辅助曝光装置、曝光方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供使被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率提高的辅助曝光装置、曝光方法和存储介质。辅助曝光装置包括输送部、光源单元和聚光透镜。输送部在第一方向上输送包含多个产品区域和位于各产品区域的周边的周边区域的被处理基片。光源单元在与第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在第一方向上被输送的被处理基片照射光。聚光透镜配置在光源单元与被处理基片之间，将利用光源单元向被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域照射的光沿着第一方向聚光。照射的光沿着第一方向聚光。照射的光沿着第一方向聚光。

【技术实现步骤摘要】
辅助曝光装置、曝光方法和存储介质


[0001]本专利技术涉及辅助曝光装置、曝光方法和存储介质。

技术介绍

[0002]以往，对于涂敷于被处理基片上的抗蚀剂膜，已知有例如不同于将掩模的图案转印的通常的曝光装置的、进行局部曝光处理的辅助曝光装置。
[0003]例如，在专利文献1中，公开了具有将多个LED(Light Emitting Diode：发光二极管)元件排列成线状而成的光源单元的辅助曝光装置。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑
186191号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]本专利技术提供一种能够提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率的技术。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一个方式的辅助曝光装置包括输送部、光源单元和聚光透镜。输送部在第一方向上输送包含多个产品区域和位于各产品区域的周边的周边区域的被处理基片。光源单元在与第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在第一方向上输送的被处理基片照射光。聚光透镜配置在光源单元与被处理基片之间，将利用光源单元向被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域照射的光沿着第一方向聚光。
[0011]专利技术效果
[0012]依照本专利技术，能够提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率。
附图说明
[0013]图1是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的示意性的俯视图。
[0014]图2是表示基片处理系统中的对一个玻璃基片的全部步骤的处理流程的流程图。
[0015]图3是表示第一实施方式的玻璃基片的结构的图。
[0016]图4是从左右方向观察第一实施方式的辅助曝光装置的图。
[0017]图5是从前后方向观察第一实施方式的辅助曝光装置的图。
[0018]图6是表示利用第一实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
[0019]图7是表示第二实施方式的玻璃基片的结构的图。
[0020]图8是从左右方向观察第二实施方式的辅助曝光装置的图。
[0021]图9是从前后方向观察第二实施方式的辅助曝光装置的图。
[0022]图10是表示利用第二实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
[0023]图11是从左右方向观察第三实施方式的辅助曝光装置的图。
[0024]图12是从前后方向观察第三实施方式的辅助曝光装置的图。
[0025]图13是表示利用第三实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
[0026]图14是从左右方向观察第四实施方式的辅助曝光装置的图。
[0027]图15是从前后方向观察第四实施方式的辅助曝光装置的图。
[0028]图16是表示利用第四实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
[0029]附图标记说明
[0030]11
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辅助曝光装置
[0031]17
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控制部
[0032]30
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平流输送部
[0033]32
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光源单元
[0034]33
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局部光源
[0035]34
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聚光透镜
[0036]35
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局部聚光透镜
[0037]36
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遮挡部件
[0038]37
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移动部
[0039]38
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液晶模块
[0040]100
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基片处理系统
[0041]321
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光源
[0042]A1
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产品区域
[0043]A2
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周边区域
[0044]A2a
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第一周边区域
[0045]A2b
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第二周边区域
[0046]G
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玻璃基片。
具体实施方式
[0047]以下，参照附图，对本专利技术的用于实施喷嘴、辅助曝光装置、曝光方法和存储介质的方式(以下记载为“实施方式”)详细地进行说明。此外，本专利技术并不由该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0048]另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的表达，但这些表达不需要严格地为“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表达例如允许制造精度、设置精度等的偏差。
[0049]另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。
[0050]另外，在此，规定以X轴正方向为前方、以X轴负方向为后方的前后方向，规定以Y轴正方向为左方、以Y轴负方向为右方的左右方向。另外，规定以Z轴正方向为上方、以Z轴负方向为下方的上下方向。
[0051]然而，使用LED元件的情况下的曝光分辨率有可能受到由从LED元件照射的光的扩大所导致的限制。例如，在对被处理基片的位于各产品区域的周边的周边区域进行局部曝
光处理的情况下，从LED元件照射的光的照射范围比周边区域扩大而与各产品区域重叠，因此各产品区域周边的曝光分辨率降低。
[0052]因此，人们希望提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率。
[0053](第一实施方式)
[0054]＜基片处理系统的结构＞
[0055]参照图1，对第一实施方式的基片处理系统100的结构进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理系统100的结构的示意性的俯视图。
[0056]基片处理系统100设置在清洁室(clean room)内。基片处理系统100例如将LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)用的玻璃基片G作为被处理基片，在LCD制造工艺中进行光刻步骤中的清洗、抗蚀剂涂敷、预烘烤、显影和后烘烤等一连串处理。曝光处理由与基片处理系统100相邻地设置的外部的曝光装置20(EXP)进行。
[0057]基片处理系统100包括盒站1和送入部2(IN PASS)。另外，基片处理系统100包括清洗装置3(SCR)、第一干燥部4(DR)、第一冷却部5(COL)、涂敷装置6(COT)、第二干燥部7(DR)、预烘烤部8(PRE BAKE)和第二冷却部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辅助曝光装置，其特征在于，包括：在第一方向上输送被处理基片的输送部，其中，所述被处理基片包含多个产品区域和位于各所述产品区域的周边的周边区域；光源单元，其在与所述第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在所述第一方向上被输送的所述被处理基片照射光；以及聚光透镜，其配置在所述光源单元与所述被处理基片之间，将利用所述光源单元向所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域照射的光沿着所述第一方向聚光。2.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：局部光源，其配置于与所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域对应的位置，向在所述第一方向上被输送的所述被处理基片照射光；和局部聚光透镜，其配置在所述局部光源与所述被处理基片之间，将由所述局部光源向所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域照射的光沿着所述第二方向聚光。3.如权利要求2所述的辅助曝光装置，其特征在于：还包括控制各部的控制部，所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述光源单元在所述周边区域与所述聚光透镜相对的位置向所述周边区域照射光，所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述局部光源向所述周边区域照射光。4.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于：还包括遮挡部件，其配置在所述聚光透镜与所述被处理基片之间，遮挡所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域所相邻的其他区域，所述光源单元隔着所述遮挡部件向所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域照射光。5.如权利要求4所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：移动部，其使所述遮挡部件在所述聚光透镜与所述被处理基片之间的处理位置、与预先决定的避让位置之间移动；和控制各部的控制部，所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述移动部使所述遮挡部件避让到所述避让位置，在所述聚光透镜与所述周边区域相对的位置利用所述光源单元向所述周边区域照射光，所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述移动部使所述遮挡部件从所述避让位置移动到所述处理位置，利用所述光源单元隔着位于所述处理位置的所述遮挡部件向所述周边区域照射光。6.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：液晶模块，其配置于所述聚光透镜与所述被处理基片之间，且能够在不遮挡所述被处理基片的第一模式与遮挡所述被处理基片的在所述第一方向上延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原慎，西山淳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：