空航天、生物医疗和工业控制等领域。 如今，用于测量中等压力(0.1~10 MPa)的 MEMS 压力传感器已经相当成熟，并且已经实现批量化生产，工作压力低于 0.1 MPa MEMS 压力传感器却不多见，远不能满足在信息科学高速发展的背景下人类对小量程压力测量需求。
[0003]基于硅基底和玻璃基底的MEMS压力传感器的将底部引线转移到外部，增加制造工艺的复杂程度，消除了批量制造的优势，可能导致潜在的可靠性问题，而且测量大量程压力时感压膜易破损，限制了传感器的动态测量范围。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对上述的不足之处提供一种可靠性高、稳定性高的宽量程MEMS电容真空传感器及其制备方法。
[0005]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽量程MEMS电容真空传感器，其特征在于：包括玻璃盖板（1）、SOI硅基底（2）和硅基底（3）；所述SOI硅基底（2）的一面设有凹槽，凹槽内连接玻璃盖板（1）；所述SOI硅基底（2）的凹槽内设有硅感压膜（21），玻璃盖板（1）用于保护硅感压膜（21）；所述SOI硅基底（2）的另一面与硅基底（3）连接，硅基底（3）的上端面设有腔体，SOI硅基底（2）与硅基底（3）直接键合，将硅基底（3）的上端面的腔体形成真空参考腔（31）；所述硅基底（3）的上端面设有吸气剂放置槽（33），吸气剂放置槽（33）内设有吸气剂薄膜（34）；所述SOI硅基底（2）上设有保护环（24），保护环（24）将硅感压膜（21）与SOI硅基底（2）隔开；所述玻璃盖板（1）上设有进气孔（11），进气孔（11）贯穿玻璃盖板（1）。2.根据权利要求1所述的一种宽量程MEMS电容真空传感器，其特征在于：所述SOI硅基底（2）上包括绝缘层（25）、器件层和设备层，器件层与设备层连接处设有绝缘层（25）；所述器件层的上端面设有绝缘层（25），设备层的下端面设有绝缘层（25）。3.根据权利要求2所述的一种宽量程MEMS电容真空传感器（01），其特征在于：所述绝缘层（25）通过SiO2制作而成。4.根据权利要求2所述的一种宽量程MEMS电容真空传感器，其特征在于：所述绝缘层（25）与真空参考腔（31）、硅感压膜（21）形成电容结构。5.根据权利要求1所述的一种宽量程MEMS电容真空传感器，其特征在于：所述SOI硅基底（2）的上端面设有上欧姆电极引出槽（26）和下欧姆电极引出槽（22），下欧姆电极引出槽（22）将下欧姆电极（32）引出；上欧姆电极引出槽（26）将上欧姆电极（32）引出。6.根据权利要求1所述的一种宽量程MEMS电容真空传感器，其特征在于：所述真空参考腔（31）的深度小于硅感压薄膜在测量范围的最大挠度，深度为4μm；所述吸气剂放置槽（33）的深度大于吸气剂薄膜（34）的厚度。7.用于权利要求1
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6任意一项所述的一种宽量程MEMS电容真空传感器的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤S1：对SOI硅基底（2）和硅基底（3）进行标准清洗，在SOI硅基底（2）和硅基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：许马会，冯勇建，单文桃，韩振华，黄麒麟，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：