本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池新的扩散工艺，该扩散工艺主要是指在原来的工艺基础上，将通源的步骤分不同的几步进行：低温预扩散、斜率升温扩散、高温扩散。该工艺能显著增强扩散的均匀性，对ＰＮ结的深度和表面浓度有很好的控制，提高了晶体硅太阳能电池片的光电转换效率。该新的扩散工艺编辑简单，只要在原来的工艺参数上修改一下即可，便于操作。适用产业化生产，不影响生产进度，可以在大规模的太阳能电池生产线中应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体硅太阳能电池制造领域，可以用来改善太阳能电池制造中的扩散工艺，使扩散的均匀性得到提高，从而提高了电池片的光电转换效率。
技术介绍
太阳电池制造工艺中，扩散是核心工艺，是用来形成pn结的。磷扩散一般有三种方法，一是三氯氧磷(P0C13)液态源扩散，二是喷涂磷酸水溶液后链式扩散，三是丝网印刷磷浆料后链式扩散，本专利技术采用的是第一种方法。P0C13是目前磷扩散用得较多的一种杂质源，在高温下(> 600°C )分解生成五氯化磷(PC15)和五氧化二磷(&05)，其反应式如下 5P0C13 = 3PC15+P205 2P205+5Si = 5Si02+4P I 在整个扩散工艺进行中，温度、流量等因素影响着扩散的结果。 一般来说，使用三氯氧磷(P0C13)液态源进行扩散存在以下缺点(l)均匀性差；(2)重复性差，片间的方块电阻有偏差；(3)容易引起大量的偏磷酸，对石英件有腐蚀。为了避免这些缺点，必须改进扩散的工艺，使扩散达到最优化的状态。
技术实现思路
专利技术的目的是，针对现有技术存在的缺陷，提出一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，通过调整优化工艺可有效提高扩散的重复性和均与性。 本专利技术采取的方案是，所述晶体硅太阳能电池的扩散工艺为，把该工艺的通源扩散步骤依次分为低温预扩散、斜率升温扩散、高温扩散之三步进行。 以下对本专利技术做出进一步说明。 本专利技术所述晶体硅太阳能电池的扩散工艺把通源扩散步骤分为低温预扩散、斜率升温扩散、高温扩散之三步进行，首先用较低的温度做预扩散，然后在温度上升的情况下扩散，确定pn结的深度和表面浓度，最后在高温下长时间扩散。这与一般的扩散工艺有很大的不同，其中第一步扩散目的仅仅是在硅片表面淀积一层磷源，磷源可以是非电活性的，也可以是&05 ;在接下来的二步扩散中，&05逐渐的会进行有效的匀速的分解，从而使磷有效的均匀的扩散到硅片中。 使用本专利技术扩散工艺和一般的工艺对比，在扩散均匀性方面有很大的差别，而且电池片的效率也有所提高。对于同一厂家的硅片，我们用两种工艺分别做了工艺实验。 表一常规的扩散工艺<table>table see original document page 4</column></row><table> 从上述表一和表二可以看出，本专利技术工艺在平均不均匀度上下降了 2. 1%，平均光电转换效率升高了 0. 3%。可见，本专利技术的工艺对于提高扩散均匀性和效率都有很大的帮助。具体实施例方式本专利技术的晶体硅太阳能电池的扩散工艺在保持原有其它工艺不变的基础上，扩散炉可选用中国电子科技集团公司第48研究所的管式扩散炉，我们编辑的工艺参数格式也是按照此扩散炉的格式。 通源扩散步前面的工艺参数不变，见下表<table>table see original document page 5</column></row><table>权利要求一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括扩散通源步骤，其特征是，把所述通源步骤依次分为低温预扩散、斜率升温扩散、高温扩散之三步进行，其中，第一步的低温预扩散的工艺参数如下 扩散时间(S) 温区一(℃) 温区二(℃) 温区三(℃) 小氮流量(ml/m) 大氮流量(ml/m) 干氧流量(ml/m) 400 840 840 840 1800 20000 2400第二步的斜率升温扩散的工艺参数如下 扩散时间(S) 温区一(℃) 温区二(℃) 温区三(℃) 小氮流量(ml/m) 大氮流量(ml/m) 干氧流量(ml/m) 200 855 855 855 2400 20000 3000第三步的高温扩散的工艺参数如下 扩散时间(S) 温区一(℃)温区二(℃) 温区三(℃) 小氮流量(ml/m) 大氮流量(ml/m) 干氧流量(ml/m) 1500 855855 855 2400 20000 3000全文摘要本专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池新的扩散工艺，该扩散工艺主要是指在原来的工艺基础上，将通源的步骤分不同的几步进行低温预扩散、斜率升温扩散、高温扩散。该工艺能显著增强扩散的均匀性，对PN结的深度和表面浓度有很好的控制，提高了晶体硅太阳能电池片的光电转换效率。该新的扩散工艺编辑简单，只要在原来的工艺参数上修改一下即可，便于操作。适用产业化生产，不影响生产进度，可以在大规模的太阳能电池生产线中应用。文档编号H01L31/18GK101707226SQ20091004400公开日2010年5月12日 申请日期2009年7月29日 优先权日2009年7月29日专利技术者刘恺, 彭志红, 李功利, 汤辉, 田杰成, 程远贵 申请人:湖南红太阳新能源科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括扩散通源步骤，其特征是，把所述通源步骤依次分为低温预扩散、斜率升温扩散、高温扩散之三步进行，其中， 第一步的低温预扩散的工艺参数如下： ＊＊＊ 第二步的斜率升温扩散的工艺参数如下：＊＊＊ 第三步的高温扩散的工艺参数如下： ＊＊＊。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程远贵，刘恺，彭志红，田杰成，汤辉，李功利，
申请(专利权)人：湖南红太阳新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]
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