【技术实现步骤摘要】
一种旋涂工艺原位制备量子点掺杂聚合物薄膜材料的方法
[0001]本专利技术涉及一种基于旋涂工艺原位制备量子点掺杂聚合物薄膜材料的方法，通过该方法可以高效率的制备不同面积的量子聚合物薄膜的简便方法，以满足不同场合的需求。
技术介绍
[0002]量子点
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聚合物薄膜在量子点显示、太阳光集成器、以及LED光转换方面有着广泛的应用。传统的制备量子点
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聚合物薄膜的方法是物理共混法，主要包括两个步骤，首先在溶液状态下制备量子点，将量子点进行纯化后分散到极性有机溶剂中；然后将量子点直接或者经过配体交换后于聚合物进行共混，获得的共混溶液通过旋涂或者刮涂的方法制备成量子点
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聚合物薄膜。量子点在于聚合物直接共混之后仍具有稳定的发光性能以及吸光度，并且发光强度随着量子点含量的增加而增大，但是发光的颜色也会随着量子点的含量变化而变化，这就是由于量子点的团聚造成的。这种制备量子点
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聚合物薄膜的方法不仅程序繁琐，薄膜的简便方法的发光性能也容易随使用时间的延长而发生衰减。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种旋涂工艺原位制备量子点掺杂聚合物薄膜材料的方法，其特征在于：将制备量子点所需的前驱物组分溶解分散于相应的聚合物溶液中，通过控制前驱物在该聚合物溶液中的浓度和比例调控将制成的量子点掺杂聚合物的组成、尺寸和相貌；其步骤包括：步骤1：将镉前驱物于90℃条件下溶解于易挥发溶剂中，搅拌一段时间后形成透明溶液，在该透明溶液中加入聚合物，于该温度条件下搅拌均匀；待溶液恢复到室温后加入硒前驱物，搅拌后获得透明溶液；步骤2：取一定量步骤1中的透明溶液滴于基底上进行旋涂成型，待溶剂挥发完全后，可得到量子点前驱物
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聚合物预涂膜；步骤3：将量子点前驱物
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聚合物预涂膜在高于聚合物玻璃化转变温度条件下进行热处理，此热处理的过程就是量子点前驱物在聚合物基体中形成量子点的过程，改变热处理时间调控量子点的尺寸和形貌，热处理结束后冷却至室温，获得量子点掺杂聚合物薄膜材料。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1所述的量子点包括所有
Ⅱ‑Ⅵ
及
Ⅲ‑
V族半导体量子点，包括硒化镉量子点(CdSe)，碲化镉量子点(CdTe)，硫化镉量子点(CdS)，硫化铅量子点(PbS)，硒化铅量子点(PbSe)，碲化铅量子点(PbTe)，硒化锌量子点(ZnSe)，碲化锌量子点(ZnTe)，...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐建国，王乔，沈文飞，盛守祥，王瑶，赵锁，杜中林，王彦欣，郝祥龙，阿提米耶夫，程显玉，巩学忠，毛遂，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：
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