高流量真空卡盘制造技术

本发明专利技术提供一种真空卡盘，其包括：真空缓冲器，其与真空源呈流体连通，所述真空缓冲器是所述真空卡盘中的围闭体积；顶部板，其界定位于第一侧上的表面特征及经由贯通孔通向所述第一侧的内部分布通道网状结构；及流量阀，其经配置以控制所述分布通道网状结构与所述真空缓冲器之间的流体连通。通过打开所述流量阀，通过所述贯通孔将负压力从安置于所述顶部板的所述第一侧上的衬底之间施加到所述真空缓冲器中，借此使所述衬底抵靠所述顶部板的所述第一侧的至少部分进行平整。述第一侧的至少部分进行平整。述第一侧的至少部分进行平整。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高流量真空卡盘
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张于2020年10月23日提出申请且被指派为美国申请案第63/104527号的临时专利申请案的优先权，其揭示内容据此以引用方式并入。


[0003]本专利技术涉及使衬底平整的方法，且更具体来说涉及使用真空卡盘来使衬底平整。

技术介绍

[0004]半导体制造行业的演变正在对合格率管理且具体来说对计量与检验系统提出更高要求。临界尺寸持续缩小，但该行业仍需要减少达成高合格率、高价值生产的时间。使从检测到合格率问题到解决所述问题的总时间最小化决定了半导体制造商的投资报酬率。
[0005]制作例如逻辑及存储器装置等半导体装置通常包含使用大量的制作工艺来处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是一种涉及将来自光罩的图案转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制作工艺。半导体制作工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。在单个半导体晶片上制作的多个半导体装置的布置可被分离成个别的半导体装置。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种真空卡盘，其包括：真空缓冲器，其与真空源呈流体连通，所述真空缓冲器是所述真空卡盘中的围闭体积；顶部板，其界定位于第一侧上的表面特征及经由贯通孔通向所述第一侧的内部分布通道网状结构；及流量阀，其经配置以控制所述内部分布通道网状结构与所述真空缓冲器之间的流体连通。2.根据权利要求1所述的真空卡盘，其中所述真空缓冲器与所述顶部板的第二侧集成在一起。3.根据权利要求1所述的真空卡盘，其中所述表面特征具有圆形图案。4.根据权利要求1所述的真空卡盘，其中所述表面特征具有矩形图案。5.根据权利要求1所述的真空卡盘，其中所述表面特征具有中心十字形图案。6.根据权利要求1所述的真空卡盘，其中所述真空缓冲器与安置于所述顶部板的第二侧上的基底部件集成在一起。7.根据权利要求6所述的真空卡盘，其进一步包括：提升销，其安装到所述基底部件，穿过所述顶部板的所述第一侧而突出。8.根据权利要求6所述的真空卡盘，其进一步包括：调平装置，其安装到所述基底部件且抵靠所述顶部板的所述第二侧而安置。9.根据权利要求6所述的真空卡盘，其中所述基底部件是通过经径向压缩密封部件而密封到所述顶部板的所述第二侧。10.根据权利要求1所述的真空卡盘，其进一步包括：多个夹具，其布置于所述顶部板的周界处，且经配置以固持安置于所述顶部板的所述第一侧上的衬底的边缘。11.根据权利要求1所述的真空卡盘，其进一步包括：多个吸盘，其布置于所述顶部板的所述第一侧上与次级真空源呈流体连通的端口中。12.根据权利要求1所述的真空卡盘，其中所述表面特征包括第一区及从所述第一区径向向外定位的第二区；其中所述第一区与所述第二区彼此独立。13.根据权利要求12所述的真空卡盘，其中所述内部分布通道网状结构包括：第一分布通道，其经由位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：