【技术实现步骤摘要】
一种超低功耗过压检测电路
[0001]本专利技术涉及电子
,特别涉及集成电路
,具体是指一种超低功耗过压检测电路。
技术介绍
[0002]随着无线电技术的发展,各种便携式可无线充电的移动设备越来越普遍。这些便携式智能体积小,电池容量低。为了防止在芯片使用过程中由于各种热插拔造成的短路浪涌,往往需要内置OVP检测电路(过压检测电路)来检测输入VIN信号是否过压,并及时关闭电路,以起到保护电路避免芯片损坏的效果。但是由于受限于体积小、电池容量有限等客观原因,往往增加了OVP检测电路后反而缩短了芯片使用寿命。
[0003]专利号US005896324A的美国专利申请公开了传统的OVP过压检测电路,由图2所示电路元器件构成。电阻R11、R12和NMOS开关管S11构成VIN分压电路; 模块b 比较器是带EN使能的比较器,且当EN为高时,比较器工作,EN为低高时,比较器关断;电路当EN信号为高电平时,NMOS开关管S11打开,节点a取分压值Va与Vbgp_cmp基准电压送入模块b比较器进行比较,当输入信号VIN>O ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超低功耗过压检测电路,其特征在于,包括:过压检测子电路、分压控制子电路和过压比较器控制子电路;所述分压控制子电路控制输入电压(VIN)的分压电路的开启与关断,所述过压比较器控制子电路控制所述的过压检测子电路中比较器的关断开启,通过控制所述的分压控制子电路及过压比较器控制子电路的工作状态,进而控制所述的过压检测子电路的仅在过压点附近开启。2.根据权利要求1所述的超低功耗过压检测电路,其特征在于,所述的过压检测子电路包括第一输入信号(Vbgp_cmp);所述的过压检测子电路还包括第一分压电阻(R1);所述第一分压电阻(R1)的上端连接所述的输入电压(VIN)信号;所述第一分压电阻(R1)的下端接高压NLDMOS管(N1)的漏极;所述的高压NLDMOS管(N1)的栅极接电源电压(VDD); 所述的高压NLDMOS管(N1)的源极分别接第二分压电阻(R2)的上端和第四NMOS开关管(S4)的漏极;所述的第四NMOS开关管(S4)的源极接比较器(10)的正输入端;所述的比较器(10)的负输入端接第一输入信号(Vbgp_cmp);所述的比较器(10)的输出端产生输出信号(OVP_output)。3.根据权利要求2所述的超低功耗过压检测电路,其特征在于,所述的分压控制子电路包括第二输入信号(Vbgp_ovp)和第三输入信号(OVP_eH);所述的分压控制子电路包括高压PLDMOS管(P1);所述的高压PLDMOS管(P1)的栅极接所述第二输入信号(Vbgp_ovp),该第二输入信号(Vbgp_ovp)为低于过压点的基准参考电压;所述的高压PLDMOS管(P1)的源极接第三电阻(R3)的下端;所述的高压PLDMOS管(P1)的漏极分别连接限流电阻(R4)的上端、电压裕度模块(11)的上...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘康生,汪东,张凤菊,黄星星,
申请(专利权)人:无锡力芯微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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