采用钝化界面间隙的电阻变化元件及其制造方法技术

一种制造电阻变化元件的方法。该方法可以包括在衬底之上形成叠层。所述叠层可以包括导电材料、电阻变化材料、第一表面和与第一表面相对的第二表面。该方法还可以包括在叠层之上沉积第一材料，使得第一材料与叠层的第一表面和第二表面中的至少一个直接接触。该方法还可以包括在沉积第一材料之后，在第一材料之上形成第二材料并通过第二材料蒸发第一材料的部分，以在第二材料与叠层的第一表面和第二表面中的至少一个之间产生间隙。中的至少一个之间产生间隙。中的至少一个之间产生间隙。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采用钝化界面间隙的电阻变化元件及其制造方法


[0001]本公开总体上涉及一种电阻变化(resistive change)元件，更具体地说，涉及制造电阻变化元件的方法，所述电阻变化元件具有将电阻变化材料与沉积在电阻变化元件之上的保护绝缘材料的侧壁分开的间隙。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请是一项国际申请(PCT)，并要求于2020年8月5日提交的、标题为“Resistive Change Elements Using Passivating Interface Gaps and Methods for Making Same”的美国专利申请NO.16/985,657的利益和优先权。此外，本申请与以下美国专利相关，这些专利被转让给本申请的受让人，并通过引用全部并入本申请：
[0004]2002年4月23日提交的、标题为“Methods of Nanotube Films and Articles”的美国专利No.6,835,591；
[0005]2003年1月13日提交的、标题为“Methods of Using Pre
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Formed Nanotubes to Make Carbon Nanotube Films,Layers,Fabrics,Ribbons,Elements,and Articles”的美国专利No.7,335,395；
[0006]2004年3月16日提交的、标题为“Nanotube Films and Articles”的美国专利No.6,706,402；
[0007]2004年6月9日提交的、标题为“Non
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Volatile Electromechanical Field Effect Devices and Circuits Using Same and Methods of Forming Same”的美国专利No.7,115,901；
[0008]2005年9月20日提交的、标题为“Resistive Elements Using Carbon Nanotubes”的美国专利No.7,365,632；
[0009]2005年11月15日提交的、标题为“Two
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Terminal Nanotube Devices and Systems and Methods of Making Same”的美国专利No.7,781,862；
[0010]2005年11月15日提交的、标题为“Memory Arrays Using Nanotube Articles with Reprogrammable Resistance”的美国专利No.7,479,654；
[0011]2007年8月8日提交的、标题为“Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same”的美国专利No.8,217,490；
[0012]2007年8月8日提交的、标题为“Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same”的美国专利No.7,835,170；
[0013]2007年8月8日提交的、标题为“Nonvolatile Resistive Memories Having Scalable Two
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Terminal Nanotube Switches”的美国专利No.8,102,018；
[0014]2009年1月20日提交的、标题为“Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same”的美国专利No.9,287,356；
[0015]2009年8月6日提交的、标题为“Nonvolatile Nanotube Programmable Logic Devices and a Nonvolatile Nanotube Field Programmable Gate Array Using Same”的美国专利No.8,319,205；
[0016]2009年10月23日提交的、标题为“Dynamic Sense Current Supply Circuit and Associated Method for Reading and Characterizing a Resistive Memory Array”的美国专利No.8,351,239；
[0017]2009年11月13日提交的、标题为“Method for Resetting a Resistive Change Memory Element”的美国专利No.8,000,127；
[0018]2010年9月1日提交的、标题为“A Method for Adjusting a Resistive Change Element Using a Reference”的美国专利No.8,619,450；
[0019]2010年9月2日提交的、标题为“Methods for Adjusting the Conductivity Range of a Nanotube Fabric Layer”的美国专利No.8,941,094；
[0020]2010年3月30日提交的、标题为“Methods for Arranging Nanoscopic Elements Within Networks,Fabrics,and Films”的美国专利No.9,422,651；
[0021]2012年12月17日提交的、标题为“Carbon Based Nonvolatile Cross Point Memory Incorporating Carbon Based Diode Select Devices And MOSFET Select Devices For Memory And Logic Applications”的美国专利No.9,390,790；
[0022]2015年2月27日提交的、标题为“Two
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Terminal Switching Device Using a Composite Material of Nanoscopic Particles and Carbon Nanotubes”的美国专利No.9,337,423；和
[0023]2017年4月12日提交的、标题为“Sealed Resistive Change Element本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造电阻变化元件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成叠层，所述叠层包括导电材料、电阻变化材料、第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述叠层之上沉积第一材料，使得所述第一材料与所述叠层的所述第一表面和所述第二表面中的至少一个直接接触；在沉积所述第一材料后，在所述第一材料之上形成第二材料；和通过所述第二材料蒸发所述第一材料的部分，以在所述第二材料与所述叠层的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个之间产生间隙。2.如权利要求1所述的方法，所述电阻变化材料为纳米管织物并且所述电阻变化材料通过旋涂操作来沉积。3.如权利要求1所述的方法，其中空气或真空之一在所述第二材料与所述叠层的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个之间的所述间隙中。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料为聚合物材料并且所述第二材料为氧化物材料。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二材料的所述形成是在第一温度下进行的，所述第一材料的所述部分的所述蒸发是在第二温度下进行的，并且所述第一温度低于所述第二温度。6.如权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述第二材料之前对所述第一材料进行蚀刻，所述蚀刻包括从所述叠层的第三表面移除所述第一材料以暴露所述叠层的所述第三表面。7.如权利要求6所述的方法，其中所述叠层形成在所述衬底的第一表面之上，所述叠层的所述第三表面基本上平行于所述衬底的所述第一表面，并且所述叠层的所述第一表面和所述第二表面基本上垂直于所述衬底的所述第一表面。8.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料是所述电阻变化元件的第一电极，并且所述方法还包括：在所述电阻变化元件的第一侧上形成第二电极，所述第一侧与所述电阻变化元件的与所述第一电极相邻的第二侧相对；在所述第一电极与所述第二电极之间沉积第二电阻变化材料；和在所述第一电极之上形成绝缘体材料，使得所述第一电极位于所述第二电阻变化材料与所述绝缘体材料之间，并且所述第一材料沉积在所述绝缘体材料之上。9.如权利要求1所述的方法，其中在所述叠层之上沉积所述第一材料包括将所述第一材料沉积到所述电阻变化材料的部分中，并且蒸发的所述第一材料的所述部分包括在所述电阻变化材料的所述部分中的所述第一材料。10.一种制造存储器元件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成第一导电材料；在所述第一导电材料之上沉积电阻变化材料；在所述电阻变化材料之上形成第二导电材料；使所述电阻变化材料的第一表面和第二表面暴露，同时所述电阻变化材料保持在所述第一导电材料与所述第二导电材料之间；
在暴露所述电阻变化材料的所述第一表面和所述第二表面之后，沉积蒸发材料，所述蒸发材料与所述电阻变化材料的暴露的第一表面和暴露的第二表面直接接触；在沉积所述蒸发材料之后，在所述蒸发材料之上形成覆盖材料；和通过所述覆盖材料蒸发所述蒸发材料的部分，以在所述覆盖材料与所述电阻变化材料的所述第一表面和所述第二表面之间产生间隙。11.如权利要求10所述的方法，其中暴露所述电阻变化材料的所述第一表面和所述第二表面包括蚀刻所述第二导电材料和所述电阻变化材料，以暴露所述电阻变化材料的所述第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面是所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：