一种单晶硅生产废水的深度处理方法技术

本发明专利技术涉及一种单晶硅生产废水的深度处理方法，金刚线切割液经隔膜压滤、气浮后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池，综合调节池废水经水解酸化、好氧活性污泥、臭氧氧化、MBR处理后达《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB 18918

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅生产废水的深度处理方法


[0001]本专利技术属于单晶硅生产废水处理领域。

技术介绍

[0002]单晶硅厂生产废水分为脱胶机废乳酸、切片机废水（金刚线切割液）、脱胶废水、清洗机槽液废水、清洗机溢流废水、插片机废水等 6 股废水，综合废水中主要含有硅粉、聚乙二醇、乳酸、柠檬酸、洗涤剂及少量的表面活性剂，且聚乙二醇、清洗剂和高分子表面活性剂等为难降解物质。根据同类厂家废水处理的实际情况，好氧生化处理后废水COD为100
‑
150 mg/L，且可生化性低，不能达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB 18918
‑
2002）一级A标准，即COD低于50 mg/L。

技术实现思路

[0003]考虑到好氧处理后废水的可生化性已经很低，因此采用臭氧氧化提高废水的可生化性，然后采用MBR工艺深度处理，最终实现达标排放，同时保证废水处理系统的稳定性和经济性。本专利技术旨为解决上述技术问题而提供一种单晶硅生产废水的深度处理方法。
[0004]一种单晶硅生产废水的深度处理方法包括如下流程：金刚线切割液经隔膜压滤、气浮等处理工艺后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮等处理工艺后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池；综合调节池废水进入水解酸化池；水解酸化池出水进入好氧活性污泥池；好氧活性污泥池出水进入臭氧氧化池；臭氧氧化池出水进入MBR池，MBR池出水达标排放。
[0005]所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过预处理后综合调节池中废水COD（化学需氧量）为600
‑
700 mg/L，BOD5（5日生化需氧量）/COD为0.12
‑
0.19，SS（悬浮固体浓度）为10
‑
50 mg/L。
[0006]所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过水解酸化处理后水解酸化池出水COD为400
‑
550 mg/L，BOD5/COD为0.32
‑
0.37。
[0007]所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过好氧活性污泥处理后，好氧活性污泥池出水COD为90
‑
150 mg/L，BOD5/COD为0.18
‑
0.25。
[0008]所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过臭氧氧化后，臭氧氧化池出水COD为80
‑
105 mg/L，BOD5/COD为0.35
‑
0.45。
[0009]所述单晶硅生产废水的深度处理方法，臭氧氧化池水力停留时间为35
‑
55分钟。
[0010]所述的晶硅生产废水的深度处理方法，经过内置式MBR处理后，MBR池出水COD低于50 mg/L。
[0011]综上，本专利技术的有益效果是：经过预处理之后，在两次改善单晶硅生产废水的可生化性后，废水可稳定达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB 18918
‑
2002）一级A标准排放，该处理方法改造成本低，运行成本低，耐冲击负荷能力强，产水水质佳且能稳定达标。
附图说明
[0012]附图1是本专利技术的工艺流程图。
具体实施方式
[0013]金刚线切割液经隔膜压滤、气浮等处理工艺后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮等处理工艺后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池，经过预处理后综合调节池中废水COD为620 mg/L，BOD5/COD为0.17，SS为42 mg/L。
[0014]综合调节池废水进入水解酸化池，水解酸化池水力停留时间24小时，池内悬挂弹性填料，采用潜水搅拌机搅拌，经过水解酸化处理后水解酸化池沉淀池出水COD为465 mg/L，BOD5/COD为0.32。
[0015]水解酸化池出水经沉淀池后，上清液进入好氧活性污泥池，好氧活性污泥池水力停留时间24小时，溶解氧浓度2.2 mg/L，污泥浓度3255 mg/L，经过好氧活性污泥处理后好氧活性污泥池沉淀池出水COD为112 mg/L，BOD5/COD为0.22。
[0016]好氧活性污泥池出水经沉淀池后，上清液进入臭氧氧化池，臭氧氧化池水力停留时间为40分钟，臭氧池出水COD为77 mg/L，BOD5/COD为0.36。
[0017]臭氧氧化池出水进入MBR池，MBR池采用内置式PVDF平板膜，MBR池水力停留时间为12小时，污泥浓度8946 mg/L，MBR池出水COD为35 mg/L，满足《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB 18918
‑
2002）一级A标准。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：所述方法包括如下流程：流程（1）：金刚线切割液经隔膜压滤、气浮等处理工艺后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮等处理工艺后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池；流程（2）：综合调节池废水进入水解酸化池；流程（3）：水解酸化池出水进入好氧活性污泥池；流程（4）：好氧活性污泥池出水进入臭氧氧化池；流程（5）：臭氧氧化池出水进入MBR池，MBR池出水达标排放。2.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：调节池废水COD（化学需氧量）为600
‑
700 mg/L，BOD5（5日生化需氧量）/COD为0.12
‑
0.19，SS（悬浮固体浓度）为10
‑
50 mg/L。3.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：水解酸化池出水COD为400
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：朱恩灿，张俊，邢斌，杨丽，
申请(专利权)人：上海中海龙智城科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：