半导体真空吸盘制造技术

本申请提供了一种半导体真空吸盘，通过在真空吸盘的本体上表面定义出支撑区和设置于支撑区内部、且上表面低于支撑区上表面的容置区，容置区下的本体上表面未设置包括真空吸孔，支撑区下的本体上表面设置至少两个真空吸孔。即，通过将真空吸孔转移设置在真空吸盘本体外围的支撑区上表面，并以支撑区上表面顶住晶圆的主动面，而在真空吸盘本体内部的容置区上表面则不设置真空吸孔，以此防止启动真空后，对晶圆主动面设置的晶片之间的直接应力冲击，减少晶圆破损。减少晶圆破损。减少晶圆破损。

【技术实现步骤摘要】
半导体真空吸盘


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体真空吸盘。

技术介绍

[0002]切割晶圆的方法主要分为在晶圆正面(设置有晶片和/或线路的一面，也称主动面)进行激光切割的正面切割，以及在晶背(晶圆主动面相对的另一面)进行的隐形激光切割。
[0003]若采用正面切割，为避免切割过程中切割到晶片或线路，需要在晶圆正面涉及较宽的切割道，但这样将会导致DPW(Die Per Wafer，晶圆可切割晶片数)变小。
[0004]为避免对DPW造成影响，可以采用隐形切割。在隐形切割过程中，晶圆主动面需朝向真空吸面，并用真空吸住晶圆主动面，在晶圆的晶背方向进行激光切割。具体如图1A所示，图1A是现有技术中利用真空吸盘吸附晶圆已进行切割的一个实施例10的横向截面示意图。从图1A可看出，晶圆12的晶背方向贴附有胶膜11，晶圆12的主动面方向设置有晶片13。现有技术中隐形切割时，会使用真空吸盘14抵住晶片13，而相邻两晶片13之间的空隙处为真空通道。在启动真空以后，晶圆相应在相邻两晶片13之间的空隙部分在真空吸力(如图1A中向下箭头所示)向下拉扯的作用下产生结构破损，进而导致晶圆12产生多处不规则裂缝121，进而导致破片。图1B是现有技术中切割得到的晶圆的实际产品示意图。从图1B中可以看出，该晶圆中位于内部虚线圆形内的切割痕迹(图1B中浅白色所示)均匀，而在该晶圆中位于内外两虚线圆形之间的部分切割痕迹杂乱无章，有破片情况。

