宽范围超低压煤矿本安电源装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的一种宽范围超低压煤矿本安电源装置，包括无极性输入模块、启动模块、启动控制模块和升压模块；所述无极性输入模块的输入端连接于直流电源，无极性输入模块的输出端连接于启动模块的输入端，所述启动模块的输出端连接于启动控制模块的启动输入端，启动模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，所述启动控制模块的输出端连接于升压模块的输入端，所述升压模块的输出端向负载供电；能够有效增加电源的输入直流电压的范围，而且在超低压的输入时，能够同样能够使得本安电源能够稳定可靠运行，从而有效提升电源的适应能力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
宽范围超低压煤矿本安电源装置


[0001]本专利技术涉及一种电源装置，尤其涉及一种宽范围超低压煤矿本安电源装置。

技术介绍

[0002]在煤矿中需要采用本安电源进行供电，煤矿的本安电源的输入电压范围一般在直流12V
‑
190V或者交流127V
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660V范围内，但是，现有的直流本安电源的输入范围较窄，且不能进行超低压输入，从而使得本安电源的适应能力不足，而且当电压较低时，即低于12V时，则导致整个电源不能启动。
[0003]因此，为了解决上述技术问题，亟需提出一种新的技术手段。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种宽范围超低压煤矿本安电源装置，能够有效增加电源的输入直流电压的范围，而且在超低压的输入时，能够同样能够使得本安电源能够稳定可靠运行，从而有效提升电源的适应能力。
[0005]本专利技术提供的一种宽范围超低压煤矿本安电源装置，包括无极性输入模块、启动模块、启动控制模块和升压模块；
[0006]所述无极性输入模块的输入端连接于直流电源，无极性输入模块的输出端连接于启动模块的输入端，所述启动模块的输出端连接于启动控制模块的启动输入端，启动模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，所述启动控制模块的输出端连接于升压模块的输入端，所述升压模块的输出端向负载供电；
[0007]所述启动模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、二极管D5、电容C2以及耗尽型的NMOS管Q1；
[0008]电阻R1的一端作为启动模块的输入端连接于无极性输入模块的输出端，电阻R1的另一端与NMOS管Q1的漏极连接，NMOS管Q1的栅极通过电阻R2连接于稳压管ZD1的负极，稳压管ZD1的正极接地，NMOS管Q1的源极通过电阻R3和电阻R4并联后通过连接于电容C2的一端，电容C2的另一端接地，电阻R3和电容C2之间的公共连接点连接于稳压管ZD1的负极，电阻R3和电容C2之间的公共连接点连接于二极管D5的正极，二极管D5的负极作为启动模块的输出端。
[0009]进一步，所述启动控制模块包芯片IC2、电阻R6、电阻R7、电阻R5、电阻R8、电容C3、电容C4、电容C5和电容C6；
[0010]电阻R6的一端作为启动控制模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，电阻R6的另一端连接于芯片IC2的4引脚，芯片IC2的4引脚通过电阻R5和电容C3并联后接地；
[0011]电阻R7的一端作为启动控制模块的第一启动输入端连接于启动模块的输出端，电阻R7的另一端连接于芯片IC2的3引脚，芯片IC2的3引脚通过电阻R8和电容C5并联后接地；
[0012]芯片IC2的2引脚接地，芯片IC2的5引脚通过电容C4接地，芯片IC2的5引脚作为启
动控制模块的第二启动输入端连接于启动模块的输出端；芯片IC2的1引脚和6引脚作为启动控制模块的输出端且通过电容C6和电阻R10并联后接地；
[0013]其中：芯片IC2为TPS3701芯片。
[0014]进一步，所述升压模块包括芯片IC1、电阻R11、电阻R9、电容C7、电容C8、电容C9以及反激模块；
[0015]芯片IC1的7引脚作为升压模块的输入端，芯片IC1的1引脚通过电容C8和电容C9并联后接地，芯片IC1的1引脚连接于启动模块的输出端，芯片IC1的7引脚通过电阻R11连接于启动模块的输入端，芯片IC1的9引脚通过电阻R9接地，芯片IC1的10引脚通过电阻C7接地，芯片IC1的6引脚接地，芯片IC1的5引脚为输出端连接于反激模块的控制输入端，反激模块的输出端向负载供电；芯片IC1为LM5022。
[0016]进一步，所述无极性输入模块包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4和电容C1；
