【技术实现步骤摘要】
一种松木基底、三维石墨炔及其制备方法
[0001]本专利技术涉及材料
，具体涉及一种松木基底、三维石墨炔及其制备方法。
技术介绍
[0002]石墨炔是一种新型二维层状材料，其碳原子有sp和sp2两种杂化形式。自2010年被首次成功合成以来，石墨炔凭借其碳骨架中较高的孔隙率、高导电性、及直接带隙半导体性质等特性，在许多领域都得到了广泛的研究和应用。
[0003]原位生长法是以某种材料为基底，利用化学或物理方法在基体上接枝、聚合、单载、沉积结合另一种功能体，基体上原位生长所得复合材料能够结合两者的优点，取长补短。基于石墨炔的可控生长可以获得石墨炔不同形貌的聚集态结构，如一维的纳米线、二维的石墨炔纳米片、三维的纳米墙、纳米球和纳米花等。结构决定性质，不同形状结构的石墨炔也有不同的应用现状。一维石墨炔纳米线有着独特的一维结构和性质，在电子和光子器件中具有广阔的应用前景。二维石墨炔纳米片结构通过调节分子内孔、三维互联孔结构和增加活性位点来促进金属离子快速扩散通道，从而极大地优化电极材料的能量存储能力。相比于一维和二维石墨...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种松木基底，其特征在于，所述松木基底为多孔结构，孔的形状为手碟状。2.一种权利要求1所述的松木基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将松木在惰性气体氛围下在700
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800℃下煅烧处理6
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8h。3.一种三维石墨炔，其特征在于，所述三维石墨炔以一价铜离子作为催化剂，三维石墨炔原位生长在碳基材料基底上，所述碳基材料基底为权利要求1所述的松木基底或者权利要求2所述的松木基底的制备方法制得的松木基底。4.一种权利要求3所述的三维石墨炔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将煅烧处理后的松木基底避光浸渍在含有一价铜的吡啶溶液得到含有松木基底的混合溶液，之后向所述混合溶液加入溶解在吡啶中的石墨炔单体溶液发生偶联反应得到所述三维石墨炔。5.根据权利要求4所述的三维石墨炔的制备方法，其特征在于，所述...
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