带加速管的高性能电平转换电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带加速管的高性能电平转换电路，它包括两个交叉耦合ＭＯＳ管Ｐ１和Ｐ２、两个差分输入ＭＯＳ管Ｎ１和Ｎ２和两个加速ＭＯＳ管Ｐ３和Ｐ４。加速管Ｐ３、Ｐ４与差分输入管Ｎ１、Ｎ２分别构成ＣＭＯＳ反向器形式，使得输出节点导通和截止的速度变得更快。由于增加了加速管Ｐ３和Ｐ４，该电路在不需要后级反相器调整的情况下实现电平转换，并能使得转化后的信号具有精确的占空比，信号保真。本发明专利技术所涉及的电平转换电路，结构简单，工作频率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高性能带加速管的电平转换电路，其特征在于：　它包括两个交叉耦合ＭＯＳ管、两个差分输入ＭＯＳ管和两个加速ＭＯＳ管，所述高性能带加速管的电平转换电路包括由两个交叉耦合ＭＯＳ管（Ｐ１）和（Ｐ２），（Ｐ１）和（Ｐ２）的栅分别接差分输出端口 （ｏｕｔａ）和（ｏｕｔｂ），构成正反馈，使得（ｏｕｔａ）和（ｏｕｔｂ）的输出节点导通和截止的速度变快；两个差分输入ＭＯＳ管（Ｎ１）和（Ｎ２），（Ｎ１）和（Ｎ２）的栅分别接低电平差分输入信号端口（ｉｎａ）和（ｉｎｂ）；两个加速ＭＯＳ管（Ｐ３）和（Ｐ４），（Ｐ３）和（Ｐ４）的栅漏分别与（Ｎ１）和（Ｎ２）的栅漏相连，构成ＣＭＯＳ反向器形式的电路结构，使得（ｏｕｔａ）和（ｏｕｔｂ）的输出节点导通和截止的速度变得更快，因此，能使差分输出信号（ｏｕｔａ）和（ｏｕｔｂ）很快达到高电平并时钟信号很容易实现占空比为５０％，所以不需要后级反相器来调节。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：窦强，唐李红，马卓，徐炜遐，郭阳，李少青，陈吉华，赵振宇，陈怒兴，张民选，刘梅，黄冲，白创，肖海鹏，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]