[0017]二极管D1的正极连接于二极管D2的负极，二极管D3的正极连接于二极管D4的负极，二极管D2和二极管D4的正极接地，二极管D1和二极管D3的负极通过电容C1接地，二极管D4和电容C1的公共连接点作为无极性输入模块的输出端，二极管D1的正极作为无极性输入模块的第一输入端，二极管D2的正极作为无极性输入模块的第二输入端。
[0018]本专利技术的有益效果：能够有效增加电源的输入直流电压的范围，而且在超低压的输入时，能够同样能够使得本安电源能够稳定可靠运行，从而有效提升电源的适应能力。
附图说明
[0019]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述：
[0020]图1为本专利技术的结构示意图。
[0021]图2为本专利技术的无极性输入模块的原理图。
[0022]图3为本专利技术的启动模块原理图。
[0023]图4为本专利技术的启动控制模块和升压模块原理图。
具体实施方式
[0024]以下进一步对本专利技术做出说明：
[0025]本专利技术提供的一种宽范围超低压煤矿本安电源装置，包括无极性输入模块、启动模块、启动控制模块和升压模块；
[0026]所述无极性输入模块的输入端连接于直流电源，无极性输入模块的输出端连接于启动模块的输入端，所述启动模块的输出端连接于启动控制模块的启动输入端，启动模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，所述启动控制模块的输出端连接于升压模块的输入端，所述升压模块的输出端向负载供电；
[0027]所述启动模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、二极管D5、电容C2以及耗尽型的NMOS管Q1；
[0028]电阻R1的一端作为启动模块的输入端连接于无极性输入模块的输出端，电阻R1的另一端与NMOS管Q1的漏极连接，NMOS管Q1的栅极通过电阻R2连接于稳压管ZD1的负极，稳压管ZD1的正极接地，NMOS管Q1的源极通过电阻R3和电阻R4并联后通过连接于电容C2的一端，
电容C2的另一端接地，电阻R3和电容C2之间的公共连接点连接于稳压管ZD1的负极，电阻R3和电容C2之间的公共连接点连接于二极管D5的正极，二极管D5的负极作为启动模块的输出端；通过上述结构，能够有效增加电源的输入直流电压的范围，而且在超低压的输入时，能够同样能够使得本安电源能够稳定可靠运行，从而有效提升电源的适应能力。
[0029]由于耗尽型NMOS管为常闭型器件，当上电后，Q1就导通，从而向电容C2充电，也就是说：不管高压输入还是低压输入，都能够满足后续供电的驱动需求，从而能够提升电压输入范围，而且ZD1用于钳压，不管高压输入还是低压输入都不会超过ZD1的阈值，从而能够有效保证工作的稳定性和安全性，在高压时能够确保安全性，即使输入电压达到8V的超低压情况下也能够保证电源稳定供电，而且高压能够达到300V。
[0030]本实施例中，所述启动控制模块包芯片IC2、电阻R6、电阻R7、电阻R5、电阻R8、电容C3、电容C4、电容C5和电容C6；
[0031]电阻R6的一端作为启动控制模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽范围超低压煤矿本安电源装置，其特征在于：包括无极性输入模块、启动模块、启动控制模块和升压模块；所述无极性输入模块的输入端连接于直流电源，无极性输入模块的输出端连接于启动模块的输入端，所述启动模块的输出端连接于启动控制模块的启动输入端，启动模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，所述启动控制模块的输出端连接于升压模块的输入端，所述升压模块的输出端向负载供电；所述启动模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、二极管D5、电容C2以及耗尽型的NMOS管Q1；电阻R1的一端作为启动模块的输入端连接于无极性输入模块的输出端，电阻R1的另一端与NMOS管Q1的漏极连接，NMOS管Q1的栅极通过电阻R2连接于稳压管ZD1的负极，稳压管ZD1的正极接地，NMOS管Q1的源极通过电阻R3和电阻R4并联后通过连接于电容C2的一端，电容C2的另一端接地，电阻R3和电容C2之间的公共连接点连接于稳压管ZD1的负极，电阻R3和电容C2之间的公共连接点连接于二极管D5的正极，二极管D5的负极作为启动模块的输出端。2.根据权利要求1所述宽范围超低压煤矿本安电源装置，其特征在于：所述启动控制模块包芯片IC2、电阻R6、电阻R7、电阻R5、电阻R8、电容C3、电容C4、电容C5和电容C6；电阻R6的一端作为启动控制模块的电源输入端连接于无极性输入模块的输出端，电阻R6的另一端连接于芯片IC2的4引脚，芯片IC2的4引脚通过电阻R5和电容C3并联后接地；电阻R7的一端作为启动控制模块的第一启动输入端连接于启动模块的输出端，电阻R7的另一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁明洋，周波，刘炽，秦华，阮东明，唐登，张东平，
申请(专利权)人：重庆梅安森科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：