树脂组合物、固化膜、绝缘膜或保护膜、天线元件、以及电子部件、显示装置或半导体装置和其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供在封装可靠性试验后也未发现伸长率的降低，且具有高裂纹耐性的树脂组合物、由该树脂组合物得到的固化膜、绝缘膜或保护膜、以及电子部件、显示装置或半导体装置和其制造方法。为了解决上述课题，本发明专利技术的树脂组合物含有(A)树脂和(E)溶剂，前述(A)树脂包含选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑、它们的前体和它们的共聚物中的至少1种，前述(A)树脂具有式(1)所示的结构。述(A)树脂具有式(1)所示的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物、固化膜、绝缘膜或保护膜、天线元件、以及电子部件、显示装置或半导体装置和其制造方法


[0001]本专利技术涉及树脂组合物、固化膜、绝缘膜或保护膜、天线元件、以及电子部件、显示装置或半导体装置和其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，半导体装置的表面保护膜、层间绝缘膜等中广泛使用耐热性、机械特性等优异的聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂等。
[0003]通常，聚酰亚胺、聚苯并噁唑使它们的前体的涂膜热性脱水闭环，从而得到具有优异的耐热性和机械特性的薄膜。在该情况下，通常需要350℃前后的高温煅烧。然而，例如有望作为下一世代存储器的MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory；磁阻存储器)、密封树脂对高温弱。因此，为了用于这样的元件的表面保护膜、在密封树脂上形成重布线结构的扇出晶片级封装的层间绝缘膜，要求在约250℃以下的低温下煅烧而固化，得到不逊于与以往的将材料在350℃前后的高温下煅烧的情况的特性的聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。
[0004]将树脂组合物用于半导体等用途的情况下，加热固化后的膜在器件内作为永久膜残留，因此固化膜的物性、特别是伸长率是非常重要的。此外，用作晶片级封装的布线层间的绝缘膜等用途的情况下，金属布线形成时反复进行药液处理，因此需要能够耐受处理的耐药品性。
[0005]针对这些课题，提出了具有脂肪族基团的聚苯并噁唑前体(专利文献1)、使用含有具有交联性基团的酚醛清漆树脂的感光性树脂组合物的方法(专利文献2)。现有技术文献专利文献<br/>[0006]专利文献1：日本特开2008
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224984号公报专利文献2：日本特开2011
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197362号公报

