一种氧化亚镍／硅纳米线和制备方法及应用于制备可集成超级电容器电极材料技术

本发明专利技术公开了一种氧化亚镍／硅纳米线（ＮｉＯ／ＳｉＮＷｓ）及将这种材料应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。其制备方法包括如下步骤：（１）以硅纳米线为骨架，在硅纳米线上以无电镀技术沉积镍薄膜，制得镍－硅纳米线复合物；（２）将所得镍－硅纳米线复合物经过快速热退火氧化处理。本发明专利技术利用硅纳米线具有的尺度小、比表面积大、表面原子存在大量未饱和键，具有很强的表面活性等优点，以其作为负载ＮｉＯ纳米结构的骨架，所得到的氧化亚镍／硅纳米线有较高的比电容、较低的等效内阻、良好的充放电特性，而且与集成电路工艺兼容，可应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氧化亚镍／硅纳米线，其特征在于，其制备方法包括如下步骤：　（１）以硅纳米线为骨架，在硅纳米线上以无电镀技术沉积镍薄膜，制得镍－硅纳米线复合物；　（２）将所得镍－硅纳米线复合物经过快速热退火氧化处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶佰睿，苗凤娟，李辉麟，姚伟，陈雪皎，张健，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]