一种有机发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管及其制备方法，有机发光二极管包括：第一电极层和第二电极层，以及层叠设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的至少两层发光功能层；每相邻的两层发光功能层之间设置有一个电荷产生层；所述电荷产生层包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层为多晶薄膜层。本发明专利技术可以解决有机发光二极管光电性能不稳定，造成电压升高，效率下降的问题。效率下降的问题。效率下降的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及有机发光
，尤其涉及一种机发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)为提高亮度，效率和寿命，经常需要进行叠层器件结构的制备。叠层器件结构包括两层发光功能层，以及设置在两层发光功能层中间的电荷产生层(CGL)，电荷产生层最常用的结构为n型掺杂层/p型掺杂层，其中n型掺杂层多为有机材料掺杂活泼金属，如锂(Li)和镱(Yb)等，n型掺杂层的有机材料多为无定形层，与金属原子之间作用力较弱，金属离子容易发生扩散，造成器件光电性能不稳定，导致电压升高，效率下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种有机发光二极管及其制备方法，以解决有机发光二极管光电性能不稳定，造成电压升高，效率下降的问题。
[0004]根据本专利技术的一方面，提供了一种有机发光二极管，包括：
[0005]第一电极层和第二电极层，以及层叠设置于第一电极层和第二电极层之间的至少两层发光功能层；
[0006]每相邻的两层发光功能层之间设置有一个电荷产生层；电荷产生层包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层，n型掺杂层为多晶薄膜层。
[0007]可选的，n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于发光功能层的玻璃化转变温度；
[0008]或者，n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于发光功能层的玻璃化转变温度，n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于p型掺杂层的玻璃化转变温度。
[0009]可选的，发光功能层的玻璃化转变温度与n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度的差值大于10℃；
[0010]n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于p型掺杂层的玻璃化转变温度时，p型掺杂层的玻璃化转变温度与n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度的差值大于10℃。
[0011]可选的，n型掺杂层的掺杂离子的扩散系数小于10
‑2cm2/s。
[0012]可选的，n型掺杂层的厚度大于或等于5nm。
[0013]可选的，发光功能层包括层叠设置的第一功能层、有机发光层和第二功能层，第一功能层设置于有机发光层邻近第一电极层的一侧；
[0014]第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层，n型掺杂层设置于p型掺杂层邻近第一电极层的一侧，第一功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层，第二功能层包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一层；
[0015]或者，第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层，n型掺杂层设置于p型掺杂层邻近第二电极层的一侧，第二功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层，第一功能层包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一层。
[0016]根据本专利技术的另一方面，提供了一种有机发光二极管的制备方法，包括：
[0017]制作第一电极层；
[0018]在第一电极层表面制作至少两层发光功能层和电荷产生层；其中，每相邻的两层发光功能层之间设置有一个电荷产生层，电荷产生层包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层，n型掺杂层为多晶薄膜层；
[0019]制作第二电极层。
[0020]可选的，第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层；
[0021]在第一电极层表面制作至少两层发光功能层和电荷产生层，包括：
[0022]在第一电极层表面制作一层发光功能层；
[0023]在发光功能层表面制作n型掺杂材料层；
[0024]对n型掺杂材料层加热后进行冷却处理，使n型掺杂材料层结晶，形成n型掺杂层；
[0025]在n型掺杂层表面制作p型掺杂层；
[0026]在p型掺杂层表面制作一层发光功能层；
[0027]或者，第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层；
[0028]在第一电极层表面制作至少两层发光功能层和电荷产生层，包括：
[0029]在第一电极层表面制作一层发光功能层；
[0030]在发光功能层表面制作p型掺杂层；
[0031]在p型掺杂层表面制作n型掺杂材料层；
[0032]对n型掺杂材料层加热后进行冷却处理，使n型掺杂材料层结晶，形成n型掺杂层；
[0033]在n型掺杂层表面制作一层发光功能层。
[0034]可选的，第一电极层为阳极层，第二电极层为阴极层时，对n型掺杂材料层进行加热的温度小于发光功能层的玻璃化转变温度；
[0035]第一电极层为阴极层，第二电极层为阳极层时，对n型掺杂材料层进行加热的温度小于发光功能层的玻璃化转变温度，且对n型掺杂材料层进行加热的温度小于p型掺杂层的玻璃化转变温度。
[0036]可选的，对n型掺杂材料层进行加热的温度与n型掺杂材料层的主体材料的玻璃化转变温度差值范围为10℃
‑
30℃。
[0037]本专利技术实施例中有机发光二极管包括第一电极层和第二电极层，以及层叠设置于第一电极层和第二电极层之间的至少两层发光功能层；每相邻的两层发光功能层之间设置有一个电荷产生层；电荷产生层包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层，n型掺杂层为多晶薄膜层，多晶薄膜层中势垒较大，掺杂离子在n型掺杂层中的扩散需要跨越晶体间隙之间的势垒，势垒会阻止掺杂离子扩散，并且由于多晶薄膜层在晶界处存在较多的缺陷，掺杂的杂质也容易在缺陷处发生偏析，因此会使得掺杂离子的扩散系数降低，从而可以防止掺杂离子扩散至与n型掺杂层相邻的p型掺杂层或发光功能层中，避免掺杂离子破坏p型掺杂层或发光功能层的功能性，使得有机发光二极管光电性能更稳定，从而避免造成有机发光二极管电压升高的问题，提高发光效率。
[0038]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1是本专利技术实施例一提供的一种有机发光二极管的结构示意图；
[0041]图2是本专利技术实施例一提供的又一种有机发光二极管的结构示意图；
[0042]图3是本专利技术实施例二提供的一种有机发光二极管的制备方法的流程图；
[0043]图4是步骤200的一种细化流程图；
[0044]图5是步骤200的又一种细化流程图。
具体实施方式
[0045]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：第一电极层和第二电极层，以及层叠设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的至少两层发光功能层；每相邻的两层发光功能层之间设置有一个电荷产生层；所述电荷产生层包括层叠设置的n型掺杂层和p型掺杂层，所述n型掺杂层为多晶薄膜层。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于所述发光功能层的玻璃化转变温度；或者，所述n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于所述发光功能层的玻璃化转变温度，所述n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于所述p型掺杂层的玻璃化转变温度。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光功能层的玻璃化转变温度与所述n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度的差值大于10℃；所述n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度小于所述p型掺杂层的玻璃化转变温度时，所述p型掺杂层的玻璃化转变温度与所述n型掺杂层的主体材料的玻璃化转变温度的差值大于10℃。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述n型掺杂层的掺杂离子的扩散系数小于10
‑2cm2/s。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述n型掺杂层的厚度大于或等于5nm。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光功能层包括层叠设置的第一功能层、有机发光层和第二功能层，所述第一功能层设置于所述有机发光层邻近所述第一电极层的一侧；所述第一电极层为阳极层，所述第二电极层为阴极层，所述n型掺杂层设置于所述p型掺杂层邻近所述第一电极层的一侧，所述第一功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一层，所述第二功能层包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一层；或者，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层，所述n型掺杂层设置于所述p型掺杂层邻近所述第二电极层的一侧，所述第二功能层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭立雪，朱映光，张国辉，胡永岚，
申请(专利权)人：淮北翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：