一种验证方法、电子设备和计算机可读存储介质技术

本公开实施例提供一种验证方法、电子设备和计算机可读存储介质。该验证方法用于对半导体结构内的第一非器件层和第二非器件层进行版图和原理图的一致性LVS验证；半导体结构包括第一非器件层、第二非器件层和第一连接层；上述验证方法包括：根据第一非器件层、第二非器件层和第一连接层的版图，得到合并版图；将合并版图内的第一连接层设定为电容器；根据第一非器件层、第二非器件层和第一连接层的电路网表，得到电路网表；根据电路网表内的第一非器件层和第二非器件层之间的连接关系，将第一非器件层和第二非器件层之间的第一连接层设定为电容器；根据电容器的版图和电路网表，确定第一非器件层和第二非器件层是否通过LVS验证。证。证。

【技术实现步骤摘要】
一种验证方法、电子设备和计算机可读存储介质


[0001]本公开实施例涉及半导体
，尤其涉及一种验证方法、电子设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]随着集成电路的集成度越来越高，集成电路技术按照“摩尔定律”的发展日益趋缓，封装技术的重要性凸显。2.5D封装结构成为在半导体产品由二维向三维发展进程中的一大技术亮点，也成为超级电脑和人工智能等应用的必备武器。2.5D封装结构是一种先进的异构芯片封装结构，可以实现多个芯片的高密度线路连接，将多个芯片集成为一个封装结构。2.5D封装结构具有减小芯片尺寸、提高带宽、降低功耗以及可实现异质芯片集成等诸多优点。
[0003]虽然2.5D封装结构能够延续、拓展和超越摩尔定律，但是2.5D封装结构对集成和封装技术提出了更高的要求。同时，如何利用电子设计自动化(Electronic Design Automation，EDA)工具对2.5D封装结构进行版图和原理图的一致性(Layout Versus Schematics，LVS)验证，尤其是对2.5D封装结构内的中介层进行LVS验证也面临着新的挑战。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种验证方法、电子设备和计算机可读存储介质。
[0005]为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
[0006]第一方面，本公开实施例提供一种验证方法，所述验证方法用于对半导体结构内的第一非器件层和第二非器件层进行版图和原理图的一致性LVS验证；所述半导体结构包括所述第一非器件层、所述第二非器件层和电连接所述第一非器件层和所述第二非器件层的第一连接层；所述验证方法包括：
[0007]根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的版图，得到合并版图；
[0008]将所述合并版图内的所述第一连接层设定为电容器；
[0009]根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的电路网表，得到电路网表；
[0010]根据所述电路网表内的所述第一非器件层和所述第二非器件层之间的连接关系，将所述第一非器件层和所述第二非器件层之间的所述第一连接层设定为电容器；
[0011]根据所述电容器的版图和电路网表，确定所述第一非器件层和所述第二非器件层是否通过LVS验证。
[0012]在一些实施例中，所述第一连接层包括：微凸点；
[0013]所述将所述合并版图内的所述第一连接层设定为电容器，包括：
[0014]根据所述合并版图，得到版图网表；
[0015]将所述版图网表内的所述微凸点设定为电容器。
[0016]在一些实施例中，所述微凸点包括：第一凸点和第二凸点；所述第一非器件层包括：第一布线层和第二布线层；
[0017]所述第二非器件层包括：第一互连结构，所述第一凸点电连接所述第一布线层和所述第一互连结构；
[0018]所述将所述版图网表内的所述微凸点设定为电容器，包括：
[0019]将所述版图网表内的所述第一凸点设定为电容器；其中，将所述第一布线层设定为所述电容器的第一电极板，将所述第一互连结构设定为所述电容器的第二电极板。
[0020]在一些实施例中，所述第二非器件层还包括：第二互连结构，所述第二凸点电连接所述第二布线层和所述第二互连结构；
[0021]所述将所述版图网表内的所述微凸点设定为电容器，包括：
[0022]将所述版图网表内的所述第二凸点设定为电容器；其中，将所述第二布线层设定为所述电容器的第一电极板，将所述第二互连结构设定为所述电容器的第二电极板。
[0023]在一些实施例中，所述根据所述电容器的版图和电路网表，确定所述第一非器件层和所述第二非器件层是否通过LVS验证，包括：
[0024]根据所述电容器的版图网表和电路网表，确定所述第一非器件层和所述第二非器件层是否通过LVS验证；
[0025]若由所述第一凸点设定的电容器和由所述第二凸点设定的电容器的版图网表和电路网表均一致，则确定所述第一非器件层和所述第二非器件层通过LVS验证；
[0026]若由所述第一凸点设定的电容器和/或由所述第二凸点设定的电容器的版图网表和电路网表不一致，则确定所述第一非器件层和所述第二非器件层未通过LVS验证。
