一步法制备蝴蝶形ZnSe/GeSe等级异质结纳米线制造技术

本发明专利技术涉及一步法制备蝴蝶形ＺｎＳｅ／ＧｅＳｅ等级异质结纳米线，包括：（１）以真空气氛管式电炉为合成环境，将ＺｎＳｅ粉末与Ｇｅ粉末按照质量比为３～２∶２～１混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以ｐ型硅基片为衬底；（２）持续抽真空控制炉内压力为２００～２５０Ｔｏｒｒ，同时持续通入氩气；（３）控制反应管温度为１１００～１２００℃，保温１．５～３ｈ后，冷却至室温，即得。本发明专利技术制备工艺简单易行，采用一步热蒸发即可完成，且可重复性好；所制备的ＺｎＳｅ／ＧｅＳｅ等级异质结纳米线，其中心骨架由ＺｎＳｅ和ＧｅＳｅ纳米线并轴形成的异质结构成，在纳米器件组装、传感器制造等诸多领域中有潜在应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一步法制备蝴蝶形ＺｎＳｅ／ＧｅＳｅ等级异质结纳米线，包括：　（１）以真空气氛管式电炉为合成环境，将ＺｎＳｅ与Ｇｅ按照质量比为３～２∶２～１混合置于中央三氧化二铝舟上，同时以ｐ型硅基片为衬底；　（２）持续抽真空控制炉内压力为２００ ～２５０Ｔｏｒｒ，同时持续通入氩气；　（３）控制反应管温度为１１００～１２００℃，保温１．５～３ｈ后，冷却至室温，即得蝴蝶形ＺｎＳｅ／ＧｅＳｅ等级异质结纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王春瑞，谢庆庆，刘建，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]