一种升降压自动调节电路制造技术

技术编号:38094601 阅读:9 留言:0更新日期:2023-07-06 09:08
本发明专利技术涉及一种升降压电路,应用于电源变换控制技术领域,包括:通过设置电感器,两个功率管,一个线性降压控制电路、开关升压控制电路以及一个选择电路,通过选择电路根据电压调节器的基准电压与电源输入端的电压的大小,选择电路升压还是电路降压;当电路升压时,通过控制两个功率管的导通与开断,从而控制电感器L1的充能与放能,实现电路升压;当电路降压时,通过控制MOS管S2的导通阻抗变化从而实现电路降压;相较于现有技术中同时实现升降压功能需要四个功率管,本申请使用两个功率管就可实现升降压功能,成本大为降低,且由于本申请在升压与降压时,两个功率管并没有同时串联导通,所以本申请的电路损耗相较于现有技术更少。所以本申请的电路损耗相较于现有技术更少。所以本申请的电路损耗相较于现有技术更少。

【技术实现步骤摘要】
一种升降压自动调节电路


[0001]本专利技术涉及电源输出控制
,具体涉及一种升降压自动调节电路。

技术介绍

[0002]当前的DC/DC按输入输出电压的不同通常分为升压型、降压型、以及升降压型,传统的升降压DC/DC由开关变换电路实现,通常有四个功率管,由于功率管数量多,且由于使用了四个功率管,成本较高;同时任何功率传输时刻都有两个功率管串联使用,效率较低并且控制复杂。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种升降压调节电路,以解决现有技术中,同时实现升降压功能需要四个功率管、成本较高,且任何功率传输时刻都有两个功率管串联使用,效率较低并且控制复杂的问题。
[0004]根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种升降压自动调节电路,所述电路包括:
[0005]电感器L1、MOS管S1、MOS管S2、线性降压控制电路、开关升压控制电路以及选择电路;
[0006]所述电感器L1的一端与电源输入端连接,所述电感器L1的另一端分别与MOS管S1的电流输入端以及MOS管S2的电流输入端连接,所述MOS管S1的电流输出端接地,所述MOS管S2的电流输出端与电源输出端连接;
[0007]所述MOS管S1以及MOS管S2的栅极分别与开关升压控制电路的输出端连接,所述MOS管S2的栅极还与线性降压控制电路连接,所述选择电路分别与开关升压控制电路以及线性降压控制电路连接;
[0008]所述选择电路用于根据所述电源输入端的电压与基准电压的大小,选择开关升压控制电路或线性降压控制电路;
[0009]所述开关升压控制电路用于控制MOS管S1以及MOS管S2的导通与关断,从而控制电感器L1的充能与放能,实现电路升压;
[0010]所述线性降压控制电路用于控制MOS管S2的导通阻抗从而实现电路降压。
[0011]优选地,还包括:
[0012]电压调节器,所述电压调节器分别与所述选择电路以及线性降压控制电路连接,用于调节所述选择电路以及线性降压控制电路的基准电压。
[0013]优选地,
[0014]所述选择电路包括:比较器;
[0015]所述比较器的一个输入端用于获取电源输入端电压,所述比较器的另一个输入端连接所述电压调节器;
[0016]所述比较器的输出端与所述开关升压控制电路以及线性降压控制电路连接。
[0017]优选地,
[0018]所述开关升压控制电路包括:PWM控制驱动器以及PWM生成器;
[0019]所述PWM生成器用于生成PWM信号并发送给PWM控制驱动器;
[0020]所述PWM控制驱动器用于根据PWM信号控制MOS管S1以及MOS管S2的导通与开断;
[0021]所述PWM控制驱动器还用于接收所述比较器的信号,根据所述比较器的信号选择升压模式或降压模式。
[0022]优选地,
[0023]所述升压模式包括:
[0024]所述MOS管S1为NMOS管,所述MOS管S2为PMOS管,或,所述MOS管S1以及MOS管S2均为NMOS管;
[0025]当所述MOS管S1为NMOS管,所述MOS管S2为PMOS管时,所述PWM控制驱动器将所述PWM生成器生成的相同的PWM信号分别发送给MOS管S1以及MOS管S2;
[0026]根据所述PWM信号,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S1以及MOS管S2同时发送高电平,所述MOS管S1接收高电平导通,所述MOS管S2接收高电平开断,为所述电感器L1的充能,此时MOS管S2输出端没有输出电流;随着PWM信号的持续进入,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S1以及MOS管S2同时发送低电平,所述MOS管S1接收低电平开断,所述MOS管S2接收低电平导通,所述电感器L1放能,电源输出端电压升高;
[0027]所述MOS管S1以及MOS管S2均为NMOS管时,所述PWM控制驱动器内设置有反相器,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S2发送的高低电平信号先经过所述反相器进行信号反转;
[0028]根据所述PWM信号,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S1以及MOS管S2同时发送高电平,所述MOS管S1接收高电平导通,所述MOS管S2接收经过反相器反相后的低电平开断,为所述电感器L1的充能,此时MOS管S2输出端没有输出电流;随着PWM信号的持续进入,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S1以及MOS管S2同时发送低电平,所述MOS管S1接收低电平开断,所述MOS管S2接收经过反相器反相后的高电平导通,所述电感器L1放能,电源输出端电压升高。