[0027]在一些实施例中，所述根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的版图，得到合并版图，包括：
[0028]根据所述第一非器件层和所述第二非器件层的版图以及所述微凸点的文本标签，对所述第一非器件层和/或所述第二非器件层的版图的坐标参数进行转换，使得所述第一非器件层和所述第二非器件层的版图的坐标参数对应的坐标系相同；
[0029]根据转换后的所述第一非器件层和所述第二非器件层的版图的坐标参数，对所述第一非器件层和所述第二非器件层的版图进行合并，得到合并版图。
[0030]在一些实施例中，所述半导体结构还包括：
[0031]基板，所述第二非器件层位于所述基板和所述第一非器件层之间；
[0032]电连接所述基板和所述第二非器件层的第二连接层。
[0033]在一些实施例中，所述第一非器件层包括：再布线层；所述第二非器件层包括：中介层。
[0034]第二方面，本公开实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：
[0035]存储器；
[0036]耦接至所述存储器的处理器；其中，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述技术方案中所述的验证方法。
[0037]第三方面，本公开实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现如上述技术方案中所述的验证方
法。
[0038]本公开实施例提供一种验证方法、电子设备和计算机可读存储介质。所述验证方法用于对半导体结构内的第一非器件层和第二非器件层进行版图和原理图的一致性LVS验证；所述半导体结构包括所述第一非器件层、所述第二非器件层和电连接所述第一非器件层和所述第二非器件层的第一连接层；所述验证方法包括：根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的版图，得到合并版图；将所述合并版图内的所述第一连接层设定为电容器；根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的电路网表，得到电路网表；根据所述电路网表内的所述第一非器件层和所述第二非器件层之间的连接关系，将所述第一非器件层和所述第二非器件层之间的所述第一连接层设定为电容器；根据所述电容器的版图和电路网表，确定所述第一非器件层和所述第二非器件层是否通过LVS验证。本公开实施例中，将电连接第一非器件层和第二非器件层的第一连接层设定为电容器，通过对电容器进行LVS验证从而确定第一非器件层和第二非器件层是否通过LVS验证，不仅可以减少进行LVS验证的数据量，以降低LVS验证对机器资源的压力，而且还可以节省每次进行LVS验证的时间，提高进行LVS验证的效率。
附图说明<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种验证方法，其特征在于，所述验证方法用于对半导体结构内的第一非器件层和第二非器件层进行版图和原理图的一致性LVS验证；所述半导体结构包括所述第一非器件层、所述第二非器件层和电连接所述第一非器件层和所述第二非器件层的第一连接层；所述验证方法包括：根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的版图，得到合并版图；将所述合并版图内的所述第一连接层设定为电容器；根据所述第一非器件层、所述第二非器件层和所述第一连接层的电路网表，得到电路网表；根据所述电路网表内的所述第一非器件层和所述第二非器件层之间的连接关系，将所述第一非器件层和所述第二非器件层之间的所述第一连接层设定为电容器；根据所述电容器的版图和电路网表，确定所述第一非器件层和所述第二非器件层是否通过LVS验证。2.根据权利要求1所述的验证方法，其特征在于，所述第一连接层包括：微凸点；所述将所述合并版图内的所述第一连接层设定为电容器，包括：根据所述合并版图，得到版图网表；将所述版图网表内的所述微凸点设定为电容器。3.根据权利要求2所述的验证方法，其特征在于，所述微凸点包括：第一凸点和第二凸点；所述第一非器件层包括：第一布线层和第二布线层；所述第二非器件层包括：第一互连结构，所述第一凸点电连接所述第一布线层和所述第一互连结构；所述将所述版图网表内的所述微凸点设定为电容器，包括：将所述版图网表内的所述第一凸点设定为电容器；其中，将所述第一布线层设定为所述电容器的第一电极板，将所述第一互连结构设定为所述电容器的第二电极板。4.根据权利要求3所述的验证方法，其特征在于，所述第二非器件层还包括：第二互连结构，所述第二凸点电连接所述第二布线层和所述第二互连结构；所述将所述版图网表内的所述微凸点设定为电容器，包括：将所述版图网表内的所述第二凸点设定为电容器；其中，将所述第二布线层设定为所述电容器的第一电极板，将所述第二互连结构设定为所述电容器的第二电极板。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨溢，王贻源，
申请(专利权)人：上海芯高峰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：