技术实现思路

[0005]本申请第一方面提出了一种半导体真空吸盘，包括本体，其特征在于：
[0006]所述本体上表面定义出支撑区和设置于所述支撑区内部、且上表面低于所述支撑区上表面的容置区，所述容置区下的本体上表面未设置真空吸孔，所述支撑区下的本体上表面设置至少两个真空吸孔。
[0007]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述支撑区上表面高于所述容置区上表面至少1毫米。
[0008]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述支撑区下的本体上表面上两相邻真空吸孔之间设置有真空流道。
[0009]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述真空流道设置于所述支撑区上表面。
[0010]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述本体还设置有用于连通所述容置区下的本体上表面和外部的压力平衡管道。
[0011]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述本体还设置有连通所述真空吸孔与外部的压力调节管道。
[0012]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述各所述真空吸孔在所述本体下部汇集连通至所述本体外部。
[0013]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述本体的支撑区和容置区一体成型。
[0014]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述本体为不透气材料。
[0015]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述本体的支撑区和容置区分开设置。
[0016]在一些可选的实施方式中，其特征在于，所述本体对应所述容置区的高度约为18毫米，所述本体对应所述支撑区的高度约为19毫米。
[0017]本申请还提供了一种半导体制造方法，包括：
[0018]提供晶圆，所述晶圆包括主动面，所述主动面包括晶片区和边缘区，所述晶片区设置有至少一个晶片；
[0019]提供如本申请第一方面中任一实施方式描述的半导体真空吸盘；
[0020]将所述晶圆主动面朝下置于所述半导体真空吸盘之上，其中，所述晶圆主动面的晶片区位于所述半导体真空吸盘的容置区上，所述半导体真空吸盘的支撑区的本体上表面不吸附所述晶圆主动面的晶片区；
[0021]开启真空以所述半导体真空吸盘吸附所述晶圆主动面；
[0022]切割所述晶圆与所述主动面相对的非主动面。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述晶圆的非主动面贴附有胶膜；以及在所述真空以所述半导体真空吸盘吸附所述晶圆主动面之前，所述方法还包括：
[0024]拉伸所述胶膜，以使得所述晶圆被拉伸至平整状态。
[0025]在一些可选的实施方式中，所述拉伸所述胶膜，包括：将所述胶膜从所述晶圆的中心向边缘方向拉伸。
[0026]在一些可选的实施方式中，所将所述胶膜从所述晶圆的中心向边缘方向拉伸，包括：
[0027]将所述胶膜从所述晶圆的中心向边缘方向，以及从所述晶圆主动面向所述半导体真空吸盘上表面方向同时拉伸。
[0028]如前文所述，为了减少晶圆隐形切割过程中可能产生的破片情况，本技术提出了一种半导体真空吸盘，通过在真空吸盘的本体上表面定义出支撑区和设置于支撑区内部、且上表面低于支撑区上表面的容置区，容置区下的本体上表面未设置包括真空吸孔，支撑区下的本体上表面设置至少两个真空吸孔。即，通过将真空吸孔转移设置在真空吸盘本体外围的支撑区上表面，并以支撑区上表面顶住晶圆的主动面，而在真空吸盘本体内部的容置区上表面则不设置真空吸孔，以此防止启动真空后，对晶圆主动面设置的晶片之间的直接应力冲击，减少晶圆破损。
附图说明
[0029]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0030]图1A是现有技术中利用真空吸盘吸附晶圆进行隐形切割的一个实施例1a的横向截面示意图；
[0031]图1B是现有技术中切割得到的晶圆的实际产品示意图；
[0032]图2A和图2B是根据本申请的半导体真空吸盘的一个实施例24的横向截面结构示意图；
[0033]图2C是根据本申请的半导体真空吸盘的一个实施例24的水平截面结构示意图；
[0034]图3A
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图3C是根据本申请实施例的半导体制造方法的流程示意图。
[0035]附图标记/符号说明：
[0036]11
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胶膜，12
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晶圆，121
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晶圆中的裂缝，13
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晶片，14
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真空吸盘，21
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胶膜，22
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晶圆，22a
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晶圆主动面，22b
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晶圆非主动面，221
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晶片区，222
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边缘区，223
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晶片，24
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半导体真空吸盘本体，241
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本体上表面，2411
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容置区，2412
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支撑区，2411a
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容置区上表面，2412a
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支撑区上表面，242
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真空吸孔，243
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压力平衡管道，244
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压力调节管道，245
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微流道，L1
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本体对应容置区的高度，L2
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本体对应支撑区的高度。
具体实施方式
[0037]下面结合附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体真空吸盘，包括本体，其特征在于：所述本体上表面定义出支撑区和设置于所述支撑区内部、且上表面低于所述支撑区上表面的容置区，所述容置区下的本体上表面未设置真空吸孔，所述支撑区下的本体上表面设置至少两个真空吸孔。2.根据权利要求1所述的半导体真空吸盘，其特征在于，所述支撑区上表面高于所述容置区上表面至少1毫米。3.根据权利要求1所述的半导体真空吸盘，其特征在于，所述支撑区下的本体上表面上两相邻真空吸孔之间设置有真空流道。4.根据权利要求3所述的半导体真空吸盘，其特征在于，所述真空流道设置于所述支撑区上表面。5.根据权利要求1所述的半导体真空吸盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文彬，褚福堂，陈柏桦，杨晋豪，黄伟荣，李宗桦，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：