一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用，属于复合压电薄膜技术领域。本发明专利技术提供了一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜，包括聚偏氟乙烯薄膜和所述聚偏氟乙烯薄膜表面的铜网格。铜网格具有传输电子的能力，聚偏氟乙烯是绝缘体，同时也是压电高分子，在受到外力产生电压后，自身不能将电荷传输汇聚，外加了铜网格后可以将正负电荷汇聚到聚偏氟乙烯复合压电薄膜的两侧，从而使其在相同的压力下产生更大的电压。力下产生更大的电压。力下产生更大的电压。

【技术实现步骤摘要】
一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及复合压电薄膜
，尤其涉及一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]压电材料是指受到外力的作用时在两端出现电压的晶体材料，能够实现机械能和电能之间的相互转化。
[0003]聚偏氟乙烯作为半结晶型高分子材料，具有α、β、γ、δ和ε五个晶相，其中β相的压电性能最好。但是β相聚偏氟乙烯的在压力下产生电压的能力仍需进一步提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用，本专利技术的聚偏氟乙烯复合压电薄膜在压力下可产生高电压。
[0005]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]本专利技术提供了一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜，包括聚偏氟乙烯薄膜和所述聚偏氟乙烯薄膜表面的铜网格。
[0007]优选的，所述聚偏氟乙烯薄膜的厚度为1.16～1.66μm。
[0008]优选的，所述铜网格中网格线的宽度为0.4～1.1μm。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜，其特征在于，包括聚偏氟乙烯薄膜和所述聚偏氟乙烯薄膜表面的铜网格。2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯复合压电薄膜，其特征在于，所述聚偏氟乙烯薄膜的厚度为1.16～1.66μm。3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯复合压电薄膜，其特征在于，所述铜网格中网格线的宽度为0.4～1.1μm。4.根据权利要求1或3所述的聚偏氟乙烯复合压电薄膜，其特征在于，在波长为550nm光的照射下，所述铜网格的光透过率大于80％。5.权利要求1～4任一项所述聚偏氟乙烯复合压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将掩膜液涂布在基底上后进行蒸发，形成裂纹网格，得到表面部分覆盖有掩膜层的基底；在所述表面部分覆盖有掩膜层的基底沉积铜后去除掩膜层，得到铜网格；将所述铜网格和聚偏氟乙烯薄膜复合，得到所述聚偏氟乙烯复合压电薄膜。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘萍，彭磊，蒋兴旺，刘黎明，高庆国，易子川，
申请(专利权)人：电子科技大学中山学院，
类型：发明
国别省市：