一种基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路，可应用于单相全桥逆变器。本发明专利技术通过将输入电容分裂构造中性点；将输出滤波电感电容分裂，结合中性点实现电压钳位；通过两个与分裂电感耦合的辅助绕组感应出与原始噪声源波形形状相同，幅值成比例的补偿电压，经过四个补偿电容构成的注入支路注入回输入直流母线，反向抵消变换器内的共模传导电磁干扰。本发明专利技术在滤波电感与辅助绕组理想耦合的条件下，可以几乎完全抵消变换器内的共模传导电磁干扰；在滤波电感与辅助绕组非理想耦合的条件下，可在150kHz

【技术实现步骤摘要】
一种基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路


[0001]本专利技术涉及开关电源传导电磁干扰的建模与抑制领域，特别涉及一种基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路。

技术介绍

[0002]随着宽禁带器件的广泛应用，功率变换器的开关频率越来越高，其PCB布局也越发紧凑。越发快速的开关动作导致了极高的电压电流变化率，并通过寄生电容与电感传导或辐射，引发了严重的电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)。严重的电磁干扰噪声不仅会通过近场耦合的方式影响到变换器内部元件的正常工作，还可能通过导线传导或者向外辐射的方式影响到周围环境中其它电子设备的正常工作。因此，各个国家和地区均制定了不同应用场景下电力电子产品的电磁兼容强制标准。降低电磁干扰成为电力电子产品投产应用的一道门槛。
[0003]常规的电磁干扰抑制方法包括无源EMI滤波器与有源EMI滤波器(Active EMI Filters,AEFs)。然而，受制于安全规范，传统的无源EMI滤波器无法使用较大容值的Y电容，因而工程师们不得不相应地提高滤波电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路，可应用于单相全桥逆变器，电路包括：两个分裂的输入电容C
in1
与C
in2
，两个分裂的滤波电感L1与L2，两个分裂的输出滤波电容C
o1
与C
o2
，两个分别和分裂滤波电感L1与L2相耦合的辅助绕组L
aux1
与L
aux2
以及四个用于反向注入的补偿电容C
comp1
、C
comp2
、C
comp3
、C
comp4
，其特征在于：两个输入电容C
in1
与C
in2
一端相互连接，形成中性点N，另一端分别与输入直流正负母线相连；两个分裂的滤波电感L1与L2一端分别与单相全桥逆变器的两个MOS桥臂中点相连，另一端分别与输出滤波电容C
o1
与C
o2
相连；两个输出滤波电容C
o1
与C
o2
一端相互连接，并连接到中性点N，另一端分别与分裂的滤波电感L1与L2相连接；四个补偿电容C
comp1
、C
comp2
、C
comp3
、C
comp4
两两成对，一端相互连接，另一端分别连接到输入直流正负母线；两个辅助绕组L
aux1
与L
aux2
分别与分裂的滤波电感L1与L2相耦合，一端连接到逆变器的公共地上，另一端则分别连接到补偿电容形成的桥臂的中点；辅助绕组连接到补偿电容构成的桥臂中点的一端与分裂滤波电感连接到MOS管构成的桥臂中点的一端互为同名端。2.根据权利要求1所述基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路的电路结构，其特征在于：所述两个输入电容C
in1
与C
in2
的容值、型号、封装、规格等均完全相同，即：C
in1
＝C
in2
3.根据权利要求1所述基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路的电路结构，其特征在于：所述两个输入电容C
in1
与C
in2
用于构造中性点，其耐压需高于单相全桥逆变器输入母线电压的一半，其容值应选择10μF以上；所述基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路应用于单极性倍频调制的单相全桥逆变器时，两个输入电容需使用多个MLCC电容或CBB电容并联。4.根据权利要求1所述基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路的电路结构，其特征在于：所述两个输出滤波电感L1与L2由传统单相全桥逆变器的输出滤波电感L分裂而来，其感值、型号、封装、规格完全相同，感值大小满足：5.根据权利要求1所述基于分裂电感分裂电容的共模传导电磁干扰抑制电路的电路结构，其特征在于：所述两个输出滤波电容C
o1
与C
o2
由传统单相全桥逆变器的输出滤波电容C
o
分裂而来，其容值、型号、封装、规格完全相同，容值大小满足：C
o1
＝C
o2
＝2C
o
6.根据权利要求1所述基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云，陈文洁，孟鑫，任鹏远，陈钰宣，苏鼎，孙昰行，周永兴，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：