一种极片和电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种极片和电池。本实用新型专利技术的极片，包括集流体以及与所述集流体电连接的极耳；所述集流体包括基体层以及设置在所述基体层至少一个功能表面的导电层；所述基体层在厚度方向上具有通孔，所述通孔中填充有导电体，所述导电体与所述导电层电连接；所述基体层的孔隙率沿远离所述极耳的方向增加。该极片能够使电池在大倍率充放电过程中，电池的温度保持一致，提高电池的安全性能，并且，包括该极片的电池受到针刺等滥用时，集流体不会产生较大的毛刺，有助于进一步改善电池的安全性能。有助于进一步改善电池的安全性能。有助于进一步改善电池的安全性能。

【技术实现步骤摘要】
一种极片和电池


[0001]本技术实施例涉及新能源
，尤其涉及一种极片和电池。

技术介绍

[0002]目前，电池中的极片通常包括集流体以及与集流体相互焊接的极耳，其中，正极片包括正极集流体以及与正极集流体相互焊接的正极极耳，负极片包括负极集流体以及与负极集流体相互焊接的负极极耳，通常情况下，正极集流体为铝箔，负极集流体为铜箔。
[0003]在电池的充放电过程中，极耳会将电子导出，从而引发极片中靠近极耳的位置温度升高，尤其是在电池的大倍率充放过程中，会使电池的温度一致性较差；并且，当电池受到针刺等滥用时，铜箔和/或铝箔会产生较大的毛刺，进而影响电池的安全性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例提供一种极片，该极片能够使电池在大倍率充放电过程中，电池的温度保持一致，提高电池的安全性能，并且，包括该极片的电池受到针刺等滥用时，极片中的集流体不会产生较大的毛刺，有助于进一步改善电池的安全性能。
[0005]本技术的电池，由于包括上述的极片，因此具有优异的倍率性能以及安全性能。
[0006]本技术提供一种极片，其中，包括集流体以及与所述集流体电连接的极耳；
[0007]所述集流体包括基体层以及设置在所述基体层至少一个表面的导电层；
[0008]所述基体层在厚度方向上具有通孔，所述通孔中填充有导电体，所述导电体与所述导电层电连接；
[0009]所述基体层的孔隙率沿远离所述极耳的方向增加。
[0010]如上所述的极片，其中，所述集流体包括基体层以及分别设置在所述基体层两个表面的导电层。
[0011]如上所述的极片，其中，所述基体层的厚度为1μm
‑
1mm。
[0012]如上所述的极片，其中，所述基体层的厚度为3μm
‑
20μm。
[0013]如上所述的极片，其中，所述通孔的截面形状选自圆形、椭圆形以及方形中的至少一种。
[0014]如上所述的极片，其中，所述通孔的截面形状为圆形，所述圆形的直径为1nm
‑
200nm。
[0015]如上所述的极片，其中，所述圆形的直径为10nm
‑
50nm。
[0016]如上所述的极片，其中，所述导电层的厚度为0.1μm
‑
1mm。
[0017]如上所述的极片，其中，所述导电层的厚度为1μm
‑
10μm。
[0018]如上所述的极片，其中，所述极耳位于所述集流体的端部或所述集流体的中部。
[0019]本技术还提供一种电池，其中，包括如上所述的极片。
[0020]本技术的极片中，集流体的基体层具有通孔，通孔中填充有导电体，且导电体
与导电层电连接，并且基体层的孔隙率沿远离极耳的方向增加，因此本技术的极片沿远离极耳的方向电子电导率增加，有助于使极片中远离极耳的位置的电子更多的导出，从而与靠近极耳的位置导出的电子近似相等，使电池在大倍率充放电过程中温度保持一致；并且，由于极片中的集流体包含基体层，当包含该极片的电池受到针刺等滥用时，集流体的毛刺较少，有助于提高电池的安全性能。
[0021]本技术的电池，由于包括上述的极片，因此在电池进行大倍率充放电时，电池中靠近极耳的位置的温度与远离极耳的位置的温度基本一致，有助于提高电池的安全性能以及倍率性能，并且该电池在受到针刺等滥用时，集流体不容易产生毛刺，能够进一步改善电池的安全性能。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本技术一些实施方式中极片的侧视图；
[0024]图2为本技术另一些实施方式中极片的侧视图。
[0025]附图标记说明：
[0026]1：极耳；
[0027]21：基体层；
[0028]22：导电层；
[0029]211：通孔；
[0030]212：导电体。
具体实施方式
[0031]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]图1为本技术一些实施方式中极片的侧视图；图2为本技术另一些实施方式中极片的侧视图。如图1或2所示，本技术的第一方面提供一种极片，包括集流体以及与集流体电连接的极耳1；
[0033]集流体包括基体层21以及设置在基体层21至少一个功能表面的导电层22；
[0034]基体层21在厚度方向上具有通孔211，通孔211中填充有导电体212，导电体212与导电层22电连接；
[0035]基体层21的孔隙率沿远离极耳1的方向增加。
[0036]可以理解，本技术中，集流体与极耳1可以通过模切一体成型实现电连接，也可以通过将极耳1与集流体焊接实现集流体与极耳1的电连接。并且，本技术的极片还
包括活性层。
[0037]本技术中，基体层21中面积最大且相对设置的两个表面为基体层21的表面。
[0038]本技术可以在基体层21的一个表面设置导电层22形成集流体；也可以如图1或2所示，在基体层21的两个表面皆设置导电层22形成集流体。
[0039]本技术的基体层21具有贯穿厚度方向的通孔211，且通孔211中填充有导电体212，导电体212与导电层22电连接。
[0040]本技术中，基体层21的孔隙率指的是通孔211的体积占基体层21体积的百分比。
[0041]本技术对通孔211的大小以及形状都不做特别限定，只要基体层21的孔隙率沿远离极耳1的方向增加即可。
[0042]在一些实施方式中，可以使每个通孔211的体积相同，并且沿远离极耳1的方向，使通孔211的个数增加，从而实现基体层21的孔隙率沿远离极耳1的方向增加。
[0043]本技术中，基体层21的孔隙率可以沿远离极耳1的方向逐渐增加，基体层21的孔隙率也可以沿远离极耳1的方向梯度增加。
[0044]可以理解，本技术中，每个通孔211中填充的导电体212的材料以及含量皆相同。
[0045]由于基体层21的孔隙率沿远离极耳1的方向增加，因此基体层21沿远离极耳1的方向可以填充的导电体212含量增加，进而使集流体沿远离极耳1的方向电子电导率增加。
[0046]本技术对基体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极片，其特征在于，包括集流体以及与所述集流体电连接的极耳；所述集流体包括基体层以及设置在所述基体层至少一个表面的导电层；所述基体层在厚度方向上具有通孔，所述通孔中填充有导电体，所述导电体与所述导电层电连接；所述基体层的孔隙率沿远离所述极耳的方向增加。2.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述集流体包括基体层以及分别设置在所述基体层两个表面的导电层。3.根据权利要求1所述的极片，其特征在于，所述基体层的厚度为1μm
‑
1mm；和/或，所述导电层的厚度为0.1μm
‑
1mm。4.根据权利要求3所述的极片，其特征在于，所述基体层的厚度为3μm
‑
20μm；和/或，所述导电层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：付西超，刘跃争，谢继春，汪涛，黄官亮，
申请(专利权)人：珠海冠宇电池股份有限公司，
类型：新型
国别省市：