一种光果甘草种苗培养基及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种光果甘草种苗培养基及其应用。使用本发明专利技术的种苗培养基处理光果甘草种子苗，能快速有效提高光果甘草根部光甘草定含量，尤其是使用碳酸氢钠碱时，光甘草定的含量可提高20倍以上，提高效果显著。本发明专利技术提供的提高光果甘草中光甘草定的方法具有简单、快速、高效和成本低等优点，具有广阔的应用空间。本发明专利技术的光果甘草种苗培养基用于光果甘草的培育，能够显著提高光果甘草中的光甘草定含量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种光果甘草种苗培养基及其应用


[0001]本专利技术属于植物培养
，尤其涉及一种光果甘草种苗培养基及其应用。

技术介绍

[0002]甘草作为一种历史悠久的中药材，从古至今都在疾病的治疗中发挥了重要的作用。甘草的主要成分为三萜皂苷类(主要是甘草酸)、黄酮类、香豆素类、生物碱类、多糖类和氨基酸等，三萜皂苷类(含量4％～24％)和黄酮类(含量1％～5％)是其主要活性成分。光甘草定(Glabridin)是从光果甘草的根茎中提取出来的异黄酮类化合物，在光果甘草总黄酮中含量较高(约占11％)，是光果甘草的一种特征性化合物。光甘草定具有广泛的药理活性，并常常作为功能成分添加在多种高端化妆品中，被人们誉称为“美白黄金”。因此对光甘草定的研究更具实际应用价值。然而，光甘草定在光果甘草中的生物合成途径和分子调控机制并不清晰。
[0003]中国的野生甘草主要分布于黄河流域以北各省区，如青海、内蒙古、甘肃、新疆、宁夏、东北等地分布较多，其中光果甘草主要分布在新疆天山南北坡水源较充足的地方。这些分布区具有光照充足、冬寒夏热、昼夜温差大，因此甘草具有喜光、耐寒、耐热和耐盐碱的生长特性。
[0004]因此通过调控甘草的生长因子来探究对光甘草定积累的影响，可以为光甘草定的利用提供参考，为更好的开发甘草的市场应用奠定一定的基础。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术第一个方面提出一种光果甘草种苗培养基，使用该培养基能够有效提高光果甘草中光甘草定的含量。
[0006]本专利技术的第二个方面提出了一种提高光果甘草中光甘草定的方法。
[0007]本专利技术的第三个方面提出了一种光果甘草种苗培养基在光果甘草培育中的应用。
[0008]根据本专利技术的第一个方面，提出了一种光果甘草种苗培养基，所述培养基包括钠盐、茉莉酸甲酯(MeJA)、5
‑
氮杂胞苷(5
‑
azaC)中的至少一种。
[0009]在本专利技术的一些实施方式中，所述钠盐包括碳酸氢钠或碳酸氢钠与NaCl、Na2SO4或Na2CO3中的至少一种的组合。
[0010]在本专利技术的一些实施方式中，所述钠盐包括碳酸氢钠与NaCl、Na2SO4、Na2CO3的组合。
[0011]在本专利技术的一些实施方式中，所述NaHCO3、NaCl、Na2SO4、Na2CO3的质量比为9:1:1:9。
[0012]在本专利技术的一些实施方式中，当培养基中含有钠盐时，所述钠盐在培养基中的浓度为5mM～30mM，进一步为8mM～20mM，更进一步为8mM～15mM。
[0013]在本专利技术的一些实施方式中，当培养基中含有碳酸氢钠时，所述碳酸氢钠在培养
基中的浓度为5mM～20mM，进一步为8mM～16mM，更进一步为10mM～15mM。
[0014]在本专利技术的一些实施方式中，当培养基中含有5
‑
氮杂胞苷时，所述5
‑
氮杂胞苷在培养基中的浓度为10μM～50μM，进一步为15μM～40μM，更进一步为25μM～35μM。
[0015]在本专利技术的一些实施方式中，当培养基中含有茉莉酸甲酯时，所述茉莉酸甲酯在培养基中的浓度为60μM～120μM，进一步为80μM～115μM，更进一步为90μM～110μM。
[0016]在本专利技术的一些实施方式中，所述光果甘草种苗培养基中还包括MS培养基。
[0017]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述MS培养基的浓度为4g/L～5g/L。
