银纳米线透明导电件及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种银纳米线透明导电件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在透明基板表面刻蚀至少一个凹槽并进行活化处理，得到预处理基板，其中，凹槽的深度为100nm

【技术实现步骤摘要】
银纳米线透明导电件及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及透明导电薄膜
，特别是涉及一种银纳米线透明导电件及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]透明导电薄膜是一种兼具有高导电性和可见光波段高透光性等优点的基础光电材料。对于固体材料，透过率和导电性是一对矛盾属性，通常导电性提高会导致透光性下降，因而可商品化的透明导电薄膜较少。其中，银纳米线透明导电薄膜具有优异的光电性能、工艺简单较易实现大面积成膜、可弯折以及价格低廉等优点，展现出可观的商品化潜能。
[0003]在传统的银纳米线透明导电薄膜的制备过程中，通常采用增材制备技术自下而上制备银纳米线透明导电薄膜，使银纳米线层具有良好的分布和固定效果，从而提高银纳米线透明导电薄膜的导电性。但是，基于增材制备技术制得的银纳米线透明导电薄膜难以保持高透过率。
[0004]另外，银纳米线透明导电薄膜应用于加热领域时，还要求银纳米线透明导电薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性。因此，在传统技术中，通常在银纳米线层的表面沉积热稳定性和化学稳定性良好的高分子材料作为保护膜。但是，传统的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线透明导电件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：在透明基板表面刻蚀至少一个凹槽并进行活化处理，得到预处理基板，其中，所述凹槽的深度为100nm
‑
200nm，宽度为100nm
‑
160nm；将所述预处理基板置于含巯基硅氧烷的银纳米线分散液中，使所述凹槽底部吸附沉积银纳米线层，得到复合导电体，其中，所述银纳米线层的厚度为40nm
‑
60nm；将所述复合导电体置于无机氧化物粉体分散液中，使所述银纳米线层表面键合保护层，去除所述凹槽之外附着的银纳米线残留物和无机氧化物粉体残留物，得到银纳米线透明导电件，其中，所述银纳米线层与所述保护层的厚度之和小于或者等于所述凹槽的深度。2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电件的制备方法，其特征在于，相邻两个所述凹槽的间距为500nm
‑
1000nm。3.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电件的制备方法，其特征在于，所述含巯基硅氧烷的银纳米线分散液中，银纳米线的浓度为0.5mg/mL
‑
1mg/mL，巯基硅氧烷与银纳米线的质量比为1:10
‑
1:15。4.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电件的制备方法，其特征在于，所述无机氧化物粉体分散液中，无机氧化物粉体的浓度为0.5mg/mL
‑
1mg/mL；及/或，所述无机氧化物粉体分散液中的无机氧化物粉体主要包括二氧化硅粉体、氧化锌粉体、二氧化钛粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑博达，汪聪，陈洁，苏传明，解威，曾西，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：