技术实现思路

专利技术要解决的课题
[0007]然而，专利文献1所述的具有脂肪族基团的聚苯并噁唑前体、专利文献2所述的含有酚醛清漆树脂的感光性树脂组合物的固化膜在封装可靠性试验后观察到固化膜中包含的树脂的劣化，存在可靠性试验后的伸长率降低，产生裂纹的问题。用于解决课题的手段
[0008]为了解决上述课题，本专利技术涉及下述方案。即，本专利技术的树脂组合物含有(A)树脂和(E)溶剂，前述(A)树脂包含选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑、它们的前体和它们的共聚物中的至少1种，前述(A)树脂具有式(1)所示的结构。
[0009][化1][0010]式(1)中，a各自独立地为0～4的整数，b各自独立地为0～2的整数，b为0的情况下，括号内表示单键，n为1～12的整数。A各自独立地为单键、
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、或碳原子数1～5的2价烃基，R1各自独立地为卤素原子、羟基、碳原子数1～6的1价烃基、碳原子数1～6的烷氧基或苯氧基。*表示化学键。
[0011]本专利技术的固化膜的第一方式是将本专利技术的树脂组合物固化而成。
[0012]本专利技术的固化膜的第二方式是具有(A)树脂的固化膜，前述(A)树脂包含选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑、它们的前体和它们的共聚物中的至少1种，前述(A)树脂具有式(1)所示的结构。
[0013]本专利技术的绝缘膜或保护膜具有本专利技术的固化膜。
[0014]本专利技术的电子部件、显示装置或半导体装置的制造方法包括：涂布本专利技术的树脂组合物并干燥而形成树脂膜的步骤；对树脂膜照射化学射线的步骤；将树脂膜显影而形成图案的步骤；和进行热处理而形成固化膜的凸纹图案层的步骤。
[0015]本专利技术的电子部件、显示装置或半导体装置的第一方式具有本专利技术的固化膜的凸纹图案层。
[0016]本专利技术的电子部件、显示装置或半导体装置的第二方式将本专利技术的固化膜作为布线间的绝缘膜配置而成。
[0017]本专利技术的天线元件至少具有1个以上的天线布线和本专利技术的固化膜，该天线布线包含选自弯折状环形天线、线圈状环形天线、弯折状单极天线、弯折状双极天线和微带天线中的至少一种以上，该天线布线中的平均一个天线部的专有面积为1000mm2以下，该固化膜为将地线与天线布线间进行绝缘的绝缘膜。专利技术的效果
[0018]提供了封装可靠性试验后也未观察到伸长率的降低，且具有高裂纹耐性的树脂组合物；由该树脂组合物得到的固化膜、绝缘膜或保护膜；以及电子部件、显示装置或半导体装置和其制造方法。
附图说明
[0019]图1是作为平面天线的一种的共面供电型的微带天线的一例的概略图。图2是涉及具有IC芯片(半导体元件)、重布线层、密封树脂和天线元件的半导体封装的一例的截面的概略图。
具体实施方式
[0020]以下详细说明本专利技术。
[0021]本专利技术的树脂组合物含有(A)树脂和(E)溶剂，前述(A)树脂包含选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑、它们的前体和它们的共聚物中的至少1种，前述(A)树脂具有式(1)所示的结构。
[0022][化2][0023]式(1)中，a各自独立地为0～4的整数，b各自独立地为0～2的整数，b为0的情况下，括号内表示单键，n为1～12的整数。A各自独立地为单键、
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、或碳原子数1～5的2价烃基，R1各自独立地为卤素原子、羟基、碳原子数1～6的1价烃基、碳原子数1～6的烷氧基或苯氧基。*表示化学键。&lt;(A)树脂&gt;本专利技术的树脂组合物含有(A)树脂(以下有时称为(A)成分)。(A)树脂包含选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑、它们的前体和它们的共聚物中的至少1种。本专利技术中，“它们的共聚物”是指选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑和它们的前体中的二种以上共聚得到的共聚物。
[0024]针对聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺前体、聚苯并噁唑和聚苯并噁唑前体进行说明。聚酰亚胺只要具有酰亚胺环，则没有特别限定。此外，聚酰亚胺前体只要具有通过脱水闭环而形成具有酰亚胺环的聚酰亚胺的结构，则没有特别限定，可以含有聚酰胺酸、聚酰胺酸酯等。聚酰胺只要具有酰胺键，则没有特别限定。聚苯并噁唑只要具有苯并噁唑环，则没有特别限定。聚苯并噁唑前体只要具有通过脱水闭环而形成具有苯并噁唑环的聚苯并噁唑的结构，则没有特别限定，可以含有聚羟基酰胺等。
[0025](A)树脂从容易得到作为半导体元件等的表面保护膜、层间绝缘膜、有机发光元件等显示装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.树脂组合物，其含有(A)树脂和(E)溶剂，前述(A)树脂包含选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并噁唑、它们的前体和它们的共聚物中的至少1种，前述(A)树脂具有式(1)所示的结构，[化1]式(1)中，a各自独立地为0～4的整数，b各自独立地为0～2的整数，b为0的情况下，括号内表示单键，n为1～12的整数；A各自独立地为单键、
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或碳原子数1～5的2价烃基，R1各自独立地为卤素原子、羟基、碳原子数1～6的1价烃基、碳原子数1～6的烷氧基或苯氧基；*表示化学键。2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，前述(A)树脂为(a
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1)碱可溶性树脂，所述树脂组合物进一步含有(B
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1)通过光而产生酸的化合物和(C
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1)热交联剂。3.根据权利要求1所述的树脂组合物，其进一步含有(B
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2)光聚合引发剂和(C
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2)具有2个以上的烯属不饱和键的化合物。4.根据权利要求1所述的树脂组合物，其进一步含有(B
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2)光聚合引发剂，前述(A)树脂具有烯属不饱和键。5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂组合物，其中，前述式(1)中，b为1～2的整数，R1之中1～2个为羟基。6.根据权利要求5所述的树脂组合物，其中，前述式(1)中，b为1。7.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物，其中，前述(A)树脂具有选自式(2)所示的结构单元、式(3)所示的结构单元和式(4)所示的结构单元中的一种以上的结构单元，[化2]式(2)中，R2表示碳原子数4～40的4价有机基团；R3表示前述式(1)所示的结构之中b为1或2的情况的结构；[化3]式(3)中，R4表示碳原子数4～40的2～8价有机基团；R5表示前述式(1)所示的结构之中b为1或2的情况的结构；R6表示氢原子或碳原子数1～20的1价烃基；q、r表示0≤q≤4、0≤r≤4的范围内的整数；q、r为0的情况下，(OH)
q
、(COOR6)
r
表示氢原子；q和r表示满足0≤q+r≤6
的整数；[化4]式(4)中，R7表示前述式(1)所示的结构之中b为0的情况的结构单元；R8表示碳原子数4～40的2价有机基团。8.根据权利要求7所述的树脂组合物，其中，前述式(2)所示的结构单元、式(3)所示的结构单元和式(4)所示的结构单元的总计含量在(A)树脂整体的结构单元100摩尔％中为10摩尔％以上且80摩尔％以下。9.根据权利要求7所述的树脂组合物，其中，前述式(1)中，R1各自独立地为卤素原子、碳原子数1～6的1价烃基、碳原子数1～6的烷氧基或苯氧基，前述式(2)所示的结构单元、式(3)所示的结构单元和式(4)所示的结构单元的总计含量在(A)树脂整体的结构单元100摩尔％中为10摩尔％以上且20摩尔％以下。10.根据权利要求7所述的树脂组合物，其中，前述式(1)中，a各自独立地为1～4的整数，R1之中1～2个为羟基，前述式(2)所示的结构单元、式(3)所示的结构单元和式(4)所示的结构单元的总计含量在(A)...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄司优，荒木齐，富川真佐夫，小笠原央，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：