[0018]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述光果甘草种苗培养基还包括15g/L～25g/L蔗糖和0.4g/L～0.6g/L吗啉乙磺酸。
[0019]在本专利技术的一些优选的实施方式中，所述光果甘草种苗培养基的pH值为5.7～6.0。
[0020]根据本专利技术的第二个方面，提出一种提高光果甘草中光甘草定的方法，包括：将光果甘草种子苗置于第一方面所述的光果甘草种苗培养基中培养即可。
[0021]在本专利技术的一些实施方式中，所述光果甘草种子苗为进行前处理后的光果甘草种子苗，所述前处理为：将光果甘草种子用浓硫酸浸泡，水冲洗至无浓硫酸残留；然后加水浸泡，再消毒，水冲洗；最后置于无菌水中震荡培养，获得刚萌发的光果甘草种子苗。
[0022]在本专利技术的一些实施方式中，所述浓硫酸浸泡的时间为15min～30min。
[0023]在本专利技术的一些实施方式中，所述加水浸泡的是时间为2h～3h。
[0024]在本专利技术的一些实施方式中，所述消毒包括但不限于用浓度为2％的NaClO消毒。
[0025]在本专利技术的一些实施方式中，所述消毒的时间为10min～15min。
[0026]在本专利技术的一些实施方式中，所述震荡培养的温度为25℃～30℃，转速为200rpm～300rpm；时间为20h～30h。
[0027]在本专利技术的一些实施方式中，当所述光果甘草种苗培养基中含有钠盐时，所述培养的时间≥24h，优选为48h～72h。
[0028]在本专利技术的一些实施方式中，当所述光果甘草种苗培养基中含有茉莉酸甲酯时，所述培养的时间≥72h，优选为72h～120h。
[0029]在本专利技术的一些实施方式中，当所述光果甘草种苗培养基中含有5
‑
氮杂胞苷时，所述培养的时间≥120h，优选为120h～168h。
[0030]在本专利技术的一些实施方式中，当所述光果甘草种苗培养基中含有一种以上上述有效成分(钠盐、茉莉酸甲酯(MeJA)、5
‑
氮杂胞苷(5
‑
azaC))时，所述培养的时间以其中所需培养时间最短的成分所需要的培养时间为准。
[0031]根据本专利技术的第三个方面，提出了一种第一方面所述的光果甘草种苗培养基在光果甘草培育中的应用。
[0032]在本专利技术的一些实施方式中，所述光果甘草种苗培养基用于提高光果甘草种子苗根部中的光甘草定含量。
[0033]本专利技术的有益效果为：
[0034]1.本专利技术首次发现，使用本专利技术的种苗培养基处理光果甘草种子苗，能快速有效提高光果甘草根部光甘草定含量，尤其是使用碳酸氢钠碱时，光甘草定的含量可提高20倍以上，提高效果显著。
[0035]2.本专利技术提供的提高光果甘草中光甘草定的方法具有简单、快速、高效和成本低等优点，具有广阔的应用空间。
[0036]3.本专利技术的光果甘草种苗培养基用于光果甘草的培育，能够显著提高光果甘草中的光甘草定含量。
附图说明
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0038]图1为光甘草定标品的不同浓度与HPLC检测的峰面积的线性关系。
[0039]图2中A为本专利技术实施例1在含有10mM NaHCO3的培养基上培养48h的光果甘草种子苗的表型；B为其光甘草定的含量检测结果。
[0040]图3中A为本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光果甘草种苗培养基，其特征在于，所述培养基包括钠盐、茉莉酸甲酯、5
‑
氮杂胞苷中的至少一种。2.根据权利要求1所述的光果甘草种苗培养基，其特征在于，所述钠盐包括碳酸氢钠或碳酸氢钠与NaCl、Na2SO4或Na2CO3中的至少一种的组合。3.根据权利要求2所述的光果甘草种苗培养基，其特征在于，所述钠盐包括碳酸氢钠与NaCl、Na2SO4、Na2CO3的组合。4.根据权利要求3所述的光果甘草种苗培养基，其特征在于，所述NaHCO3、NaCl、Na2SO4、Na2CO3的质量比为1:9:1:9。5.根据权利要求2所述的光果甘草种苗培养基，其特征在于，当培养基中含有钠盐时，所述钠盐在培养基中的浓度为5mM～30mM。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑛，李勇青，马小玲，蒋宁馨，
申请(专利权)人：中国科学院华南植物园，
类型：发明
国别省市：