一种半导体器件反向恢复时间测试装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体器件反向恢复时间测试装置及方法，将多个被测半导体器件搭建成全桥桥式电路；全桥桥式电路的直流侧与外接电源及第一储能模块并联连接，全桥桥式电路的两个桥臂的中点通过第二储能模块连接；外接电源为第一储能模块充电之后，通过控制各半导体器件的通断状态，以使第一储能模块为第二储能模块充电，以及使第二储能模块放电至被测半导体二极管；通过检测被测半导体二极管的电流，以实现对其反向恢复时间的检测。以实现对其反向恢复时间的检测。以实现对其反向恢复时间的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件反向恢复时间测试装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件反向恢复时间测试装置及方法。

技术介绍

[0002]随着电动汽车、大功率手机充电器等快速发展，GaN
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MOS、SiC
‑
MOS等大功率、高速度的第三代半导体开关器件得到越来越多的应用，在这类开关器件中，反向恢复时间(TRR)是重要的参数指标。第三代半导体开关管具有耐压高，速度快，载流能力强的特点，那么相对应的测试设备也需要具备相同的特性，加上这类开关器件存在单芯、半桥、全桥等不同封装，测试设备的设计难度也随之增加。
[0003]针对这类器件的TRR测试，当前市面上存在不少的第三代半导体测试设备，但是这些测试设备都缺乏针对测试半桥、全桥式的开关芯片的测试方案。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的对半导体的TRR进行测试的设备缺乏针对测试半桥、全桥式的开关芯片的测试方案的缺陷，从而提供一种半导体器件反向恢复时间测试装置及方法。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件反向恢复时间测试装置，其特征在于，所述半导体器件由反向并联连接的可控开关及二级管构成，所述装置包括：第一储能模块、第二储能模块，其中，将多个被测半导体器件搭建成全桥桥式电路；所述全桥桥式电路的直流侧与外接电源及第一储能模块并联连接，所述全桥桥式电路的两个桥臂的中点通过所述第二储能模块连接；所述外接电源为所述第一储能模块充电之后，通过控制各半导体器件的通断状态，以使第一储能模块为第二储能模块充电，以及使第二储能模块放电至所述被测半导体二极管；通过检测所述被测半导体二极管的电流，以实现对其反向恢复时间的检测。2.根据权利要求1所述的反向恢复时间测试装置，其特征在于，所述第一储能模块包括：储能电容。3.根据权利要求1所述的半导体器件反向恢复时间测试装置，其特征在于，所述第二储能模块包括：储能电感。4.根据权利要求1所述的半导体器件反向恢复时间测试装置，其特征在于，还包括：测试电源；所述测试电源与所述全桥桥式电路的直流侧并联连接；所述测试电源用于为所述第一储能模块充电。5.根据权利要求4所述的半导体器件反向恢复时间测试装置，其特征在于，还包括：继电器；所述测试电源的第一输出端通过所述继电器与所述全桥桥式电路的直流侧的第一端连接，所述测试电源的第二输出端与所述全桥桥式电路的直流侧的第二端连接；当所述继电器闭合时，所述测试电源为所述第一储能模块充电。6.根据权利要求1所述的半导体器件反向恢复时间测试装置，其特征在于，还包括：多个可调电阻；各所述半导体器件的控制端均通过一个可调电阻接收控制信号，所述控制信号用于控制各所述半导体器件的通断状态；通过调节所述可调电阻的阻值，以调节电流变化率。7.根据权利要求1所述的半导体器件反向恢复时间测试装置，其特征在于，还包括：电流传感器及显示装置；在所述全桥桥式电路的每个半桥均接入一个所述电流传感器；在所述第二储能模块所在线路串入一个所述电流传感器；所述电流传感器与所述显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎志辉，
申请(专利权)人：佛山市联动科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：