本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池，包括：基底，包括相对设置的第一表面、第二表面，以及邻接于第一表面和第二表面之间的多个侧面；掺杂导电层和第一钝化膜层，依次层叠设置于第一表面，且仅覆盖第一表面；减反射膜层，层叠设置于第一钝化膜层上，减反射膜层覆盖第一表面，以至少覆盖第一钝化膜层；钝化接触层，设于第二表面；以及第二钝化膜层，层叠设置于钝化接触层上，第二钝化膜层覆盖第二表面，以至少覆盖钝化接触层；其中，减反射膜层还覆盖各侧面的至少部分，或者第二钝化膜层还覆盖各侧面的至少部分。本发明专利技术的太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统的能够提高效率。伏组件及光伏系统的能够提高效率。伏组件及光伏系统的能够提高效率。
【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。
技术介绍
[0002]随着光伏产业技术的快速发展，国内外市场对太阳能电池的转换效率也提出越来越高的需求，业内众多厂商均在积极进行高效电池的开发与研究。其中，表面钝化接触技术近年成为业内的研究热点，TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact）技术是指在电池表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅薄层，二者共同形成钝化接触结构，能够极大地降低金属接触复合电流，提升电池的开路电压和短路电流。然而相关技术的TOPCon电池中在电池边缘面存在大量的复合，导致太阳能电池的效率较低。
技术实现思路
[0003]鉴于上述问题，本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，能够提高太阳能电池的效率。
[0004]本专利技术实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，包括相对设置的第一表面、第二表面，以及邻接于第一表面和第二表面之间的多个侧面；掺杂导电层和第一钝化膜层，依次层叠设置于第一表面，且仅覆盖第一表面；减反射膜层，层叠设置于第一钝化膜层上，减反射膜层覆盖第一表面，以至少覆盖第一钝化膜层；钝化接触层，设于第二表面；以及第二钝化膜层，层叠设置于钝化接触层上，第二钝化膜层覆盖第二表面，以至少覆盖钝化接触层；其中，减反射膜层还覆盖各侧面的至少部分，或者第二钝化膜层还覆盖各侧面的至少部分。
[0005]通过使减反射膜层还覆盖各侧面的至少部分，或者第二钝化膜层还覆盖各侧面的至少部分，基底侧面的至少部分区域被减反射膜或者第二钝化膜层保护在内，能够对太阳能电池对应该侧面的边缘面进行钝化，减少太阳能电池边缘面的复合，提高太阳能电池的效率。
[0006]优选地，减反射膜层至少完全覆盖各侧面；且，至少完全覆盖钝化接触层的与该侧面位于同侧的表面。
[0007]优选地，减反射膜层还覆盖至第二表面的邻接于侧面的至少部分区域；或者，减反射膜层的沿基底的厚度方向的边缘，与钝化接触层的远离基底的表面齐平。
[0008]优选地，第二钝化膜层覆盖减反射膜层的至少部分。
[0009]优选地，基底的侧面在该侧面的法线方向上，与掺杂导电层、第一钝化膜层、减反射膜层中与该侧面位于同侧的边缘齐平；第二钝化膜层部分结构设置在各侧面上，并至少完全覆盖各侧面；且，至少完全覆盖掺杂导电层、第一钝化膜层、减反射膜层中与各侧面位于同侧的边缘。
[0010]优选地，第二钝化膜层还覆盖至第一表面的邻接于各侧面的至少部分区域；或者，第二钝化膜层的沿基底的厚度方向的边缘，与减反射膜层的沿基底的厚度方向的外表面齐平。
[0011]本专利技术实施例还提供一种太阳能电池的制作方法，包括：提供基片；基片包括基底、掺杂导电材料层、第一钝化膜层以及钝化接触层；基底包括相对设置的第一表面、第二表面，以及邻接于第一表面和第二表面之间的多个侧面，掺杂导电层和第一钝化膜层依次层叠设置于第一表面，且仅覆盖第一表面，钝化接触层设于第二表面；在第一钝化膜层上形成减反射膜层，减反射膜层覆盖第一表面，以至少覆盖第一钝化膜层；在钝化接触层上形成第二钝化膜层，第二钝化膜层覆盖第二表面，以完全覆盖钝化接触层；其中，减反射膜层或者第二钝化膜层还覆盖各侧面的至少部分。
[0012]优选地，在第一钝化膜层上形成减反射膜层的步骤包括：在基片的钝化接触层朝向定位舟片的状态下，将基片卡设于定位舟片上设置的各卡点之间，并在基片上未被遮挡的表面上形成减反射材料；调整各卡点与基底的侧面的相对位置，并继续在基片上未被遮挡的表面上形成减反射材料，以在第一钝化膜层上形成减反射膜层，其中，减反射膜层至少覆盖第一钝化膜层、各侧面以及钝化接触层的与该侧面位于同侧的表面。
[0013]优选地，在基片的钝化接触层贴合至定位舟片的状态下，形成的减反射膜层的沿基底的厚度方向的边缘，与钝化接触层的远离基底的表面齐平；在基片的钝化接触层与定位舟片具有间距的状态下，形成的减反射膜层还覆盖至钝化接触层的邻接于侧面的至少部分区域。
[0014]优选地，基底的侧面在该侧面的法线方向上，与掺杂导电层、第一钝化膜层、减反射膜层中与该侧面位于同侧的边缘齐平；在钝化接触层上形成第二钝化膜层的步骤包括：在减反射膜层朝向定位舟片的状态下，将第一结构体卡设于定位舟片上设置的各卡点之间，并在第一结构体上未被遮挡的表面上形成第二钝化材料，其中，第一结构体为形成有减反射膜层的基片；调整各卡点与基底的侧面的相对位置，并继续在第一结构体上未被遮挡的表面上形成第二钝化材料，以在钝化接触层上形成第二钝化膜层；其中，第二钝化膜层至少完全覆盖基底的各侧面；且，至少完全覆盖掺杂导电层、第一钝化膜层、减反射膜层中与各侧面位于同侧的边缘。