[0029]优选地,
[0030]所述线性降压控制电路包括:误差放大器以及开关K;
[0031]所述误差放大器的一个输入端用于获取电源输出端电压,所述误差放大器的另一个输入端连接所述电压调节器;
[0032]所述误差放大器的输出端分别连接所述PWM生成器的输入端以及MOS管S2的栅极;
[0033]所述开关K设置在所述PWM控制驱动器以及MOS管S2的栅极之间;
[0034]所述开关K与所述比较器的输出端连接。
[0035]优选地,
[0036]所述降压模式包括:
[0037]当所述比较器的电源输入端电压高于所述电压调节器给的基准电压时,比较器的输出端信号一方面使得开关K开断,所述PWM控制驱动器输出到MOS管S2栅极的路径始终处于高阻态;另一方面进入到PWM控制驱动器中,所述PWM控制驱动器使得MOS管S1始终处于开断状态;
[0038]当所述电源输出端电压不等于所述电压调节器给的基准电压时,所述误差放大器输出误差电压信号给MOS管S2的栅极,调节所述MOS管S2的导通阻抗,从而调节所述MOS管S2
的压降,使得所述电源输出端电压等于基准电压的设定值。
[0039]优选地,还包括:
[0040]分压电阻Ra1、分压电阻Ra2、分压电阻Rb1以及分压电阻Rb2;
[0041]所述分压电阻Ra1的一端连接在所述电源输入端与所述电感器L1之间,所述分压电阻Ra1的另一端与所述分压电阻Ra2的一端连接,所述分压电阻Ra2的另一端接地;
[0042]所述比较器的一个输入端连接在所述分压电阻Ra1以及分压电阻Ra2之间;
[0043]所述分压电阻Rb1的一端连接在所述MOS管S2与所述电源输出端之间,所述分压电阻Rb1的另一端与所述分压电阻Ra2的一端连接,所述分压电阻Ra2的另一端接地;
[0044]所述误差放大器的一个输入端连接在所述分压电阻Rb1以及分压电阻Rb2之间。
[0045]优选地,
[0046]所述线性降压控制电路还包括:
[0047]缓冲器BUF;
[0048]所述缓冲器BUF的使能端与所述比较器的输出端连接,所述缓冲器BUF的输入端连接在所述误差放大器的输出端与所述PWM生成器的输入端之间;
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种升降压自动调节电路,其特征在于,所述电路包括:电感器L1、MOS管S1、MOS管S2、线性降压控制电路、开关升压控制电路以及选择电路;所述电感器L1的一端与电源输入端连接,所述电感器L1的另一端分别与MOS管S1的电流输入端以及MOS管S2的电流输入端连接,所述MOS管S1的电流输出端接地,所述MOS管S2的电流输出端与电源输出端连接;所述MOS管S1以及MOS管S2的栅极分别与开关升压控制电路的输出端连接,所述MOS管S2的栅极还与线性降压控制电路连接,所述选择电路分别与开关升压控制电路以及线性降压控制电路连接;所述选择电路用于根据所述电源输入端的电压与基准电压的大小,选择开关升压控制电路或线性降压控制电路;所述开关升压控制电路用于控制MOS管S1以及MOS管S2的导通与关断,从而控制电感器L1的充能与放能,实现电路升压;所述线性降压控制电路用于控制MOS管S2的导通阻抗从而实现电路降压。2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:电压调节器,所述电压调节器分别与所述选择电路以及线性降压控制电路连接,用于调节所述选择电路以及线性降压控制电路的基准电压。3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述选择电路包括:比较器;所述比较器的一个输入端用于获取电源输入端电压,所述比较器的另一个输入端连接所述电压调节器;所述比较器的输出端与所述开关升压控制电路以及线性降压控制电路连接。4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述开关升压控制电路包括:PWM控制驱动器以及PWM生成器;所述PWM生成器用于生成PWM信号并发送给PWM控制驱动器;所述PWM控制驱动器用于根据PWM信号控制MOS管S1以及MOS管S2的导通与开断;所述PWM控制驱动器还用于接收所述比较器的信号,根据所述比较器的信号选择升压模式或降压模式。5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述升压模式包括:所述MOS管S1为NMOS管,所述MOS管S2为PMOS管,或,所述MOS管S1以及MOS管S2均为NMOS管;当所述MOS管S1为NMOS管,所述MOS管S2为PMOS管时,所述PWM控制驱动器将所述PWM生成器生成的相同的PWM信号分别发送给MOS管S1以及MOS管S2;根据所述PWM信号,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S1以及MOS管S2同时发送高电平,所述MOS管S1接收高电平导通,所述MOS管S2接收高电平开断,为所述电感器L1的充能,此时MOS管S2输出端没有输出电流;随着PWM信号的持续进入,所述PWM控制驱动器向所述MOS管S1以及MOS管S2同时发送低电平,所述MOS管S1接收低电平开断,所述MOS管S2接收低电平导通,所述电感器L1放能,电源输出端电压升高;所述MOS管S1以及MOS管S2均为NMOS管时,所述P...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾宪伟
申请(专利权)人:普敏半导体苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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