[0015]优选地，在减反射膜层贴合至定位舟片的状态下，形成的第二钝化膜层的沿基底的厚度方向的边缘，与减反射膜层的沿基底的厚度方向的外表面齐平；
在减反射膜层与定位舟片具有间距的状态下，形成的第二钝化膜层还覆盖至第一表面的邻接于各侧面的至少部分区域。
[0016]优选地，提供基片的步骤包括：在基底的第一表面形成掺杂导电层；在基底的第二表面形成钝化接触层；在掺杂导电层上形成第一钝化膜层。
[0017]本专利技术实施例还提供一种光伏组件，包括至少一个电池串，电池串包括上述的太阳能电池。
[0018]本专利技术实施例还提供一种光伏系统，包括上述的光伏组件。
附图说明
[0019]图1是本申请实施例提供的太阳能电池的结构示意图；图2是对图1所示的太阳能电池进行改进的结构示意图；图3是本申请实施例提供的另一种结构的太阳能电池的示意图；图4是对图3所示的太阳能电池进行改进的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的太阳能电池的制作方法的流程示意图；图6是本专利技术实施例提供的太阳能电池的制作方法中定位工装的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的太阳能电池的制作方法中基片的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的太阳能电池的制作方法中形成减反射膜层的示意图；图9是本专利技术实施例提供的太阳能电池的制作方法中形成第二钝化膜层的示意图；图10是本专利技术实施例提供的太阳能电池的另一种制作方法中形成减反射膜层的示意图；图11是本专利技术实施例提供的太阳能电池的另一种制作方法中形成第二钝化膜层的示意图。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0021]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：基底，包括相对设置的第一表面、第二表面，以及邻接于所述第一表面和所述第二表面之间的多个侧面；掺杂导电层和第一钝化膜层，依次层叠设置于所述第一表面，且所述掺杂导电层和所述第一钝化膜层仅覆盖所述第一表面；减反射膜层，层叠设置于所述第一钝化膜层上，所述减反射膜层覆盖所述第一表面，以至少覆盖所述第一钝化膜层；钝化接触层，设于所述第二表面；以及第二钝化膜层，层叠设置于所述钝化接触层上，所述第二钝化膜层覆盖所述第二表面，以至少覆盖所述钝化接触层；其中，所述减反射膜层还覆盖各所述侧面的至少部分，或者所述第二钝化膜层还覆盖各所述侧面的至少部分。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射膜层至少完全覆盖各所述侧面；且，至少完全覆盖所述钝化接触层的与该所述侧面位于同侧的表面。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射膜层还覆盖至所述第二表面的邻接于所述侧面的至少部分区域；或者，所述减反射膜层的沿所述基底的厚度方向的边缘，与所述钝化接触层的远离所述基底的表面齐平。4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化膜层覆盖所述减反射膜层的至少部分。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底的侧面在该所述侧面的法线方向上，与所述掺杂导电层、所述第一钝化膜层、所述减反射膜层中与该所述侧面位于同侧的边缘齐平；所述第二钝化膜层部分结构设置在各侧面上，并至少完全覆盖各所述侧面；且，至少完全覆盖所述掺杂导电层、所述第一钝化膜层、所述减反射膜层中与各所述侧面位于同侧的边缘。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化膜层还覆盖至所述第一表面的邻接于各所述侧面的至少部分区域；或者，所述第二钝化膜层的沿所述基底的厚度方向的边缘，与所述减反射膜层的沿所述基底的厚度方向的外表面齐平。7.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供基片；所述基片包括基底、掺杂导电材料层、第一钝化膜层以及钝化接触层；所述基底包括相对设置的第一表面、第二表面，以及邻接于所述第一表面和所述第二表面之间的多个侧面，所述掺杂导电层和所述第一钝化膜层依次层叠设置于所述第一表面，且仅覆盖所述第一表面，所述钝化接触层设于所述第二表面；在所述第一钝化膜层上形成减反射膜层，所述减反射膜层覆盖所述第一表面，以至少覆盖所述第一钝化膜层；在所述钝化接触层上形成第二钝化膜层，所述第二钝化膜层覆盖所述第二表面，以完
全覆盖所述钝化接触层；其中，所述减反射膜层或者所述第二钝化膜层还覆盖各所述侧面的至少部分。8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈红，陈奕峰，刘迪，杜文星，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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